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Details, datasheet, quote on part number:Q62702-P1136
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Datasheet text preview:
GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters
SFH 415 SFH 416
Cathode 29 27 9.0 8.2
spacing 2.54 mm
0.4 0.8
1.8 1.2
7.8 7.5
5.9 5.5
ø4.8 ø5.1
Area not flat Chip position
4.8 4.2
0.6 0.4
GEO06645
Area not flat 0.6 0.4 6.9 6.1 5.7 5.5
2.54 mm spacing
0.8 0.4
5.9 5.5
1.8 1.2 29.5 27.5 Cathode (Diode) Collector (Transistor)
ø5.1 ø4.8
4.0 3.4 Chip position
0.6 0.4
fex06630
GEX06630
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q GaAs-IR-Lumineszenzdioden, hergestellt q q q q q
Features
q GaAs infrared emitting diodes, fabricated in q q q q q
im Schmelzepitaxieverfahren Gute Linearität (Ie = f [IF]) bei hohen Strömen Sehr hoher Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit SFH 415: Gehäusegleich mit SFH 300, SFH 203
a liquid phase epitaxy process Good linearity (Ie = f [IF]) at high currents High efficiency High reliability High pulse handling capability SFH 415: Same package as SFH 300, SFH 203
Anwendungen q IR-Fernsteuerung von Fernseh- und Rundfunkgeräten, Videorecordern, Lichtdimmern q Gerätefernsteuerungen
Applications q IR remote control of hi-fi and TV-sets, video tape recorders, dimmers q Remote control of various equipment
Semiconductor Group
1
1999-02-04
fexf6626
0.4 0.6
SFH 415 SFH 416
Typ Type SFH 415 SFH 415-T SFH 415-U SFH 416-R
Bestellnummer Ordering Code Q62702-P296 Q62702-P1136 Q62702-P1137 Q62702-P1139
Gehäuse Package 5-mm-LED-Gehäuse (T 13/4), schwarz eingefärbt, Anschluß im 2.54-mm-Raster (1/10''), Kathodenkennzeichnung: kürzerer Anschluß 5 mm LED package (T 13/4), black-colored epoxy resin lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10''), cathode marking: short lead
Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Sperrspannung Reverse voltage Durchlaßstrom Forward current Stoßstrom, tp = 10 µs, D = 0 Surge current Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance Symbol Symbol Wert Value 40 ... + 100 100 5 100 3 165 450 Einheit Unit °C °C V mA A mW K/W
Top; Tstg Tj VR IF IFSM Ptot RthJA
Semiconductor Group
2
1999-02-04
SFH 415 SFH 416
Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 100 mA, tp = 20 ms Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax Spectral bandwidth at 50 % of Imax IF = 100 m A Abstrahlwinkel Half angle SFH 415 SFH 416 Aktive Chipfläche Active chip area Abmessungen der aktive Chipfläche Dimension of the active chip area Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel Distance chip front to lens top SFH 415 SFH 416 Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Switching times, Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to 10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Kapazität Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Durchlaßspannung Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 µs Sperrstrom Reverse current VR = 5 V Gesamtstrahlungsfluß Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms Symbol Symbol peak Wert Value 950 Einheit Unit nm
55
nm
± 17 ± 28 0.09 0.3 × 0.3
Grad deg. mm2 mm
A L×B L×W
H H tr, tf
4.2 ... 4.8 3.4 ... 4.0 0.5
mm mm µs
Co
25
pF
VF VF IR
1.3 ( 1.5) 2.3 ( 2.8) 0.01 ( 1)
V V µA
e
22
mW
Semiconductor Group
3
1999-02-04
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