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Details, datasheet, quote on part number:Q62702-P1602
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Datasheet text preview:
Silizium-PIN-Fotodiode NEU: in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode NEW: in SMT and as Reverse Gullwing
5.4 4.9 4.5 4.3
BPW 34 BPW 34 S BPW 34 S (E9087)
feo06643
0.6 0.4
1.2 0.7
0.8 0.6
Cathode marking 4.0 3.7
Chip position
0.6 0.4 0.8 0.6
0.5 0.3
0.35 0.2
0.6 0.4
0 ... 5° 5.08 mm spacing Photosensitive area 2.65 mm x 2.65 mm
GEO06643
3.5 3.0
0.6 0.4 2.2 1.9
BPW 34
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm q Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) q DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte q BPW 34 S/(E9087): geeignet für Vapor-Phase Löten und IR-Reflow Löten (JEDEC level 4) Anwendungen q Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb q IR-Fernsteuerungen q Industrieelektronik q "Messen/Steuern/Regeln"
1.8 1.4
Approx. weight 0.1 g
Features q Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm q Short switching time (typ. 20 ns) q DIL plastic package with high packing density q BPW 34 S/(E9087): suitable for vapor-phase and IR-reflow soldering (JEDEC level 4) Applications q Photointerrupters q IR remote controls q Industrial electronics q For control and drive circuits
Semiconductor Group
1
1998-08-27
BPW 34, BPW 34 S BPW 34 S (E9087)
Chip position
0...0.1 1.2 1.1 0.3
1.1 0.9
0.2 0.1
6.7 6.2 4.5 4.3 1.8 ±0.2
0.9 0.7
4.0 3.7
1.7 1.5
0...5
°
BPW 34 S
Photosensitive area 2.65 mm x 2.65 mm Cathode lead
GEO06863
Chip position
0...0.1 1.2 1.1 0.3
1.1 0.9
0.2 0.1
6.7 6.2 4.5 4.3 1.8 ±0.2
0.9 0.7
1.7 1.5
0...5
°
GEO06916
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Typ Type BPW 34 BPW 34 S BPW 34 S (E9087)
Bestellnummer Ordering Code Q62702-P73 Q62702-P1602 Q62702-P1790
Semiconductor Group
2
1998-08-27
BPW34S
Photosensitive area 2.65 mm x 2.65 mm
Cathode lead
4.0 3.7
BPW 34 S (E9087)
feo06862
BPW 34, BPW 34 S BPW 34 S (E9087)
Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Symbol Symbol Wert Value 40 ... + 85 32 150 Einheit Unit °C V mW
Top; Tstg VR Ptot
Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K) Bezeichnung Description Fotoempfindlichkeit, VR = 5 V Spectral sensitivity Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit Symbol Symbol Wert Value 80 ( 50) 850 400 ... 1100 Einheit Unit nA/Ix nm nm
S
S max
S = 10 % von Smax
Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche Dimensions of radiant sensitive area Halbwinkel Half angle Dunkelstrom, VR = 10 V Dark current Spektrale Fotoempfindlichkeit, = 850 nm Spectral sensitivity Quantenausbeute, = 850 nm Quantum yield Leerlaufspannung, Ev = 1000 Ix Open-circuit voltage
A L×B L×W
7.00 2.65 × 2.65
mm2 mm × mm
± 60 2 ( 30) 0.62 0.90 365 ( 300)
Grad deg. nA A/W Electrons Photon mV
IR S
VO
Semiconductor Group
3
1998-08-27
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