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Details, datasheet, quote on part number:Q62702-P1671
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Datasheet text preview:
Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 213 SFH 213 FA
SFH 213
SFH 213 FA
Wesentliche Merkmale · Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm (SFH 213) und bei 880 nm (SFH 213 FA) · Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns) · 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse · Auch gegurtet lieferbar Anwendungen · Industrieelektronik · ,,Messen/Steuern/Regeln" · Schnelle Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb · LWL Typ Type SFH 213 SFH 213 FA Bestellnummer Ordering Code Q62702-P930 Q62702-P1671
Features · Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm (SFH 213) and of 880 nm (SFH 213 FA) · Short switching time (typ. 5 ns) · 5 mm LED plastic package · Also available on tape and reel Applications · Industrial electronics · For control and drive circuits · Photointerrupters · Fiber optic transmission systems
2000-01-01
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OPTO SEMICONDUCTORS
SFH 213, SFH 213 FA
Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Symbol Symbol Wert Value 40 ... + 100 300 Einheit Unit °C °C
Top; Tstg
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom Gehäuse TS entfernt bei Lötzeit t 3 s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t 3 s) Sperrspannung Reverse voltage Verlustleistung Total power dissipation Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Parameter Fotostrom Photocurrent VR = 5 V, Normlicht/standard light A, T = 2856 K, EV = 1000 lx VR = 5 V, = 870 nm, Ee = 1 mW/cm2 Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche Dimensions of radiant sensitive area Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface Halbwinkel Half angle Symbol Symbol
VR Ptot
50 100
V mW
Wert Value SFH 213 SFH 213 FA
Einheit Unit
IP IP
S max
135 ( 100) 850 90 ( 65) 900
µA µA nm nm
400 ...1100 750 ... 1100
A L×B L×W H
1 1×1 5.1 ... 5.7 ± 10
1 1×1 5.1 ... 5.7 ± 10
mm2 mm × mm mm Grad deg.
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OPTO SEMICONDUCTORS
SFH 213, SFH 213 FA
Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics (cont'd) Bezeichnung Parameter Dunkelstrom, VR = 20 V Dark current Spektrale Fotoempfindlichkeit, = 870 nm Spectral sensitivity Quantenausbeute, = 870 nm Quantum yield Leerlaufspannung Open-circuit voltage Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, T = 2856 K Ee = 0.5 mW/cm2, = 870 nm Kurzschlußstrom Short-circuit current Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, T = 2856 K Ee = 0.5 mW/cm2, = 870 nm Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes Rise and fall time of the photocurrent RL = 50 ; VR = 20 V; = 850 nm; Ip = 800 µA Durchlaßspannung, IF = 80 mA, E = 0 Forward voltage Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance Temperaturkoeffizient von VO Temperature coefficient of VO Temperaturkoeffizient von ISC Temperature coefficient of ISC Normlicht/standard light A = 870 nm Rauschäquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power VR = 10 V, = 870 nm Nachweisgrenze, VR = 20 V, = 870 nm Detection limit Symbol Symbol SFH 213 Wert Value SFH 213 FA 1 ( 5) 0.59 0.86 nA A/W Electrons Photon 1 ( 5) 0.62 0.89 Einheit Unit
IR S
VO VO
430 ( 350) 380 ( 300)
mV mV
ISC ISC tr, tf
125 5
42 5
µA µA ns
VF C0 TCV TCI
1.3 11 2.6
1.3 11 2.6
V pF mV/K %/K
0.18
0.2 2.9 × 10 14 W ----------Hz cm × Hz ------------------------W
NEP
2.9 × 10 14
D*
3.5 × 1012
3.5 × 1012
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OPTO SEMICONDUCTORS
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