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Details, datasheet, quote on part number:Q62702-P1751
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Datasheet text preview:
. eu: NPN-Silizium-Fototransistor N New: Silicon NPN Phototransistor
SFH 313 SFH 313 FA
Area not flat 0.6 0.4 9.0 8.2 7.8 7.5
2.54 mm spacing
0.8 0.4
5.9 5.5
ø5.1 ø4.8
1.8 1.2
29 27
5.7 5.1 Chip position
0.6 0.4
Cathode (Diode) Collector (Transistor)
GEX06260
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm (SFH 313) und bei 880 nm (SFH 313 FA) q Hohe Linearität q 5 mm-Plastikbauform Anwendungen
q Computer-Blitzlichtgeräte q Lichtschranken für Gleich- und
Features q Especially suitable for applications from 460 nm to 1080 nm (SFH 313) and of 880 nm (SFH 313 FA) q High linearity q 5 mm plastic package Applications
q q q q
Wechsellichtbetrieb
q Industrieelektronik q "Messen/Steuern/Regeln"
Computer-controlled flashes Photointerrupters Industrial electronics For control and drive circuits
Semiconductor Group
1
1999-02-04
fexf6626
fex06626
SFH 313 SFH 313 FA
Typ Type SFH 313 SFH 313-2 SFH 313-3 SFH 313 FA SFH 313 FA-2 SFH 313 FA-3
Bestellnummer Ordering Code Q62702-P1667 Q62702-P1751 Q62702-P1752 Q62702-P1674 Q62702-P1753 Q62702-P1754
Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t 5 s Dip soldering temperature 2 mm distance from case bottom, soldering time t 5 s Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t 3 s Iron soldering temperature 2 mm distance from case bottom t 3 s Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage Kollektorstrom Collector current Kollektorspitzenstrom, < 10 µs Collector surge current Emitter-Kollektorspannung Emitter-collector voltage Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance Symbol Symbol Wert Value 40 ... + 100 260 Einheit Unit °C °C
Top; Tstg TS
TS
300
°C
VCE IC ICS VEC Ptot RthJA
70 50 100 7 200 375
V mA mA V mW K/W
Semiconductor Group
2
1999-02-04
SFH 313 SFH 313 FA
Kennwerte (TA = 25 °C, = 950 nm) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
Symbol Symbol SFH 313 S max 850
Wert Value SFH 313 FA 870
Einheit Unit nm
460 ... 1080 740 ... 1080 nm
S = 10 % von Smax
Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area Abmessung der Chipfläche Dimensions of chip area Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface Halbwinkel Half angle Kapazität, VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance Dunkelstrom Dark current VCE = 10 V, E = 0 Fotostrom Photocurrent Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, VCE = 5 V
A L×B L×W H
0.55 1×1 5.1 ... 5.7
0.55 1×1 5.1 ... 5.7
mm2 mm × mm mm
± 10 15 10 ( 200)
± 10 15 10 ( 200)
Grad deg. pF nA
CCE ICEO
IPCE IPCE
2.5 30
2.5
mA mA
Semiconductor Group
3
1999-02-04
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