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Details, datasheet, quote on part number:Q62702-P178
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Datasheet text preview:
SFH 309 SFH 309 FA
NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor
SFH 309 SFH 309 FA
2.54 mm spacing
Area not flat 5.2 4.5 4.1 3.9
0.8 0.4
0.6 0.4 4.0 3.6
0.7 0.4
Collector (Transistor) Cathode (Diode)
1.8 (3.5) 1.2 29 6.3 27 5.9
ø3.1 ø2.9
Chip position
GEO06653
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
Wesentliche Merkmale
q Speziell geeignet für Anwendungen im
Features
q Especially suitable for applications from
Bereich von 380 nm bis 1180 nm (SFH 309) und bei 880 nm (SFH 309 FA) q Hohe Linearität q 3 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse q Gruppiert lieferbar Anwendungen q Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb q Industrieelektronik q "Messen/Steuern/Regeln"
380 nm to 1180 nm (SFH 309) and of 880 nm (SFH 309 FA) q High linearity q 3 mm LED plastic package q Available in groups Applications q Photointerrupters q Industrial electronics q For control and drive circuits
Semiconductor Group
1
1999-02-04
feof6653
feo06653
SFH 309 SFH 309 FA
Typ Type SFH 309 SFH 309-3 SFH 309-4 SFH 309-5 SFH 309-61)
1) 1)
Bestellnummer Ordering Code Q62702-P859 Q62702-P997 Q62702-P998 Q62702-P999 Q62702-P1000
Typ (*vorher) Type (*formerly) SFH 309 FA (*SFH 309 F) SFH 309 FA-2 (*SFH 309 F-2) SFH 309 FA-3 (*SFH 309 F-3) SFH 309 FA-4 (*SFH 309 F-4) SFH 309 FA-5 (*SFH 309 F-51))
Bestellnummer Ordering Codes Q62702-P941 Q62702-P174 Q62702-P176 Q62702-P178 Q62702-P180
Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden. Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor. Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield. In this case we will reserve us the right of delivering a substitute group.
Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t 5 s Dip soldering temperature 2 mm distance from case bottom, soldering time t 5 s Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t 3 s Iron soldering temperature 2 mm distance from case bottom, soldering time t 3 s Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage Kollektorstrom Collector current Kollektorspitzenstrom, < 10 µs Collector surge current Symbol Symbol Wert Value 40 ... + 100 260 Einheit Unit °C °C
Top; Tstg TS
TS
300
°C
VCE IC ICS
35 15 75
V mA mA
Semiconductor Group
2
1999-02-04
SFH 309 SFH 309 FA
Grenzwerte Maximum Ratings (cont'd) Bezeichnung Description Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance Kennwerte (TA = 25 °C, = 950 nm) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax Symbol Symbol SFH 309 S max 860 Wert Value SFH 309 FA 900 nm Einheit Unit Symbol Symbol Wert Value 165 450 Einheit Unit mW K/W
Ptot RthJA
380 ... 1150 730 ... 1120 nm
Bestrahlungsempfindliche Fläche ( 240 µm) A Radiant sensitive area Abmessung der Chipfläche Dimensions of chip area Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface Halbwinkel Half angle Kapazität, VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance Dunkelstrom Dark current VCE = 25 V, E = 0
0.2 0.45 × 0.45 2.4 ... 2.8
0.2 0.45 × 0.45 2.4 ... 2.8
mm2 mm × mm mm
L×B L×W H
± 12 5.0 1 ( 200)
± 12 5.0 1 ( 200)
Grad deg. pF nA
CCE ICEO
Semiconductor Group
3
1999-02-04
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