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Part: Q62702-P85S3
Category:
Discrete
-> Transistors
Description: Phototransistor
Company:
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Datasheet text preview:
. PN-Silizium-Fototransistor N Silicon NPN Phototransistor
SFH 300 SFH 300 FA
Area not flat Emitter
2.54mm spacing 1.0 0.7 0.6 0.4
5.9 5.5
ø5.1
1.8 1.2 Collector 25.2 24.2
1.3 1.0
7.8 7.5 9.0 8.2
0.6 0.4
GEO06652
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q Speziell geeignet für Anwendungen im
Features
q Especially suitable for applications from
Bereich von 420 nm bis 1130 nm (SFH 300) und bei 880 nm (SFH 300 FA) q Hohe Linearität q 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse q Gruppiert lieferbar Anwendungen q Computer-Blitzlichtgeräte q Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb q Industrieelektronik q "Messen/Steuern/Regeln"
420 nm to 1130 nm (SFH 300) and of 880 nm (SFH 300 FA) q High linearity q 5 mm LED plastic package q Available in groups Applications q Computer-controlled flashes q Photointerrupters q Industrial electronics q For control and drive circuits
Semiconductor Group
1
1999-02-04
feof6652
feo06652
11.6 11.2 4.5 4.2
Chip position
SFH 300 SFH 300 FA
Typ (*vorher) Type (*formerly) SFH 300 (*BP 103 B) SFH 300-2 (*BP 103 B-2) SFH 300-3 (*BP 103 B-3) SFH 300-41) (*BP 103 B-4)
1) 1)
Bestellnummer Ordering Code Q62702-P1189 Q62702-P85-S2 Q62702-P85-S3 Q62702-P85-S4
Typ (*vorher) Type (*formerly) SFH 300 FA (*BP 103 BF) SFH 300 FA-2 (*BP 103 BF-2) SFH 300 FA-3 (*BP 103 BF-3) SFH 300 FA-4 (*BP 103 BF-4)
Bestellnummer Ordering Code Q62702-P1193 Q62702-P1192 Q62702-P1057 Q62702-P1058
Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden. Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor. Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield. In this case we will reserve us the right of delivering a substitute group.
Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t 5 s Dip soldering temperature 2 mm distance from case bottom, soldering time t 5 s Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t 3 s Iron soldering temperature 2 mm distance from case bottom t 3 s Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage Kollektorstrom Collector current Kollektorspitzenstrom, < 10 µs Collector surge current Emitter-Kollektorspannung Emitter-collector voltage Symbol Symbol Wert Value 40 ... + 100 260 Einheit Unit °C °C
Top; Tstg TS
TS
300
°C
VCE IC ICS VEC
35 50 100 7
V mA mA V
Semiconductor Group
2
1999-02-04
SFH 300 SFH 300 FA
Grenzwerte Maximum Ratings (cont'd) Bezeichnung Description Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance Symbol Symbol Wert Value 200 375 Einheit Unit mW K/W
Ptot RthJA
Kennwerte (TA = 25 °C, = 950 nm) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area Abmessung der Chipfläche Dimensions of chip area Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface Halbwinkel Half angle Kapazität, VEC = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance Dunkelstrom Dark current VCE = 35 V, E = 0 Symbol Symbol SFH 300 S max 850 Wert Value SFH 300 FA 870 nm Einheit Unit
420 ... 1130 730 ... 1120 nm
A L×B L×W H
0.12 0.5 × 0.5 4.1 ... 4.7
0.12 0.5 × 0.5 4.1 ... 4.7
mm2 mm × mm mm
± 25 6.5 5 ( 100)
± 25 6.5 5 ( 100)
Grad deg. pF nA
CCE ICEO
Semiconductor Group
3
1999-02-04
Others parts begin by q6
Q6-1 Q6-2 Q6-3
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