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Details, datasheet, quote on part number:Q62702-P929
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Datasheet text preview:
Si-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter; in SMT and as Reverse Gullwing BPW 34 FA, BPW 34 FAS, BPW 34 FAS (E9087)
BPW 34 FA
BPW 34 FAS
BPW 34 FAS (E9087)
Wesentliche Merkmale · Speziell geeignet für den Wellenlängenbereich von 830 nm bis 880 nm · Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) · DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte · BPW 34 FAS/(E9087): geeignet für Vapor-Phase Löten und IR-Reflow Löten Anwendungen · IR-Fernsteuerung von Fernseh- und Rundfunkgeräten, Videorecordern, Gerätefernsteuerung · Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb Typ Type BPW 34 FA BPW 34 FAS BPW 34 FAS (E9087) Bestellnummer Ordering Code Q62702-P1129 Q62702-P463 Q62702-P1829
Features · Especially suitable for the wavelength range of 830 nm to 880 nm · Short switching time (typ. 20 ns) · DIL plastic package with high packing density · BPW 34 FAS/(E9087): Suitable for vapor-phase and IR-reflow soldering Applications · IR-remote control of hi-fi and TV sets, video tape recorders, remote controls of various equipment · Photointerrupters
2000-01-01
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OPTO SEMICONDUCTORS
BPW 34 FA, BPW 34 FAS, BPW 34 FAS (E9087)
Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Kennwerte (TA = 25 °C, = 870 nm) Characteristics Bezeichnung Parameter Fotostrom Photocurrent VR = 5 V, Ee = 1 mW/cm2 Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10% von Smax Spectral range of sensitivity S = 10% of Smax Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche Dimensions of radiant sensitive area Halbwinkel Half angle Dunkelstrom, VR = 10 V Dark current Spektrale Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity Quantenausbeute Quantum yield Leerlaufspannung, Ee = 0.5 mW/cm2 Open-circuit voltage
2000-01-01
Symbol Symbol
Wert Value 40 ... + 100 32 150
Einheit Unit °C V mW
Top; Tstg VR Ptot
Symbol Symbol
Wert Value 50 ( 40)
Einheit Unit µA
Ip
S max
880 730 ... 1100
nm nm
A L×B L×W
7.00 2.65 × 2.65
mm2 mm × mm
± 60 2 ( 30) 0.65 0.93 320 ( 250)
Grad deg. nA A/W Electrons Photon mV
IR S
VO
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OPTO SEMICONDUCTORS
BPW 34 FA, BPW 34 FAS, BPW 34 FAS (E9087)
Kennwerte (TA = 25 °C, = 870 nm) Characteristics (cont'd) Bezeichnung Parameter Kurzschlußstrom, Ee = 0.5 mW/cm2 Short-circuit current Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes Rise and fall time of the photocurrent RL = 50 ; VR = 5 V; = 850 nm; Ip = 800 µA Durchlaßspannung, IF = 100 mA, E = 0 Forward voltage Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance Temperaturkoeffizient von VO Temperature coefficient of VO Temperaturkoeffizient von ISC Temperature coefficient of ISC Rauschäquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power VR = 10 V Nachweisgrenze, VR = 10 V, Detection limit Symbol Symbol Wert Value 23 20 Einheit Unit µA ns
ISC tr, tf
VF C0 TCV TCI NEP
1.3 72 2.6 0.03 3.9 × 10 14
V pF mV/K %/K W ----------Hz cm × Hz ------------------------W
D*
6.8 × 1012
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OPTO SEMICONDUCTORS
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