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Details, datasheet, quote on part number:Q62702-P945
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Datasheet text preview:
Silizium-PIN-Fotodiode mit erhöhter Blauempfindlichkeit Silicon PIN Photodiode with Enhanced Blue Sensitivity
BPW 34 B
0.6 0.4
1.2 0.7
0.8 0.6
Cathode marking 4.0 3.7
5.4 4.9 4.5 4.3
Chip position
0.6 0.4 0.8 0.6
0.5 0.3
0.35 0.2
0.6 0.4
0 ... 5° 5.08 mm spacing Photosensitive area 2.65 mm x 2.65 mm
GEO06643
1.8 1.4
3.5 3.0
0.6 0.4 2.2 1.9
Approx. weight 0.1 g
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
Wesentliche Merkmale
q Speziell geeignet für Anwendungen im
Features
q Especially suitable for applications from
Bereich von 350 nm bis 1100 nm q Kurze Schaltzeit (typ. 25 ns) q DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte q SMT-Variante auf Anfrage Anwendungen
q Lichtschranken für Gleich- und
350 nm to 1100 nm q Short switching time (typ. 25 ns) q DIL plastic package with high packing density q SMT version on request Applications
q Photointerrupters q Industrial electronics q For control and drive circuits
Wechsellichtbetrieb im sichtbaren Lichtbereich q Industrieelektronik q "Messen/Steuern/Regeln"
Typ Type BPW 34 B
Bestellnummer Ordering Code Q62702-P945
Semiconductor Group
1
1997-11-19
feo06643
BPW 34 B
Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom Gehäuse entfernt bei Lötzeit t 3 s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t 3 s) Sperrspannung Reverse voltage Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Symbol Symbol Wert Value 40 ... + 85 230 Einheit Unit °C °C
Top; Tstg TS
VR Ptot
32 150
V mW
Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K) Bezeichnung Description Fotoempfindlichkeit, VR = 5 V Spectral sensitivity Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit Symbol Symbol Wert Value 75 850 350 ... 1100 Einheit Unit nA/Ix nm nm
S
S max
S = 10 % von Smax
Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche Dimensions of radiant sensitive area Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface Halbwinkel Half angle Dunkelstrom, VR = 10 V Dark current
A L×B L×W H
7.45 2.73 × 2.73
mm2 mm × mm
0.5
mm
± 60 2 ( 30)
Grad deg. nA
IR
Semiconductor Group
2
1997-11-19
BPW 34 B
Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K) (cont'd) Bezeichnung Description Spektrale Fotoempfindlichkeit, = 400 nm Spectral sensitivity Quantenausbeute, = 400 nm Quantum yield Leerlaufspannung, Ev = 1000 Ix Open-circuit voltage Kurzschlußstrom Short-circuit current Ee = 0.5 mW/cm2, = 400 nm Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes Rise and fall time of the photocurrent RL = 50 ; VR = 5 V; = 850 nm; Ip = 800 µA Durchlaßspannung, IF = 100 mA, E = 0 Forward voltage Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance Temperaturkoeffizient von VO Temperature coefficient of VO Temperaturkoeffizient von ISC Temperature coefficient of ISC Rauschäquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power VR = 10 V, = 400 nm Nachweisgrenze, VR = 10 V, = 400 nm Detection limit Symbol Symbol Wert Value 0.2 0.62 390 7.4 ( 5.4) Einheit Unit A/W Electrons Photon mV µA
S
VO ISC
tr, tf
25
ns
VF C0 TCV TCI NEP
1.3 72 2.6 0.18 1.3 × 10 13
V pF mV/K %/K W Hz cm · Hz W
D*
2.1 × 1012
Semiconductor Group
3
1997-11-19
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