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Part: Q62702-P947
Category:
Discrete
-> Diodes & Rectifiers
Description: Photodiode IR Filtered
Company:
Datasheet: Download Q62702-P947 datasheet File size : 121 kB
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Datasheet text preview:
Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time
SFH 203 P SFH 203 PFA
Area not flat
0.8 0.4
2.54 mm spacing
0.6 0.4
1.0 0.5
ø5.1 ø4.8
5.9 5.5
1.8 1.2 29 27 Cathode
3.85 3.35 5.0 4.2
Chip position
0.6 0.4
GEO06648
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q Speziell geeignet für Anwendungen im Be-
Features
q Especially suitable for applications from
reich von 400 nm bis 1100 nm (SFH 203 P) und bei 880 nm (SFH 203 PFA) q Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns) q 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse Anwendungen
q Industrieelektronik q "Messen/Steuern/Regeln" q Schnelle Lichtschranken für Gleich- und
400 nm to 1100 nm (SFH 203 P) and of 880 nm (SFH 203 PFA) q Short switching time (typ. 5 ns) q 5 mm LED plastic package Applications
q q q q
Wechsellichtbetrieb
q LWL
Industrial electronics For control and drive circuits Photointerrupters Fiber optic transmission systems
Typ (*vorher) Type (*formerly) SFH 203 P (*SFH 217) SFH 203 PFA (*SFH 217 F)
Bestellnummer Ordering Code Q62702-P946 Q62702-P947
Semiconductor Group
1
1999-02-04
feof6644
feo06644
SFH 203 P SFH 203 PFA
Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom Gehäuse entfernt bei Lötzeit t 3 s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t 3 s) Sperrspannung Reverse voltage Verlustleistung Total power dissipation Symbol Symbol Wert Value 40 ... + 100 300 Einheit Unit °C °C
Top; Tstg TS
VR Ptot
50 100
V mW
Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity VR = 5 V, Normlicht/standard light A, T = 2856 K VR = 5 V, = 950 nm, Ee = 1 mW/cm2 Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit Symbol Symbol Wert Value SFH 203 P SFH 203 PFA Einheit Unit
S S
S max
9.5 ( 5) 850
6.2 ( 3.6) 900
nA/Ix µA nm nm
400 ... 1100 750 ... 1100
S = 10 % von Smax
Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche Dimensions of radiant sensitive area Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface
A L×B L×W H
1 1×1
1 1×1
mm2 mm × mm
0.4 ... 0.7
0.4 ... 0.7
mm
Semiconductor Group
2
1999-02-04
SFH 203 P SFH 203 PFA
Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics (cont'd) Bezeichnung Description Halbwinkel Half angle Dunkelstrom, VR = 20 V Dark current Spektrale Fotoempfindlichkeit, = 850 nm Spectral sensitivity Quantenausbeute, = 850 nm Quantum yield Leerlaufspannung Open-circuit voltage Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, T = 2856 K Ee = 0.5 mW/cm2, = 950 nm Kurzschlußstrom Short-circuit current Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, T = 2856 K Ee = 0.5 mW/cm2, = 950 nm Symbol Symbol ± 75 1 ( 10) 0.62 0.89 Wert Value SFH 203 P SFH 203 PFA ± 75 1 ( 10) 0.59 0.86 Grad deg. nA A/W Electrons Photon Einheit Unit
IR S
VO VO
350 ( 300)
300 ( 250)
mV mV
ISC ISC
9.3 5
3.0 5
µA µA ns
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes tr, tf Rise and fall time of the photocurrent RL = 50 ; VR = 20 V; = 850 nm; Ip = 800 µA Durchlaßspannung, IF = 80 mA, E = 0 Forward voltage Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance Temperaturkoeffizient von VO Temperature coefficient of VO Temperaturkoeffizient von ISC Temperature coefficient of ISC Normlicht/standard light A = 950 nm Rauschäquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power VR = 20 V, = 850 nm Nachweisgrenze, VR = 20 V, = 850 nm Detection limit
VF C0 TCV TCI
1.3 11 2.6
1.3 11 2.6
V pF mV/K %/K
0.18
0.2 2.9 × 10 14 W Hz cm · Hz W
NEP
2.9 × 10 14
D*
3.5 × 1012
3.5 × 1012
Semiconductor Group
3
1999-02-04
Others parts begin by q6
Q6-1 Q6-2 Q6-3
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