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Part: 25DN06
Category:
Discrete
-> Thyristors
-> SCR (Silicon Controlled Rectifiers)
-> SCR / Diode Presspacks
Description:
Company: Eupec GmbH & Co KG
Datasheet: Download 25DN06 datasheet File size : 257 kB
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Technische Information / Technical Information
Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode
25 DN 06
N
Vorläufige Daten Preliminary data
VR R M VR S M IFRMSM 600 650 1800 1145 15,00 12,75 1.125 813 V V A A kA kA A²s*103 A²s*103
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS forward current Dauergrenzstrom mean forward current Stoßstrom-Grenzwert surge forward current Grenzlastintegral I²t-value Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung forward voltage Schleusenspannung threshold voltage Ersatzwiderstand forward slope resistance Sperrstrom reverse current
T vj = Tvj max, iF = 2 kA T vj = Tvj max, iF = 0,5 kA T vj = Tvj max T K = 155 °C T vj = - 25°C...Tvj max
T vj = + 25°C...Tvj max
IFAVM IFSM I²t
T vj = 25°C, tp = 10ms T vj = Tvj max, tp = 10ms T vj = 25°C, tp = 10ms T vj = Tvj max, tp = 10ms
vF vF V( T O ) rT iR
max. max.
1,08 0,8 0,7 0,188
V V V m
T vj = Tvj max
T vj = Tvj max, vR = VRRM
max.
20
mA
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided, = 180°sin beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, = 180°sin Anode / anode, DC Kathode / cathode, = 180°sin Kathode / cathode, DC
RthJC max. 0,01740 max. 0,01400 max. max. max. max. RthCK max. T vj max T c op T stg 0,0100 180 - 40...+180 - 40...+180 °C/W °C °C °C °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemperatur max. junction temperature Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature
Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided
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Technische Information / Technical Information
Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode
25 DN 06
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Vorläufige Daten Preliminary data
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Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Si-Elemente mit Druckkontakt Si-pellets with pressure contact Anpreßkraft clamping force Gewicht weight Kriechstrecke creepage distance Schwingfestigkeit vibration resistance
f = 50Hz
F G
4...8
kN g mm
typ.
14,2
50
m/s²
Hinweis :
Wir empfehlen die Diode mit einem temperaturbeständigen O-Ring zu schützen.
Notice:
We recommend to protect the diode with a temperture resistant O-Rin g.
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. SZ-AM / 00-01-20 K.-A.Rüther A01/00 Seite/page 2
Technische Information / Technical Information
Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode
25 DN 06
N
22
3,65
25
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Z. Nr.: 1
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Technische Information / Technical Information
Netz Gleichrichterdiode Rectifier DiodeThyristor
25 DN 06
N
Kühlung cooling
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC Analytical ementes of transient thermal impedance ZthJC for DC Pos.n 1
0,011676 0,021219
2
0,001956 0,002481
3
0,00028 0,000267
4
0,000087 0,000009
5
6
7
beidseitig two-sided anodenseitig anode-sided kathodenseitig cathode-sided
Rthn [°C/W]
n [s]
Rthn [°C/W]
n [s]
Rthn [°C/W]
n [s] =
n max n=1
Analytische Funktion / analytical function : ZthJC =
Rthn ( 1 - EXP ( - t / n ))
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Technische Information / Technical Information
Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode
25 DN 06
N
5.000
4.000
3.000
iT [A]
2.000 1.000 0 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8
vT [V]
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting 0n-state characteristic iF=f(vT) Tvj = Tvj max
SZ-AM / 00-01-20 K.-A.Rüther
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Z. Nr.: 2
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