Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS forward current Dauergrenzstrom mean forward current Stoßstrom-Grenzwert surge forward current Grenzlastintegral I²t-value
Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung forward voltage Schleusenspannung threshold voltage Ersatzwiderstand forward slope resistance Sperrstrom reverse current
Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided, = 180°sin beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, = 180°sin Anode / anode, DC Kathode / cathode, = 180°sin Kathode / cathode, DC
RthJC max. 0,00935 max. 0,00879 max. RthCK max. 0,0030 °C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur max. junction temperature Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature
Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Si-Elemente mit Druckkontakt Si-pellets with pressure contact Anpreßkraft clamping force Gewicht weight Kriechstrecke creepage distance Schwingfestigkeit vibration resistance
Wir empfehlen die Diode mit einem temperaturbeständigen O-Ring zu schützen.
We recommend to protect the diode with a temperture resistant O-Rin g.
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. SZ-AM / 99-09-24, K.-A.Rüther A118/99 Seite/page 2
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