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Details, datasheet, quote on part number:D1381S
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| Part: | D1381S |
| Category: | Discrete => Thyristors => SCR (Silicon Controlled Rectifiers) => SCR / Diode Presspacks |
| Description: | |
| Company: | Eupec GmbH & Co KG |
| Datasheet: | Download D1381S datasheet File size : 36 kB |
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Datasheet text preview:
Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode
D 1381 S 45 T
S
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung non-repetetive peak reverse voltage Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS forward current Dauergrenzstrom mean forward current Stoßstrom-Grenzwert surge forward current Grenzlastintegral 2 I t-value Period. Abklingsteilheit des Durchlaßstroms beim Ausschalten repetitive decay rate of on-state current at turn-of
iFM = 3000A, vR = 0,67 VRRM CS = 3µF, RS = 4 DS = D291S45T tC = 85°C, f = 50Hz tC = 70°C, f = 50Hz tvj = tvj max, tp = 10ms tvj = -40°C ... tvj max
VRRM VRSM IFRMSM IFAVM IFSM It (-diF/dt)com
2
4500 V 4600 V 2560 A 1380 A 1630 A 32 kA 5,12-10
6
tvj = +25°C ... tvj max
As
2
500 A/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values Gleichsperrspannung continuous direct reverse voltage Durchlaßspannung forward voltage Schleusenspannung threshold voltage Ersatzwiderstand forward slope resistance Durchlaßrechenkennlinie On-state characteristics for calculation
failure rate < 100 estimate value tvj = tvj max, iF = 2500A
VR(D) vF V(TO) rT
typ.
3000 V 2,6 V 1,4 V 0,48 m max. -1,712 0,000708 0,688 -0,0566 typ. 57 V 100 mA
max
tvj = tvj max
tvj = tvj max
tvj = tvj max
VF = A + B i F + C ln(i F + 1)+ D iF
tvj = tvj max, diF/dt = 500A/µs
A B C D VFRM iR IRM
max
Spitzenwert der Durchlaßverzögerungsspannung peak value of forward recovery voltage Sperrstrom reverse current Rückstromspitze peak reverse recovery current
tvj = tvj max, vR = VRRM
tvj = tvj max iFM = 1000A, -diF/dt = 250A/µs vR = 1000V, CS = 3µF, RS = 4 DS = D291S45T
700 A
Sperrverzögerungsladung recovered charge
tvj = tvj max iFM = 1000A, -diF/dt = 250A/µs vR = 1000V, CS = 3µF, RS = 4 DS = D291S45T
Qr
max
2800 µAs
SZ-M / 16 June 1997, M. Beuermann
Seite/page 1
Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode
D 1381 S 45 T
S
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, DC Kathode /cathode, DC Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided einseitig / single sided
RthJC
max max max
0,0125 °C/W 0,0228 °C/W 0,0277 °C/W 0,003 °C/W 0,006 °C/W 140 °C -40...+140 °C -40...+150 °C
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemperatur max. junction temperature Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature
RthCK
max max
tvj max tc op tstg
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Anpreßkraft clampig force Gewicht weight Kriechstrecke creepage distance Luftstrecke air distance Feuchteklasse humidity classification Schwingfestigkeit vibration resistance
DIN 40040
Seite 3 F G
typ
27...45 kN 850 g 30 mm 20 mm C 50 m/s
2
f = 50Hz
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
SZ-M / 16 June 1997, M. Beuermann
Seite/page 2
Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode
D 1381 S 45 T
S
Outline Drawing
100 max
A
26+-0.5
C 62,8
2 center holes 3.5 ×1.8
SZ-M / 16 June 1997, M. Beuermann
Seite/page 3
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