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Details, datasheet, quote on part number:D138S-900
 
 
Part:D138S-900
Category:Discrete => Diodes & Rectifiers => General Purpose Diodes
Description:
Company:Eupec GmbH & Co KG
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode

D 138 S 08...10
T vj = - 25°C...Tvj max

S

Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak forward reverse voltage Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS forward current Dauergrenzstrom mean forward current Stoßstrom-Grenzwert surge foward current Grenzlastintegral I²t-value
T C =85°C T C =82°C T vj = 25°C, tp = 10 ms T vj = Tvj max, tp = 10 ms T vj = 25°C, tp = 10ms T vj = Tvj max, tp = 10ms

VR R M

800 900 1000 900 1000 1100 230 138 146 1950 1600 19000 12800

V V V V V V A A A A A A²s A²s

T vj = + 25°C...Tvj max

VR S M

IFRMSM IFAVM IFSM I²t

Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung forward voltage Schleusenspannung threshold voltage Ersatzwiderstand forward slope resistance Spitzenwert der Durchlaßverzögerungsspannung peak value of forward recovery voltage Durchlaßverzögerungszeit forward recovery time Sperrstrom reverse current Rückstromspitze peak reverse recovery current Sperrverzögerungsladung recovered charge Sperrverzögerungszeit reverse recovered time Sanftheit Softness
T vj = Tvj max, iF = 450 A T vj = Tvj max T vj = Tvj max IEC 747-2 T vj = Tvj max diF/dt=100A/µs, vR=0V IEC 747-2, Methode / method II T vj = Tvj max, iFM=diF/dt*tfr diF/dt=100A/µs, vR=0V T vj = 25°C, vR=VRRM

vF V( T O ) rT VF R M

max.

2,4 1,32 2,2 9,5

V V m V
1)

tfr

max.

1,1

µs

1)

iR IRM

T vj = Tvj max, vR = VRRM DIN IEC 747-2, Tvj=Tvj max iFM =225A,-diF/dt=100A/µs vR=0,5 VRRM, vRM=0,8 VRRM DIN IEC 747-2, Tvj=Tvj max iFM =225 A,-diF/dt=100A/µs vR=0,5 VRRM, vRM=0,8 VRRM DIN IEC 747-2, Tvj=Tvj max iFM =225A,-diF/dt=100A/µs vR=0,5 VRRM, vRM=0,8 VRRM T vj = Tvj max iFM =225A,-diF/dt=100A/µs vR=0,5 VRRM, vRM=0,8 VRRM

max. max.

5 40 47

mA mA A
1)

Qr

32

µAs

1)

trr

1,1

µs

1)

SR

0,003

µs/A 2)

1) Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value) 2) Richtwert für untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value)

SZ-M / 30. April 1993 , R.Jöeke

A 13/ 93

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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode

D 138 S 08...10
Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided, =180°sin beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, =180°sin Anode / anode, DC Kathode / cathode, =180°sin Kathode / cathode, DC

S

Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand thermal resitance, junction to case RthJC max. max. max. max. max. max. RthCK max. max. T vj max T c op T stg 0,015 0,030 125 -40...+125 -40...+150 °C/W °C/W °C °C °C 0,141 0,133 0,224 0,216 0,344 0,336 °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W

Übergangs- Wärmewiderstand thermal resitance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemperatur max. junction temperature Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature

Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided einseitig / single-sided

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Anpreßkraft clamping force Gewicht weight Kriechstrecke creepage distance Feuchteklasse humidity classification Schwingfestigkeit vibration resistance
DIN 40040 f = 50Hz

Seite 3 page 3
Durchmesser/diameter 15mm

F G typ.

1,7...3,4 65 17 C 50

kN g mm

m/s²

Kühlkörper / heatsinks: K0,12F ; K0,17F ; K0,22F ; K0,36S ; K0,65S

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. SZ-M / 30. April 1993 , R. Jörke Seite/page 2

Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode

D 138 S 08...10

S

SZ-M / 30. April 1993 , R. Jöeke

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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode

D 138 S 08...10

S

Kühlung cooling

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC Analytical ementes of transient thermal impedance ZthJC for DC Pos.n 1 0,00694 0,000727 0,00755 0,000812 0,00784 0,000855 2 0,0131 0,00909 0,0246 0,0132 0,0277 0,0143 3 0,023 0,0281 0,0215 0,064 0,022 0,123
n max n=1

4 0,0335 0,134 0,0799 0,412 0,0947 0,473

5 0,0552 0,529 0,0683 1,88 0,115 2,17

6 0,0011 2,27 0,0141 10,8 0,0691 10

7

beidseitig two-sided anodenseitig anode-sided kathodenseitig cathode-sided

Rthn [°C/W]

n [s]
Rthn [°C/W]

n [s]
Rthn [°C/W]

n [s]

Analytische Funktion / analytical function : ZthJC =

=

Rthn ( 1 - EXP ( - t / n ))

SZ-M / 30. April 1993, R.Jörke

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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode

D 138 S 08...10

S

600

500

400

iF[A]

300

200

100

0 0,5 1 1,5 vF [V] Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting 0n-state characteristic iF=f(vF) Tvj = T vj max
SZ-M / 30. April 1993 , R. Jörke Seite/page 5

2

2,5

3