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Details, datasheet, quote on part number:D509S
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Datasheet text preview:
Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode
D 509 S 24...26
T vj = - 25°C...Tvj max T vj = + 25°C...Tvj max
S
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak forward reverse voltage Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS forward current Dauergrenzstrom mean forward current Stoßstrom-Grenzwert surge foward current
T C =100°C T C =74°C T C =107°C T vj = 25°C, tp = 10 ms T vj = Tvj max, tp = 10 ms T vj = 25°C, tp = 1 ms T vj = Tvj max, tp = 1 ms
VR R M VR S M IFRMSM IFAVM
2400 2600 2500 2700 1050 509 670 460 9000 7500 21500 17900 405000 281250 231125 160205
V V V V A A A A A A A A A²s A²s A²s A²s
IFSM
Grenzlastintegral
T vj = 25°C, tp = 10ms T vj = Tvj max, tp = 10ms T vj = 25°C, tp = 1ms
I²t
I²t-value
T vj = Tvj max, tp = 1ms
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung forward voltage Schleusenspannung threshold voltage Ersatzwiderstand forward slope resistance Typischer Wert der Durchlaßverzögerungsspannung typical value of forward recovery voltage Durchlaßverzögerungszeit forward recovery time Sperrstrom reverse current Rückstromspitze peak reverse recovery current Sperrverzögerungsladung recovered charge Sperrverzögerungszeit reverse recovered time
T vj = Tvj max, iF = 2000 A T vj = Tvj max T vj = Tvj max IEC 747-2 T vj = Tvj max diF/dt=50A/µs, vR=0V IEC 747-2, Methode / method II T vj = Tvj max, iFM=2000A diF/dt=50 A/µs, vR=0V T vj = 25°C, vR=VRRM
vF V( T O ) rT VF R M
max.
2,7 1 0,8
V V m V
1)
typ
21
tfr
typ
5,8
µs
1)
iR IRM
T vj = Tvj max, vR = VRRM DIN IEC 747-2, Tvj=Tvj max iFM =670A,-diF/dt=50A/µs vR=100V, vRM<=200 V DIN IEC 747-2, Tvj=Tvj max iFM =670 A,-diF/dt=50A/µs vR=100V, vRM<=200 V DIN IEC 747-2, Tvj=Tvj max iFM =670A,-diF/dt=50A/µs vR=100 V; vRM<=200V
max. max.
16 160 138
mA mA A
1)
Qr
760
µAs
1)
trr
7,3
µs
1)
Sanftheit Softness
T vj = Tvj max iFM =A,-diF/dt=A/µs vR<=0,5 VRRM, vRM=0,8 VRRM
SR
µs/A 2)
1) Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value) 2) Richtwert für untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value)
SZ-M / 26.02.87
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode
D 509 S 24...26
Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided, =180°sin beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, =180°sin Anode / anode, DC Kathode / cathode, =180°sin Kathode / cathode, DC
S
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand thermal resitance, junction to case RthJC max. max. max. max. max. max. RthCK max. max. T vj max T c op T stg 0,005 0,010 150 -40...+150 -40...+150 °C/W °C/W °C °C °C 0,049 0,045 0,086 0,082 0,104 0,100 °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W
Übergangs- Wärmewiderstand thermal resitance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemperatur max. junction temperature Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature
Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided einseitig / single-sided
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Anpreßkraft clamping force Gewicht weight Kriechstrecke creepage distance Feuchteklasse humidity classification Schwingfestigkeit vibration resistance
DIN 40040 f = 50Hz
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Durchmesser/diameter 30mm
F G typ.
6...14,5 270 28 C 5x9,81
kN g mm
m/s²
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. SZ-M / 26.02.87 Seite/page 2
Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode
D 509 S 24...26
S
SZ-M / 26.02.87
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode
D 509 S24...26
S
Kühlung cooling
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC Analytical ementes of transient thermal impedance ZthJC for DC Pos.n 1
0,00025 0,000298
2
0,00457 0,00243
3
0,00502 0,021
4
0,0166 0,113
5
0,0135 0,76 0,00506 2,16
6
7
beidseitig two-sided anodenseitig anode-sided kathodenseitig cathode-sided
Rthn [°C/W]
n [s]
Rthn [°C/W]
0,0002 0,000247
0,00474 0,00244
0,00707 0,0265
0,0203 0,177
0,00939 4,3
n [s]
Rthn [°C/W]
0,0403 7,7
0,00018 0,000232
0,00462 0,00236
0,00726 0,026
0,0193 0,172
0,0205 3,94
n [s]
0,04814 10,8
Analytische Funktion / analytical function : ZthJC =
=
n max n=1
Rthn ( 1 - EXP ( - t / n ))
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode
D 509 S 24...26
S
3.000
2.500
2.000
iF [A]
1.500
1.000
500
0 0,5 1 1,5 2 vF [V] 2,5 3 3,5 4
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting 0n-state characteristic iF=f(vF) Tvj = T vj max
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