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Details, datasheet, quote on part number:D56S
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Datasheet text preview:
European PowerSemiconductor and Electronics Company
Marketing Information D 56 S 40...45 D 56 U 40...45
15 5, 5
SW27
M12
Type Circuit symbol S U
Cathode Connection pin Case
Anode Case Connection pin
Ma 1-BE / 23 Jun 1993
Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert / RMS forward current Dauergrenzstrom / mean forward current Stoßstrom-Grenzwert surge forward current Grenzlastintegral I²t-value tvj = -10°C...tvj max tvj = +25°C...tvj max VRRM VRSM IFRMSM IFAVM IFSM I²t
D 56 S 40...45
tC = 85°C tC = 28°C tvj = 25°C, tp=10 ms tvj = tvj max, tp = 10 ms tvj = 25°C, tp=10 ms tvj = tvj max, tp = 10 ms
4000 4500 4100 4600 160 56 102 1550 1350 12000 9100
V V V V A A A A A A²s A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung / forward voltage Schleusenspannung / threshold voltage Ersatzwiderstand / forward slope resistance Spitzenwert der Durchlaßverzögerungsspannung peak value of forward recovery voltage Durchlaßverzögerungszeit forward recovery time Sperrstrom / reverse current Rückstromspitze / peak reverse recovery current tvj = tvj max, iF = 320 A tvj = tvj max tvj = tvj max IEC 747-2 tvj = tvj max diF/dt = 200 A/µs vR = 0V IEC 747-2, Methode / method II tvj=tvj max, iFM=diF/dt*tfr diF/dt = 200 A/µs vR = 0V tvj = tvj 25°C, vR = VRRM tvj = tvj max, vR = VRRM DIN IEC 747-2, tVj=tVj max iFM=150A, -diF/dt=200A/µs VR=0,5VRRM, vRM=0,8VRRM DIN IEC 747-2, tVj=tVj max iFM = 150A, -diF/dt = 200 A/µs VR=0,5VRRM, vRM=0,8VRRM DIN IEC 747-2, tVj=tVj max iFM = 150A, -diF/dt = 200 A/µs VR=0,5VRRM, vRM=0,8VRRM DIN IEC 747-2, tVj=tVj max iFM = 150A, -diF/dt = 200 A/µs VR=0,5VRRM, vRM=0,8VRRM VF V(TO) rT VFRM max. 4,5 1,64 8 200 V V m V 1)
tfr
4 µs
1)
iR IRM
max. 5 mA max. 50 mA 1) 230 A
Sperrverzögerungsladung recovered charge Sperrverzögerungszeit reverse recovered time Sanftheit Softness
Qr
1) 550 µAs
trr
1) 3,3 µs
SR
2) 0,004 µs/A
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Höchstzul. Sperrschichttemp./ max.junction temperat. Betriebstemperatur / operating temperature Lagertemperatur / storage temperature Kühlfläche / cooling surface Anode / anode, =180°sin Anode / anode, DC Kühlfläche / cooling surface einseitig / single-sided RthJC max. 0,260 °C/W max. 0,245 °C/W max. 0,04 °C/W 125 °C -40...+125 °C -40...+150 °C
RthCK tvj max tc op tstg
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Si-Elemente mit Druckkontakt / Si-pellets with pressure contact Anzugsdrehmoment / tightening torque Gewicht / weight Kriechstrecke / creepage distance Feuchteklasse / humidity classification Schwingfestigkeit / vibration resistance Kühlkörper / heatsink : K1, 1-M12-A ; K0,55-M12-A ; GK-M12-A Durchmesser/diameter 21mm M G DIN 40040 f = 50 Hz 20 typ. 110 21 C 50 Nm g mm m/s²
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
1) 2)
Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value) Richtwert für untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value)
MA 1-BE / 12 Jul 1993
Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert / RMS forward current Dauergrenzstrom / mean forward current Stoßstrom-Grenzwert surge forward current Grenzlastintegral I²t-value tvj = -10°C...tvj max tvj = +25°C...tvj max VRRM VRSM IFRMSM IFAVM IFSM I²t
D 56 U 40...45
tC = 73°C tC = 22°C tvj = 25°C, tp=10 ms tvj = tvj max ,tp = 10 ms tvj = 25°C, tp=10 ms tvj = tvj max ,tp = 10 ms
4000 4500 4100 4600 140 56 89 1350 1200 9100 7200
V V V V A A A A A A²s A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung / forward voltage Schleusenspannung / threshold voltage Ersatzwiderstand / forward slope resistance Spitzenwert der Durchlaßverzögerungsspannung peak value of forward recovery voltage Durchlaßverzögerungszeit forward recovery time Sperrstrom / reverse current Rückstromspitze / peak reverse recovery current tvj = tvj max, iF = 280 A tvj = tvj max tvj = tvj max IEC 747-2 tvj = tvj max diF/dt = 200 A/µs vR = 0V IEC 747-2, Methode / method II tvj=tvj max, iFM=diF/dt*tfr diF/dt = 200 A/µs vR = 0V tvj = tvj 25°C, vR = VRRM tvj = tvj max, vR = VRRM DIN IEC 747-2, tVj=tVj max iFM=150A, -diF/dt=200A/µs VR=0,5VRRM, vRM=0,8VRRM DIN IEC 747-2, tVj=tVj max iFM = 150A, -diF/dt = 200 A/µs VR=0,5VRRM, vRM=0,8VRRM DIN IEC 747-2, tVj=tVj max iFM = 150A, -diF/dt = 200 A/µs VR=0,5VRRM, vRM=0,8VRRM DIN IEC 747-2, tVj=tVj max iFM = 150A, -diF/dt = 200 A/µs VR=0,5VRRM, vRM=0,8VRRM VF V(TO) rT VFRM max. 4,15 1,64 8 200 V V m V 1)
tfr
4 µs
1)
iR IRM
max. 5 mA max. 50 mA 1) 230 A
Sperrverzögerungsladung recovered charge Sperrverzögerungszeit reverse recovered time Sanftheit Softness
Qr
1) 550 µAs
trr
1) 3,3 µs
SR
2) 0,004 µs/A
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Höchstzul. Sperrschichttemp./ max.junction temperat. Betriebstemperatur / operating temperature Lagertemperatur / storage temperature Kühlfläche / cooling surface Anode / anode, =180°sin Anode / anode, DC Kühlfläche / cooling surface einseitig / single-sided RthJC max. 0,340 °C/W max. 0,325 °C/W max. 0,04 °C/W 125 °C -40...+125 °C -40...+150 °C
RthCK tvj max tc op tstg
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Si-Elemente mit Druckkontakt / Si-pellets with pressure contact Anzugsdrehmoment / tightening torque Gewicht / weight Kriechstrecke / creepage distance Feuchteklasse / humidity classification Schwingfestigkeit / vibration resistance Kühlkörper / heatsink : K1,1-M12-A ; K0,55-M12-A ; GK-M12-A Durchmesser/diameter 21mm M G DIN 40040 f = 50 Hz 20 typ. 110 21 C 50 Nm g mm m/s²
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
1) 2)
Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value) Richtwert für untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value)
MA 1-BE / 12 Jul 1993
350 300 IF / [A] 250 200 150 100 50 0 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5
D 56 S 40...45 D 56 U 40...45
4 4,5 VF / [V]
5
Grenzdurchlaßkennlinien tVj = 125°C Richtwert für obere Streubereichsgrenze Richtwert für untere Streubereichsgrenze
Limiting on-state characteristics tVj = 125°C Upper limit of scatter range (standard value) Lower limit of scatter range (standard value)
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