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Details, datasheet, quote on part number:D711N
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| Part: | D711N |
| Category: | Discrete => Thyristors => SCR (Silicon Controlled Rectifiers) => SCR/ Diode Presspacks |
| Description: | |
| Company: | Eupec GmbH & Co KG |
| Datasheet: | Download D711N datasheet File size : 143 kB |
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Datasheet text preview:
Technische Information / Technical Information
Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode
D 711N 58 ... 68T
N
Features: · Volle Sperrfähigkeit bei 160°C mit 50Hz · Elektroaktive Passivierung durch a-C:H · Full blocking capability at 160°C with 50Hz · Electroactive passivation by a-C:H
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
f = 50Hz
V RRM
Tvj min = -40°C 5800 6000 6500 6800
Tvj min = 0°C 6000 6200 6700 7000
V V V V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS forward current Dauergrenzstrom mean forward current Stoßstrom-Grenzwert surge forward current Grenzlastintegral 2 I t-value
Tc = 60°C. f = 50Hz
IFRMSM IFAVM IFSM It
2
1660 A 780 A 1050 A 12,5 kA 10,5 k A 781*10 A s 3 2 551*10 A s
3 2
TC = 85°C, f = 50Hz TC = 60°C, f = 50Hz Tvj = 25°C, tp = 10ms Tvj = Tvj max, tp = 10ms Tvj = 25°C, tp = 10ms Tvj = Tvj max, tp = 10ms
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung forward voltage Schleusenspannung threshold voltage Ersatzwiderstand forward slope resistance Durchlaßrechenkennlinie 400 A iF 1200 A On-state characteristics for calculation
Tvj = Tvj max, iF = 1200A
VF V( T O ) rT
typ. 1,77 typ. 0,79 typ. 0,81 typ. 0,699699 0,0004383 -0,03799278 0,023406
max. 1,9 max. 0,84 Max. 0,87 max. 0,7487 0,000496 -0,0406497 0,025038
V V m
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
VF = A + B i F + C ln(i F + 1) + D i F
A B C D
Tvj = Tvj max, vR = VRRM
Sperrstrom reverse current Sperrverzögerungsladung recovered charge Rückstromspitze peak reverse recovery current
iR Qr IR M
50 mA 5,5 mAs 200 A
IFM = 1000A, -di/dt = 10A/µs, vR = 1000V, vRM = 1600V R = 80, C = 0,25µF, Tvj = Tvj max
BIP AC / 2001-11-06, Schneider / Keller
Release 3.1
Seite/page 1
Technische Information / Technical Information
Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode
D 711N 58 ... 68T
N
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, DC Kathode /cathode, DC Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided einseitig / single sided
RthJC
max max max
0,028 °C/W 0,051 °C/W 0,062 °C/W 0,006 °C/W 0,012 °C/W 160 °C -40...+160 °C -40...+160 °C
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemperatur max. junction temperature Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature
RthCK
max max
Tvj max Tc op Tstg
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Si - Element mit Druckkontakt Si - pellet with pressure contact Anpreßkraft clampig force Gewicht weight Kriechstrecke creepage distance Luftstrecke air distance Feuchteklasse humidity classification Schwingfestigkeit vibration resistance
DIN 40040
Seite 3 38DN65 F G
typ
10...16 kN 250 g 30 mm 20 mm C 50 m/s
2
f = 50Hz
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes
BIP AC / 2001-11-06, Schneider / Keller
Release 3.1
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Technische Information / Technical Information
Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode
D 711N 58 ... 68T
Maßbild / Outline drawing
N
+ 0 .2 /- 0 .8 58
C
26+-0.5
A
34
2 center holes 3.5 × 4 . 0
BIP AC / 2001-11-06, Schneider / Keller
Release 3.1
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Technische Information / Technical Information
Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode
D 711N 58 ... 68T
Limiting and typical on-state characteristic
N
Durchlaßkennlinie / On-state characteristics iF = f( VF )
1600
1400
1200
1000
iF [A]
800
600
400
200
0 0 0,5 1 VF [V] 1,5 2 2,5
BIP AC / 2001-11-06, Schneider / Keller
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Technische Information / Technical Information
Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode
D 711N 58 ... 68T
Transienter innerer Wärmewiderstand Transient thermal Impedance Z(th)JC = f (t)
Z th JC (t ) = Rth n 1 - e - t / n
n
N
(
)
Double side cooled r [K/W] 1 2 3 4 5 0,01240 0,00744 0,00589 0,00226 0,00000 0,028 [s] 0,66650 0,10011 0,01639 0,00448 0,01764 -
Cathode side cooled r [K/W] 0,03302 0,00310 0,00858 0,00596 0,00133 0,051 [s] 4,33667 0,39638 0,08978 0,01218 0,00369 -
Anode side cooled r [K/W] 0,04336 0,00165 0,00979 0,00608 0,00012 0,062 [s] 3,36678 0,21238 0,07317 0,00812 0,01323 -
0,065
k
0,055
a
0,045
0,035
d
0,025
0,015
0,005
0,001
0,01
0,1 t / [sec.]
1
10
100 -0,005
BIP AC / 2001-11-06, Schneider / Keller
Release 3.1
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Z (th) JC / [K/W]
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