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Details, datasheet, quote on part number:D748N-2200
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Datasheet text preview:
European PowerSemiconductor and Electronics Company GmbH + Co. KG
Leistungsgleichrichterdioden Power Rectifier Diodes D 748 N
Kathode Cathode
1, 1
ø 30
14
8, 5
1, 1
ø 30 Anode
ø3 , 5 x 2 tief / depth beidseitig / on both sides
+0.1
.7 m ax
50
2
VW K July 1996
21 ,5
4
D 748 N
Elektrische Eigenschaften Höchstzulässige Werte Periodische Spitzensperrspannung Electrical properties Maximum rated values repetitive peak reverse voltage tvj = -40°C... t vj max V RRM V RSM = V R R M IFRMSM tc = 100 °C tc = 94 °C Stoßstrom-Grenzwert surge forward current
2
2000, 2200, 2400 2600, 2800
V V V A A 1) A kA kA kA 2 s kA 2 s
Stoßspitzensperrspannung Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert Dauergrenzstrom
non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C... t vj max RMS forward current mean forward current
+ 100 1260 750 800
IFAVM IFSM It
2
tvj = 25°C, t p = 10 ms tvj = t vj max , tp = 10 ms tvj = 25°C, t p = 10 ms tvj = t vj max , tp = 10 ms
10,6 9 561,8 405
Grenzlastintegral
I t-value
Charakteristische Werte Durchlaßspannung Schleusenspannung Ersatzwiderstand Sperrstrom Thermische Eigenschaften Innerer Widerstand
Characteristic values on-state voltage threshold voltage slope resistance reverse current Thermal properties thermal resistance, junction to case beidseitig/two-sided, =180° sin beidseitig/two sided, DC Anode/anode, =180° sin Anode/anode, DC Kathode/cathode, =180° sin Kathode/cathode, DC R thJC max. max. max. max. max. max. R thCK tvj max tc op tstg max. max. 0,0445 °C/W 0,0400 °C/W 0,0715 °C/W 0,0670 °C/W 0,1045 °C/W 0,1000 °C/W 0,0075 °C/W 0,0150 °C/W 160 -40...+150 -40...+150 °C °C °C tvj = t vj max , iF = 2,4 kA tvj = t vj max tvj = t vj max tvj = t vj max , V R = V RRM VT VT(TO) rT iR max. max. 2,15 0,83 0,52 40 V V m mA
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance,case to heatsink beidseitig /two-sided einseitig /single-sided
Höchstzul.Sperrschichttemperatur Betriebstemperatur Lagertemperatur Mechanische Eigenschaften Si-Element mit Druckkontakt Anpreßkraft Gewicht Kriechstrecke Feuchteklasse Schwingfestigkeit Maßbild
max. junction temperature operating temperature storage temperature Mechanical properties Si-pellet with pressure contact clamping force weight creepage distance humidity classification vibration resistance outline DIN 40040 f = 50 Hz = 30 mm Gehäuseform/case design T
F G typ.
6...15 110 25
kN g mm C m/s 2
50 Seite/page
D 748 N
3,5 1,0
3,0 i F [k A ] 2,5
i²dt
0,9
(normiert)
0,8 2,0 0,7
1,5
1,0
0,6
0,5 0,5 0 0,5
D748N_1
1,0
1,5
2,0
2,5
v F [V]
3,0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
D748N_ 4
t p[m s]
Bild/Fig. 1 Grenzdurchlaßkennlinie Limiting forward characteristic iF = f (vF) tvj = 160 °C tvj = 25 °C
Bild / Fig. 2 Normiertes Grenzlastintegral / Normalized i²t i²dt = f(tp)
10
IF (0V) M
vR
IF(0V)M
10 IF(0V)M [k A ] 9 8
vR
9 IF(0V)M [k A] 8
1a 1b 2a 1c
7
7 6 5 4 3
1a 2a
6
1b 1c
5
2b 2c
4
2b 2c
0
0,1
0,2 t [s]
0,3
0
0,1
0,2 t [s]
0,3
Bild / Fig. 3 Grenzstrom / Maximum overload forward current IF(0V)M = f(t) 1 - IFAV(vor) = 0 A; tvj = tC = 25 °C 2 - IFAV(vor) = 750 A; tC = 100 °C; tvj = 160 °C a - vR 50 V b - vR = 0,5 VRRM c - vR = 0,8 VRRM
Bild / Fig. 4 Grenzstrom / Maximum overload forward current IF(0V)M = f(t) 1 - IFAV(vor) = 0 A; tvj = tC = 25 °C 2 - IFAV(vor) = 750 A; tC = 100 °C; tvj = 160 °C a - vR 50 V b - vR = 0,5 VRRM c - vR = 0,8 VRRM
D 748 N
104 9
8 7 6 5 4
0,04
T
RthJC [°C/W ]
i FM [A]
1600
800 4 00 200
Qr [µAs]
3 2
100 50
T
10 3 9
8
7 6 5 4 3 2
0,02
0 30
D748N_ 3
T
10
2
60
90
120
150 [°el]
180
0,1
D748 N_ 7
1
10 -di F /dt [A/µs]
100
Bild / Fig. 5 Differenz zwischen den Wärmewiderständen für Pulsstrom und DC Difference between the values of thermal resistance for pulse current and DC Parameter: Stromkurvenform / Current waveform
Bild / Fig. 6 Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-diF/dt) tvj = tvjmax; vR 0,5 VRRM; VRM = 0,8 VRRM Beschaltung / Snubber: C = 0,33 µF; R = 10 Parameter: Durchlaßstrom / Forward current iFM
0,12 Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC 0,10 Z (th)JC [°C/W ] 0,08
Kühlg. Cooling Pos. n 1 2 3 4 5
0,01823
6
7
1 2 3
Rthn °C/W 0,00037 2 0,004848 0,00475 0,0118
0,00030 4 0,00257 0,0204 0,0906 0,411 n [s] Rthn °C/W 0,00037 3 0,004907 0,00648 0,01914 0,0361 3,75 0,00030 4 0,00258 0,0245 0,155 n [s] Rthn °C/W 0,00037 7 0,005043 0,00637 0,01726 0,07095
0,06 1 0,04
n [s]
0,00030 5 0,00263 0,0277
0,146
2,82
1 - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling 2 - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling 3 - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
0,02
0 10-3
Analytische Funktion / Analytical function nmax Zt hJ C = Rthn(1-EXP(-t/n)) n=1 10-2 10 -1 10 0 101 t [s] 102
Bild / Fig. 7 Transienter innerer Wärmewiderstand Transient thermal impedance ZthJC = f(t), DC 1 - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling 2 - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling 3 - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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