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Details, datasheet, quote on part number:D749N-3800
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Datasheet text preview:
European PowerSemiconductor and Electronics Company GmbH + Co. KG
Leistungsgleichrichterdioden Power Rectifier Diodes D 749 N
ø36 3, 5
K a th o d e C a th o d e
26
16
Anode ø36
ø3, 5 x 3,5 tief / depth beidseitig / on both sides
+0,1
.7 max
57
4
25
6
VW K July 1996
D 749 N
Elektrische Eigenschaften Höchstzulässige Werte Periodische Spitzensperrspannung Electrical properties Maximum rated values repetitive peak reverse voltage tvj = -40°C... t vj max V RRM V RSM = V R R M IFRMSM tc = 100 °C tc = 67 °C Stoßstrom-Grenzwert surge forward current
2
3600, 4000 4400, 4800 *
V V V A A A kA kA kA 2 s kA 2 s
Stoßspitzensperrspannung Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert Dauergrenzstrom
non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C... t vj max RMS forward current mean forward current
+ 100 1540 750 980
IFAVM IFSM It
2
tvj = 25°C, t p = 10 ms tvj = t vj max , tp = 10 ms tvj = 25°C, t p = 10 ms tvj = t vj max , tp = 10 ms
14 11 980 605
Grenzlastintegral
I t-value
Charakteristische Werte Durchlaßspannung Schleusenspannung Ersatzwiderstand Sperrstrom Thermische Eigenschaften Innerer Widerstand
Characteristic values on-state voltage threshold voltage slope resistance reverse current Thermal properties thermal resistance, junction to case beidseitig/two-sided, =180° sin beidseitig/two sided, DC Anode/anode, =180° sin Anode/anode, DC Kathode/cathode, =180° sin Kathode/cathode, DC R thJC max. max. max. max. max. max. R thCK tvj max tc op tstg max. max. 0,039 °C/W 0,036 °C/W 0,066 °C/W 0,063 °C/W 0,087 °C/W 0,084 °C/W 0,005 °C/W 0,010 °C/W 160 -40...+150 -40...+150 °C °C °C tvj = t vj max , iF = 3 kA tvj = t vj max tvj = t vj max tvj = t vj max , V R = V RRM VT VT(TO) rT iR max. max. 2,94 0,85 0,65 70 V V m mA
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance,case to heatsink beidseitig /two-sided einseitig /single-sided
Höchstzul.Sperrschichttemperatur Betriebstemperatur Lagertemperatur Mechanische Eigenschaften Si-Element mit Druckkontakt Anpreßkraft Gewicht Kriechstrecke Feuchteklasse Schwingfestigkeit Maßbild
max. junction temperature operating temperature storage temperature Mechanical properties Si-pellet with pressure contact clamping force weight creepage distance humidity classification vibration resistance outline DIN 40040 f = 50 Hz = 38 mm Gehäuseform/case design T
F G typ.
10...24 280 36
kN g mm C m/s 2
50 Seite/page
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D 749 N
4000 0,9
i F [A]
3000
i²dt (normiert)
0,7 2000
1000 0,5
0
0,5
D749 N_ 1
1,0
1,5
2,0
2,5 v F [V]
3,0
3,5
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
D749N_4
tp [m s]
Bild/Fig. 1 Grenzdurchlaßkennlinie Limiting forward characteristic iF = f (vF) tvj = 160 °C tvj = 25 °C
Bild / Fig. 2 Normiertes Grenzlastintegral / Normalized i²t i²dt = f(tp)
IF (0V) M
vR
IF(0V)M 14 12 IF(0V)M [k A] 10
vR
16
IF(0V)M
[kA ] 14
12
1a
10
1a
8 6 4 2 0 0
D749N_6
8
2a 1b 1c 2b 2c
2a
1b 1c 2b
6
4 0
D749N_5
2c
0,1
0,2 t [s]
0,3
0,1
0,2 t [s]
0,3
Bild / Fig. 3 Grenzstrom / Maximum overload forward current IF(0V)M = f(t) 1 - IFAV(vor) = 0 A; tvj = tC = 25 °C 2 - IFAV(vor) = 750 A; tC = 100 °C; tvj = 160 °C a - vR 50 V b - vR = 0,5 VRRM c - vR = 0,8 VRRM
Bild / Fig. 4 Grenzstrom / Maximum overload forward current IF(0V)M = f(t) 1 - IFAV(vor) = 0 A; tvj = tC = 25 °C 2 - IFAV(vor) = 750 A; tC = 100 °C; tvj = 160 °C a - vR 50 V b - vR = 0,5 VRRM c - vR = 0,8 VRRM
D 749 N
10 4
9 8
T
i FM [A] 1600
400 200
800
7
R thJC
[°C/W ] 0,010
Qr [µAs]
6
5
4
100
50
T
3
0,005
2
T
0 30
D749 N_ 3
60
90
120
150 [°el]
180
10 3 0,1
D749 N_ 7
1
10 -di F /dt [A/µs]
100
Bild / Fig. 5 Differenz zwischen den Wärmewiderständen für Pulsstrom und DC Difference between the values of thermal resistance for pulse current and DC Parameter: Stromkurvenform / Current waveform
Bild / Fig. 6 Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-diF/dt) tvj = tvjmax; vR 0,5 VRRM; VRM = 0,8 VRRM Beschaltung / Snubber: C = 1 µF; R = 3,9 Parameter: Durchlaßstrom / Forward current iFM
0,10
3
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC
Kühlg. Cooling Pos. n n [s] n [s] n [s] 1 2 3 4 5 6 7
0,08 Z (th)JC [°C/W ] 0,06 2
1 2 3
Rthn °C/W 0,0009 50 0,0051 10 0,01574 0,0142
0,0014 70 0,0112 0 0,1740 0,0014 60 0,0098 5 0,1740 0,0013 80 0,0087 7 0,1570 1,31 6,360 4,11 8,38
Rthn °C/W 0,0009 10 0,0046 90 0,01790 0,03950 Rthn °C/W 0,0081 0 0,0044 40 0,01680 0,00750 0,05445
0,04 1
1 - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling 2 - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling 3 - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
0,02
Analytische Funktion / Analytical function nmax ZthJC = Rthn(1-EXP(-t/n)) n=1
10-2 10-1 100 101 t [s] 102
0 10 -3
D749N_2
Bild / Fig. 7 Transienter innerer Wärmewiderstand Transient thermal impedance ZthJC = f(t), DC 1 - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling 2 - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling 3 - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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