|
Details, datasheet, quote on part number:D758N-400
| |
Datasheet text preview:
European PowerSemiconductor and Electronics Company GmbH + Co. KG
Leistungsgleichrichterdioden Power Rectifier Diodes D 758 N
1, 1
ø 23 Kathode C athode
14
8, 5
1 ,1
ø 23
Anode
ø3 ,5 +0.1 x 2 tief / depth beidseitig / on both sides
.7 max
4
2
19, 5
41
VW K July 1996
D 758 N
Elektrische Eigenschaften Höchstzulässige Werte Periodische Spitzensperrspannung Electrical properties Maximum rated values repetitive peak reverse voltage tvj = -40°C... t vj max V RRM V RSM = V R R M IFRMSM tc = 115 °C tc = 130 °C Stoßstrom-Grenzwert surge forward current
2
200, 400 600, 800 *
V V V A A 1) A kA kA kA 2 s kA 2 s
Stoßspitzensperrspannung Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert Dauergrenzstrom
non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C... t vj max RMS forward current mean forward current
+ 50 1195 760 630
IFAVM IFSM It
2
tvj = 25°C, t p = 10 ms tvj = t vj max , tp = 10 ms tvj = 25°C, t p = 10 ms tvj = t vj max , tp = 10 ms
10,3 8,8 530,45 387,2
Grenzlastintegral
I t-value
Charakteristische Werte Durchlaßspannung Schleusenspannung Ersatzwiderstand Sperrstrom Thermische Eigenschaften Innerer Widerstand
Characteristic values on-state voltage threshold voltage slope resistance reverse current Thermal properties thermal resistance, junction to case beidseitig/two-sided, =180° sin beidseitig/two sided, DC Anode/anode, =180° sin Anode/anode, DC Kathode/cathode, =180° sin Kathode/cathode, DC R thJC max. max. max. max. max. max. R thCK tvj max tc op tstg max. max. 0,067 °C/W 0,063 °C/W 0,104 °C/W 0,100 °C/W 0,174 °C/W 0,170 °C/W 0,015 °C/W 0,030 °C/W 180 -40...+150 -40...+150 °C °C °C tvj = t vj max , iF = 2,3 kA tvj = t vj max tvj = t vj max tvj = t vj max , V R = V RRM VT VT(TO) rT iR max. max. 1,45 0,70 0,31 20 V V m mA
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance,case to heatsink beidseitig /two-sided einseitig /single-sided
Höchstzul.Sperrschichttemperatur Betriebstemperatur Lagertemperatur Mechanische Eigenschaften Si-Element mit Druckkontakt Anpreßkraft Gewicht Kriechstrecke Feuchteklasse Schwingfestigkeit Maßbild
max. junction temperature operating temperature storage temperature Mechanical properties Si-pellet with pressure contact clamping force weight creepage distance humidity classification vibration resistance outline DIN 40040 f = 50 Hz = 21 mm Gehäuseform/case design T
F G typ.
3,8...7,6 75 25
kN g mm C m/s 2
50 Seite/page
* Bitte Liefertermin erfragen /Delivery on request
D 758 N
3 ,0 1,0
2 ,5 i F [k A] 2 ,0
i²dt
0,8
(normiert)
0,6
1,5
0,4
1,0
0 ,5
0,2
0
0
D7 5 8 N_ 1
0 ,5
1 ,0
1 ,5
v F [V ]
2,0
0 0
1
2
3
4
5
6
7
tp [m s]
8
9
10
D 7 5 8 N_ 4
Bil d/Fig . 1 Grenzdurchlaßkennlinie Limiting forward characteristic=i f (v ) F F tvj = 180 °C tvj = 25 °C
Bi ld / Fig. 2 N ormi ertes Grenzlastintegral / Normalized i²t p i ²dt = f(t )
10
IF (0V)M
vR 10 IF(0V)M [k A] 9 8
IF(0V)M
vR
IF(0V)M
9
[k A ]
8
7
1c
1 a +1 b
2a 2b 2c
7 6 5
1a 2a 1b 1c
6
5
2b
4 3
4 3 0
D 7 5 8 N_ 6
2c
0
D 7 5 8 N_ 5
0,1
0,2 t [s ]
0 ,3
0 ,1
0,2
t [s ]
0 ,3
B il d / Fig. 3 Grenzs trom / Maximum overload forward current)M = f(t) F ( 0V I 1 - IFAV(vor) = 0 A; vj = tC = 25 °C t 2 - IFAV(vor) = 760 A; C = 115 °C; vtj = 180 °C t a - v 50 V R b - v = 0,5 V RM R R c - vR = 0,8 V RM R
Bi ld / Fig. 4 Grenzstrom / Maximum overload forward current)M = f(t) F(0 V I 1 - IFAV(vor) = 0 A; v j = t = 25 °C t C 2 - IFAV(vor) = 760 A; C = 115 °C; vtj = 180 °C t a - v 50 V R b - v = 0,5 V RM R R c - v = 0,8 V RM R R
D 758 N
2 i FM [A]
800 400
RthJC
[° C /W ] 0,08
T
10 Qr [µAs]
3
9 8
7 6 5
200
10 0
50 25
4
0,06
T
3
2
0 ,0 4
0,02
10
2
9 8
7 6
0
T
30
D 7 5 8 N_ 3
60
90
120
150 [°el]
180
5 0 ,1
D 7 5 8 N_ 7
1
10 -diF /dt [A/µ s]
100
Bi ld / Fig. 5 D iffe ren z zwischen den Wärmewiderständen für Pulsstrom und DC D iffe ren ce between the values of thermal resistance for pulse current and DC Parameter: Stromkurvenform / Current waveform
Bi ld / Fig. 6 Sp errv erzö ge run g sl ad un g / Recovered charge f(-di /d t) r= Q F tvj = tvjmax; vR 0,5 V RM; VRM = 0,8 V RM R R Beschaltun g / Snubber: C = 1 µF; R = 3,9 Parameter: Durchlaßstrom / Forward current i FM
0,20 3
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z DC t hJC für Analytical elements of transient thermal impedance Z DC t hJC for
Kühl g. Cooling Pos. n n [s] n [s] n [s] 1 2 3 4 5 6 7
0,15
Z (th)JC [°C/W ] 2
1 2 3
Rthn °C/W 0,00 0 1 10 0 ,0 01 9 3 0,00 7 5 1 0,03 4 1 5 0 ,0 1 9 3
0,00 0 0 2 0 ,0 00 2 45 0,00 1 8 1 0,05 6 9 0,00 6 4 64 0,01 1 8 0,02 7 8 0,00 0 0 17 0 ,0 00 2 43 0,00 1 4 0 ,3 7 7 0 ,0 3 7 44 0 ,0 2 1 3 0 ,1 0 3 0 ,5 5 6 1 ,2 6 3 ,4 1 0 ,0 0 9 29 0 ,1 1 3 0 ,0 2 1 1 5 ,2
Rthn °C/W 0,00 0 0 96 0 ,0 01 8
0,10
Rthn °C/W 0,00 0 0 48 0 ,0 02 2 32 0,00 6 7 3 0,03 8 7 0,00 0 0 09 0 ,0 00 2 4 0,00 1 7 2 0,05 4 3
1 - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
1
2 - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling 3 - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
0,05
Analytische Funktion / Analytical function nm ax ZthJC = Rthn(1-EXP(-t/n)) n=1 10 - 2 10-1 10 0 10 1 102
0 10-3
D 7 5 8 N_ 2
t [s]
Bil d / Fig. 7 T ran sienter innerer Wärmewiderstand T ran sient thermal impedanceJZ = f(t), DC th C 1 - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling 2 - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling 3 - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
|
|
