|
Details, datasheet, quote on part number:D798N-1400
| |
Datasheet text preview:
European PowerSemiconductor and Electronics Company GmbH + Co. KG
Leistungsgleichrichterdioden Power Rectifier Diodes D 798 N
K a th od e C at h o d e
ø 30
ø 30
A n od e
ø3 , 5 x 2 t ief / d ep th b e id s e it ig / o n b o t h s id es
+0. 1
2
VW K July 19 96
D 798 N
Elektrische Eigenschaften Höchstzulässige Werte Periodische Spitzensperrspannung Electrical properties Maximum rated values repetitive peak reverse voltage tvj = -40°C... t vj max VRRM 800, 1200 1400, 1800 Stoßspitzensperrspannung Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert Dauergrenzstrom non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C... t vj max RMS forward current mean forward current tc = 130 °C tc = 106 °C Stoßstrom-Grenzwert surge forward current I2 t-value tvj = 25°C, t p = 10 ms tvj = tvj max , tp = 10 ms Grenzlastintegral tvj = 25°C, t p = 10 ms tvj = tvj max , tp = 10 ms Charakteristische Werte Dur chlaßspannung Schleusenspannung Ersatzwiderstand Sperrstrom Characteristic values on-state voltage threshold voltage slope resistance reverse current tvj = tvj max , iF = 3,2 kA tvj = tvj max tvj = tvj max tvj = tvj max , VR = V RRM VT VT(TO) rT iR max. max. 1,77 0,81 0,28 50 V V m mA I2 t IFSM VRSM = V RRM IFRMSM IFAVM + 100 1650 800 1050 14,8 11,8 1095 696 V V V A A A kA kA k A 2s k A 2s
Thermische Eigenschaften Innerer Widerstand
Thermal properties thermal resistance, junction to case beidseitig/two-sided, =180° sin beidseitig/two sided, DC Anode/anode, =180° sin Anode/anode, DC Kathode/cathode, =180° sin Kathode/cathode, DC R th J C max. max. max. max. max. max. R thCK max. max. tvj max tc op tstg 0,0460 °C/W 0,0415 °C/W 0,0755 °C/W 0,0710 °C/W 0,1045 °C/W 0,1000 °C/W 0,0075 °C/W 0,0150 °C/W 180 -40...+150 -40...+150 °C °C °C
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance,case to heatsink beidseitig /two-sided einseitig /single-sided
Höchstzul.Sperrschichttemperatur Betriebstemperatur Lagertemperatur
max. junction temperature operating temperature storage temperature
Mechanische Eigenschaften Si-Element mit Druckkontakt Anpreßkraft Gewicht Kriechstrecke Feuchteklasse Schwingfestigkeit Maßbild
Mechanical properties Si-pellet with pressure contact clamping force weight creepage distance humidity classification vibration resistance outline DIN 40040 f = 50 Hz 50 Seite/page = 30 mm Gehäuseform/case design T F G typ. 6...15 110 25 kN g mm C m/s 2
D 798 N
5
1 ,0
i F [k A]
4
0,9
i²dt
(normiert)
0 ,8
3 0,7
2 0 ,6
1
0,5
0,4 0 0
D7 9 8 N_ 1
0,5
1,0
1,5
v F [V]
2,0
2,5
0
1
2
3
4
5
6
7
tp [m s]
8
9
10
D7 9 8 N_ 4
B i ld / Fig . 1 G renz du rch l aß kenn l in i e L im iti ng forward ch aracteri sti c i F = f (v F)
Bild / Fig . 2 Normiertes Grenz las tinteg r al / Normalized i²t i²dt = f( tp)
tvj = 180 °C tvj = 25 °C
IF (0V) M
IF(0V)M
vR 16
IF(0V)M
14
IF(0V)M
vR
[k A]
14
[k A] 1 2
12
10
1a 2a 1b 1c 2b
8 10
2a 8
1a 1b
6 4
1c 2b
2c
2c
6
2
0
4
0
D 7 9 8 N_ 5
0,1
0,2
t [s ]
0 ,3
0
D 7 9 8 N_ 6
0,1
0,2 t [s ]
0,3
Bild / Fig . 3 Grenz s trom / M axim u m ov erload forward c urren t IF(0V)M = f(t) 1 - IFAV(vor) = 0 A; tvj = tC = 25 °C 2 - IFAV(vor) = 8 00 A; tC = 1 3 0 ° C; tvj = 1 80 °C a - vR 5 0 V b - v R = 0,5 VRRM c - vR = 0 ,8 VRRM
Bild / Fig . 4 Gren zs trom / M aximu m overload forwar d c urr en t IF (0V)M = f(t) 1 - IFAV(vor) = 0 A; tvj = tC = 25 °C 2 - IFAV(vor) = 8 0 0 A; tC = 13 0 °C; tvj = 1 80 °C a - vR 50 V b - v R = 0 ,5 VRRM c - v R = 0,8 VRRM
D 798 N
10 4
9 8
0,04
R thJC
[ °C/ W ] 0 ,0 3
T
7 6 5 4
Qr [µAs]
3
2
iFM [A] 1600 800
4 00
200 100 50
T
10 3 9
8 7
6 5 4 3
0,02
0,01
2
T
0
30
D7 9 8 N_ 3
60
90
1 20
150 [°el]
1 80
10 2 0 ,1
D7 9 8 N_ 7
1
10
- d iF /dt [A/µ s]
100
B i ld / F ig . 5 D i fferen z zwisc hen den W ärm ewid erstän den fü r P u ls strom u nd D C D i fferen ce b etween the v al u es of therm al resi s tanc e for p ul s e cu rrent an d D C P aram eter: S trom kurv en form / C u rrent wav eform
B il d / F ig . 6 S perrverz ög erung sl adu ng / Recov ered ch arge Q r = f(-di F/d t) tvj = tvjmax; vR 0 ,5 VRRM; VRM = 0,8 VRRM B esch al tu ng / Sn ubb er : C = 0,6 8 µ F; R = 5 ,6 P aram eter: Du rchl aß strom / Forward c urr ent iFM
0,12
3 Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC for C Analytical elements of transient thermal impedance ZthJ C
Küh l g. Coolin g Pos. n n [ s]
1 2 3 4 0,02 4 0,29 8 0,02 23 0,03 71 5 6 7
0,10
Z (th)JC [°C/W ] 0,08
1 2 2 3
Rthn °C/W 0,0 0031 0,0 0579 0,01 14
0,0 00136 0,0 0233 0,04 62 0,0 055 0,00 55
Rthn °C/W 0,0 006
n [ s] 0,0 00232 0,0 02548 0,02 7467 0,15 2979 3,87 0018 Rthn °C/W 0,0 00598 0,0 05532 0,00 457 0,01 84 0,07 09
n [ s]
0,0 00234 0,0 0257 0,02 78 0,11 8 2,82 2
0,06
1
1 - B eid sei ti ge K ühl ung / T wo-si ded cooli ng 2 - Anod enseitig e K üh lu ng / An ode-sid ed cool i ng 3 - K athodenseitige K üh lun g / C athode-sid ed cool in g
0,04
0,02
Anal yti sch e Fu nk ti on / An al ytic al fun c ti on ZthJC = nm ax Rthn(1-EXP(-t/n)) n= 1
0
1 0-3
D 7 9 8 N_ 2
10 -2
10-1
10 0
10 1 t [ s]
102
B i ld / Fi g . 7 T ran sienter i nnerer W ärm ewid erstand T ran sient therm al im p edan ce Z thJC = f(t), D C 1 - B ei dsei ti ge K ühl u ng / T wo-s ided cool i ng 2 - Anod enseitig e Kü hlu ng / Anode-si ded c ool in g 3 - K athod ens eitig e Küh l ung / C ath ode-si ded cool in g
|
|
