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Details, datasheet, quote on part number:D8019N-400
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Datasheet text preview:
European PowerSemiconductor and Electronics Company
GmbH + Co. KG
Marketing Information D 8019 N
ø 65
C a th o d e
A node ø 65
ø 3,5+0,1 x 3,5 deep on both sides
May 1998
D 8019 N
Elektrische Eigenschaften Höchstzuässige Werte l Periodische Spitzensperrspannung Stoßspitzensperrspannung Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert Dauergrenzstrom Stoßstrom-Grenzwert Grenzlastintegral Electrical properties Maximum rated values repetitive peak reverse voltage non-repetitive peak reverse voltage RMS forward current mean forward current surge forward current I2 t-value
tvj = -25°C... T vj max tvj = +25°C... T vj max Tc = 56°C Tc = 46°C Tvj = 25°C, t p = 10 ms Tvj = Tvj max, tp = 10 ms Tvj = 25°C, t p = 10 ms Tvj = Tvj max, tp = 10 ms
VRRM VRSM IFRMSM IFAVM IFSM I2 t
200, 400 600 V 250 450 650 13,3 8,02 8,74 103 95 6 53 · 10 6 45 · 10 V kA kA kA kA kA A2s A2s
Charakteristische Werte Durchlaßspannung Schleusenspannung Ersatzwiderstand Sperrstrom Thermische Eigenschaften Innerer Widerstand
Characteristic values on-state voltage threshold voltage slope resistance reverse current Thermal properties thermal resistance, junction to case
Tvj = Tvj max, iF = 10 kA Tvj = Tvj max Tvj = Tvj max Tvj = Tvj max, VR = VRRM
VF VT(TO) rT iR
max.
max.
0,98 0,70 0,027 100
V V mW mA
beidseitig / two-sided, Q
=180° sin
RthJC
beidseitig / two sided, DC Anode / anode, Q =180° sin Anode / anode, DC Kathode / cathode, Q =180° sin RthCK Tvj max Tc op Tstg
Übergangs-Wärmewiderstand Höchstzul.Sperrschichttemperatur Betriebstemperatur Lagertemperatur Mechanische Eigenschaften Anpreßkraft Gewicht Kriechstrecke Schwingfestigkeit
thermal resistance,case to heatsink max. junction temperature operating temperature storage temperature Mechanical properties clamping force weight creepage distance vibration resistance
Kathode / cathode, DC beidseitig / two-sided einseitig / single-sided
max. max. max. max. max. max. max. max.
0,0125 °C/W 0,0117 °C/W 0,0232 °C/W 0,0225 °C/W 0,0250 °C/W 0,0245 °C/W 0,003 °C/W
180 °C -40...+180 °C -40...+150 °C
F G f = 50 Hz
typ.
40...80 kN 900 g mm 2 50 m/s
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the corresponding technical notes.
D 8019 N
35 30 iF 25 [kA] 20 15 10 5 0
0,5
D 8019 N / 1
1 ,0
1 ,5 vF [V]
2 ,0
Bild / Fig. 1 Grenzdurchla ßken nlinie / Limiting on-state characteristic, iF = f(vF), tvj = 180 °C tvj = 180 °C
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