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Details, datasheet, quote on part number:D911SH
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| Part: | D911SH |
| Category: | Discrete => Thyristors => SCR (Silicon Controlled Rectifiers) => SCR / Diode Presspacks |
| Description: | |
| Company: | Eupec GmbH & Co KG |
| Datasheet: | Download D911SH datasheet File size : 289 kB |
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Datasheet text preview:
Technische Information / Technical Information
Schnelle beschaltungslose Diode Fast Hard Drive Diode
D 911SH 45T
SH
Features: · Speziell entwickelt für beschaltungslosen Betrieb · Niedrige Verluste, weiches Ausschalten · Volle Sperrfähigkeit bei 140°C mit 50Hz · Specially designed for snubberless operation · Low losses, soft recovery · Full blocking capability at 140°C with 50Hz
· Hohes di/dt und niedriger Wärmewiderstand · High di/dt and low thermal resistance by durch NTV-Verbindung zwischen Silizium und using low temperature-connection NTV Mo-Trägerscheibe between silicon wafer and molybdenum · Elektroaktive Passivierung durch a-C:H · Electroactive passivation by a-C:H
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS forward current Dauergrenzstrom mean forward current Stoßstrom-Grenzwert surge forward current Grenzlastintegral 2 I t-value Max. Ausschaltverluste max. turn-off losses
Tvj = -40°C ... Tvj max f = 50Hz Tc = 60°C. f = 50Hz
V RRM IFRMSM
4500 V 1780 A
TC = 85°C, f = 50Hz TC = 60°C, f = 50Hz Tvj = Tvj max, Tp = 10ms
IFAVM IFSM It Wmax
2
910 A 1130 A 26 kA 3,38*10
6
Tvj = Tvj max, Tp = 10ms
As
2
IFM = 2500A, VCL = 2800V, clamp circuit L 0,25 µH, RCL = 68 CCL = 3µF, DCL = 34DSH65 Tvj = Tvj max
4 MW
BIP AC / 2003-02-26, Schneider / Keller
Release 5
Seite/page 1
Technische Information / Technical Information
Schnelle beschaltungslose Diode Fast Hard Drive Diode
D 911SH 45T
SH
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values Gleichsperrspannung continuous direct reverse voltage Durchlaßspannung forward voltage Schleusenspannung threshold voltage Ersatzwiderstand forward slope resistance Durchlaßrechenkennlinie 1000 A iF 2500 A On-state characteristics for calculation
failure rate < 100 estimate value Tvj = Tvj max, iF = 2500A
V R(D) VF V( T O ) rT
typ. max.
2800 V 6,0 V 2,02 V 1,61 m
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
VF = A + B i F + C ln(i F + 1) + D i F
A B C D
Tvj = Tvj max, diF/dt = 5000A/µs IFM = 4000A Tvj = Tvj max, vR = VRRM
1,39020706 0,00019063 -0,30254186 0,13084712 typ. 350 V 100 mA max max 1200 A 2800 µAs 5,0 Ws typ. 2,5
Spitzenwert der Durchlaßverzögerungsspannung peak value of forward recovery voltage Sperrstrom reverse current Rückstromspitze peak reverse recovery current
V FRM iR IR M
IFM = 2500A, VCL = 2800V,
Sperrverzögerungsladung recovered charge Ausschaltverlust Energie turn-off energy Abklingsanftheit reverse recovery softness factor
clamp circuit L 0,25 µH, RCL = 68 CCL = 3µF, DCL = 34DSH65 Tvj = Tvj max
Qr Eoff
IFM = 2500A, VR = 2800V -dirr /dt(i=0) = 1000A/µs, dt = 200ns Tvj = Tvj max ,
FRRS
FRRS =
(dirr / dt ) i =0 (dirf / dt ) max
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Technische Information / Technical Information
Schnelle beschaltungslose Diode Fast Hard Drive Diode
D 911SH 45T
SH
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, DC Kathode /cathode, DC Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided einseitig / single sided
RthJC
max max max
0,0100 °C/W 0,0178 °C/W 0,0230 °C/W 0,003 °C/W 0,006 °C/W 140 °C 0...+140 °C -40...+150 °C
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemperatur max. junction temperature Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature
RthCK
max max
Tvj max Tc op Tstg
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Si - Element mit Druckkontakt Si - pellet with pressure contact Anpreßkraft clampig force Gewicht weight Kriechstrecke creepage distance Luftstrecke air distance Feuchteklasse humidity classification Schwingfestigkeit vibration resistance
DIN 40040
Seite 3 65DSY45 F G
typ
27...45 kN 850 g 30 mm 17 mm C 50 m/s
2
f = 50Hz
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes
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Technische Information / Technical Information
Schnelle beschaltungslose Diode Fast Hard Drive Diode
D 911SH 45T
Maßbild / Outline drawing
SH
100 max
A
26+-0.5
C 62,8
2 center 3.5 ×1
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Technische Information / Technical Information
Schnelle beschaltungslose Diode Fast Hard Drive Diode
D 911SH 45T
upper limit of scatter range
SH
Durchlaßkennlinie / On-state characteristics iF = f( VF )
3500
3000
Tv j = 25°C 2500
Tvj = 140°C
2000
iF / [A] 1500 1000 500 0 0 1 2 3 4 VF / [V] 5 6 7 8
BIP AC / 2003-02-26, Schneider / Keller
Release 5
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