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Details, datasheet, quote on part number:DT101F
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Datasheet text preview:
European PowerSemiconductor and Electronics Company
Marketing Information TT 101 F
screwing depth max. 12 fillister head screw M6x15 Z4-1 plug A 2,8 x 0,8
III
II
I
14
K2 G2
K1
G1
15
25 80 94
25
13,3 5
AK
K K1 G1 K2 G2
A
VWK Febr. 1997
Elektrische Eigenschaften Höchstzulässige Werte
TT 101 F, TD 101 F, DT 101 F
Electrical properties Maximum rated values
tvj = -40°C...tvj max tvj = -40°C...tvj max tvj = +25°C...tvj max tc = 85°C tc = 70°C tvj = 25°C, tp = 10 ms tvj = tvj max tp = 10 ms , tvj = 25°C, tp = 10 ms tvj = tvj max tp = 10 ms , vD 67%, VDRM, fo = 50 Hz IGM = 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/µs tvj = tvj max VD = 0,67 VDRM , 6.Kenn buchstabe/ 6th letter B 6.Kenn buchstabe/ 6th letter C 6.Kenn buchstabe/ 6th letter L 6.Kenn buchstabe/ 6th letter M VDRM, VRRM VDSM= VDRM VRSM= VRRM ITRMSM ITAVM ITSM
2 i dt
Pe riodische Vorwärts- und RückwärtsSp itzensperrsp annu ng Vorwärts-Stoßspitzen spe rrspann ung Rückw ärts-St oßspitzensperrsp annun g Durchla ßstrom-Gre nzeff ektivwert Daue rg re nzstrom St oßstrom-Grenzwert Gre nzlastin tegral
repe titive peak forward off-state and reverse voltages no n-rep etitive peak forward off-state volt age no n-rep etitive peak reverse voltage RMS on-state current average on-state current surge current
2 i d t-value
80 0 1000 1100 1200 13 00 1400
V
+ 100 200 101 128 2750 2400 3780 0 2880 0 160
1) 2)
V A A A A A A2s A2s A/µs
Kritisch e Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
(di/dt) cr (dv/dt )cr
Kritisch e Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
50 500 500 1 000
50 500 50 500
V/µs V/µs V/µs V/µs
Durchla ßspan nung Schleusenspan nung Ersatzwid erstan d Zündstrom Zündspa nnun g Nicht zündender Steuerstrom Nicht zündende Steuerspannung Haltestro m Einraststrom Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom Zündverzug Fre iwerde ze it Isola tion s-Prüf spa nnun g
Charakteristische Werte
on -state voltage threshold voltage slop e resistance ga te trigger current ga te trigger voltage ga te non-trigger current ga te non-trigger voltage ho lding current latchin g current
Characteristic values
forward off-state and reverse currents ga te controlled delay time circuit commutated turn-off time insu lat ion test voltage
tvj = tvj max iT = 350 A , tvj = tvj max tvj = tvj max tvj = 25 °C, vD = 6 V tvj = 25 °C, vD = 6 V tvj = tvj max vD = 6 V , tvj = tvj max vD = 0,5 VDRM , tvj = 25 °C, vD = 6 V, R A = 10 tvj = 25 °C,vD = 6 V, R GK > = 20 iGM = 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/µs, tg = 10 µs tvj = tvj max vD=VDRM, vR = VRRM , tvj=2 5°C, IGM=0 ,6 A,diG/d t =0,6 A/µs sie he Techn.Erl./see Techn. Inf. RMS, f = 50 Hz, 1 min.
vT VT(TO) rT IGT VGT IGD VGD IH IL iD, iR tgd tq VISOL
max. 2,15 1,2 2,1 max. 150 max. 2 max. 10 max. 0,25 max. 250 max. 1 max. 30 max. 1,4 S: max. 18 E: max. 20 F: max. 25 3
V V m mA V mA V mA A mA µs µs µs µs kV
Inne re r Wärmewiderstand
Thermische Eigenschaften
the rmal resistance, junction to case the rmal resistance, case to heatsink ma x. junction temperature op eratin g temperature storage temperature
Therm al properties
Überga ngs-Wärme wide rstan d Höchstzu l.Sperrschicht tempe ra tur Be triebstemperatur Lag ertemp era tur
=180° el,sinus: pro Modul/per module RthJC pro Zweig/per arm D C: pro Modul/per module pro Zweig/per arm pro Modul/per module RthCK pro Zweig/per arm tvj max tc op tstg
ma x. 0,115 max. 0,23 ma x. 0,107 ma x. 0,214 max. 0,03 max. 0,06 125 -40...+125 -40...+130
°C/W °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W °C °C °C
Si-Elemen te mit Druckkontakt Inne re Isolation An zu gsd re hmomente für mechanische Be festigu ng An zu gsd re hmoment für elektrische An schlüsse Gewicht Kriech strecke Schwingfe stigkeit Maßbild
1) 2)
Mechanische Eigenschaften
Si-pelle t with pressure contact internal insulation mo unting torque terminal connection torque weight cre epag e distance vibration resistance ou tline
Mechanical properties
Toleranz/tolerance ± 15% Toleranz/tolerance +5%/-10%
M1 M2 G
AIN 6 6 t yp. 430 14 5 . 9,81 1
Nm Nm g mm m/s²
f = 50 Hz
Werte nach DIN 41787 (ohne vorausgehende Kommutierung) / Values according to DIN 41787 (without prior commutation) Unmittelbar nach der Freiwerdezeit / Immediately after circuit commutated turn-off time Date n der Dioden siehe unter DD 122 S bei VRRM 800 V und DD 121 S bei VRRM 1000 V For data of the diode refer to DD 122 S at VRRM 800 V and DD 121 S at VRRM 1000 V
TT 101 F, TD 101 F, DT 101 F können auch mit gemeinsamer Anode oder gemeinsamer Kathode geliefert werden. TT 101 F, TD 101 F, DT 101 F can also be supplied with common or common cathode Recogn ized by UNDERWRITERS LABORATORIES INC.
eupec GmbH + Co KG, Max-Planck-Str. 5, D59581 Warstein, Telefon +49 (0)2902/ 764-0, Telefax /764-256
TT 101 F
3 2 [A ] iT M 1 03 8 6 4 2 10 8 6 4 3 3 2 [A] i TM 1 03 8 6 4 2 1 02 8 6 4 3 3 2 [A ] i TM 1 03 8 6 4 2 1 02 8 6 4 3
5 2 1 0 ,4 0, 25 0,1 50 Hz
TT 101 F4/2
t C = 60°C Para me ter: f0 [kHz]
4 00 [A] 3 00 iTM 2 00 1 50 1 00 80 60 50 40 3 00 tc = 60°C
TT 101 F12/4
f 0 [kHz]
50...400 Hz 1 1 2 3 2 5 3
3 5 2
2
1
0 ,4
0 ,2 5
0,1
50 Hz
5
TT 101 F3/1
t C = 80°C Paramet er: f0 [kHz]
iTM
[A] 2 00
1 50 1 00 80 60 50 40 tc = 80°C
TT 101 F13/5
f0 [kHz]
50...400 Hz
50 Hz 0,4 1 2 1 3
5
3
2
1
0 ,4
0, 25
0,1
50 Hz
2 5 3
tC = 100°C Para me ter: f0 [kHz]
30 3 00
5
[A] 2 00 iTM
1 50 1 00 80 60 50 40 tc=100°C 5 6 8 10 20
TT 101 F14/6
f0 [kHz]
50...400 Hz
50 Hz 1 0,4 2 1 3 5 2
3
40
60
1 00
200 µs
40 0 6 00
1
2
ms
4 tp
6
10
30
5
3
40
TT 101 F5/3
+ diT/dt [A/µs] -
60
80 100
Bild / Fig. 1, 2, 3 Hö ch stzulässige Strombelastbarkeit in Abhängigkeit von der Halbschwing ungsdau er für einen Zweig bei: sinusförmigem Stromverlauf, d er angegebenen Gehäusetemperatur tC, Vo rwä rt s-Sp errspan nung VDM 0,67 VDRM; Freiwerdezeit tq gemäß 5. Kennbuchstaben, Span nung ssteilhe it dvD/d t gemäß 6. Kennbuchstaben. Ausschaltverlustleistun g: - Berücksichtigt für den Betrieb bei f0 = 50 Hz...0,4 kHz für dvR/dt 600 V/µs und Anstieg auf vRM 0,67 VRRM; - nicht Berücksichtigt für Betrieb bei f0 1 kHz. Diese Kurven gelten jedoch für den Betrieb mit antiparalleler Diode oder dvR/dt 100 V/µs und Anstieg auf VRM 50 V. Maximu m allowable current load versus halfwave duration per arm at: sin usoid al current waveform, given case temperature tC, fo rwa rd off-state voltage vDM 0,67 VDRM, circuit commutated turn-off time tq according to 5th code letter, rate of rise of voltage dvD/dt according to 6th code letter. Turn-of losses: - taken into account for operation at f0 = 50 Hz to 0.4 kHz for dvR/dt 600V/µs and rise up to vRM 0.67 VRR M; - not taken into account for operation at f 0 1 kHz. But the curves are valid for operation with inverse paralleled diode or dvR/d t 100 V/µs and rise up to vRM 50 V.
i iTM tp t R C
Bild / Fig. 4, 5, 6 Höchstzu lä ssig e Strombelastbarkeit in Abhängigkeit von der Stromsteilheit für einen Zweig bei: trapezförmigem Stromverlauf, der angegebenen Gehäu se tempe ra tur tC; Vorwärts-Sperrspann ung vDM 0,67 VDR M, Freiwe rd eze it tq gemäß 5. Kennbuchstabe, Sp annu ngsst eih eit dv/dt gemäß 6. Kennbuchstabe. Au sschaltve rlustle istung berücksichtigt; die Kurven gelten für: ___ ____ Betrieb mit antiparalleler Diode oder dv /d t 100 V/µs bei Anstieg auf vR 50 V. _ _ _ _ _ dvR /dt 600 V/µs und Anstieg auf v M = 0,67 V R RM RRM. Ma ximum allowable current load versus of rise of current per arm at: trape zoidal current waveform, given case temperature tC, forward off-state voltage vDM 0.67 VDRM, circu it commutated turn-off tq according to 5th code letter, rate of rise of voltage dv/dt according to 6th code letter. Turn-off losses taken into account; the curves apply for: ___ ____ Operation with inverse paralleled diod or dv /d t 100 V/µs rising up to v 50 V. _ _ _ _ _ dvR /dt 600 V/µs rising up to vR M = 0.67 V R RM RRM.
RC-Glie d/ RC network: R[] 0,02 . vD M [V] C 0,15µF
i iTM + d i/ d t _ T 2
-d iT / dt t _ T =1 f R C
R C-Glie d/R C network: R [] 0,02 . vDM [V] C 0,22µF
_ T=1 f
0
0
Parame ter: Wiederholfrequenz f0 [kHz] Repetition rate f0 [kHz]
Ste u er ge ne ra to r/ Pulse generator: iG = 0,6 A, ta = 1µs
Pa ra mete r: Wiederholfrequenz f0 [kHz] Repetition rate f0 [kHz]
Ste ue rg e ne ra to r/Pu lse generator: iG = 0,6 A, ta = 1µs
TT 101 F
3
0,6 2 0 ,4 [ A] iT M 0 ,2 1 03 8 6 0 ,1 1 2 4 6 10
± diT/ dt = 25 A/µs Wt o t [Ws]
3 2 0 ,4 [A] iT M 0, 2 1 03 8 6 0 ,1 4
0,06 0,6 1 2 4 6 10
± diT/ d t = 25 A/µs Wt o t [Ws]
4 2
0,06 0,04 0,03 0,02
2 0,04 1 02 8 6 0,02 4 3
2 4 6 10 0,03 0,025
1 0 2 0,015 8 6 0,01 4 3 3 2 [ A ] 0 ,6 i T M 0 ,4 1 03 8 6 0 ,2 4 0 ,1 2 0,04 1 02 8 0,015 6 0,01 4 3 3 2 [A ] 1 i T M 0,6 1 03 8 0 ,4 6 4
0, 2 0 ,1 2 4 6 10
TT 101 F7/8 TT 101 F6/7
TT 111 F9/10
1
± diT/ dt = 50 A/µs Wt ot [Ws]
3 2 [ A ] 0 ,4 i TM 1 03 0, 2 8 6 4 2
0, 1 0,06 0,6 1 2 4 6 10
± diT/d t = 25 A/µs Wt o t [Ws]
0,06
0,03 0,02
10 8 6 0,03 4 3 ± diT/ dt = 100 A/µs Wt o t [Ws] 3 2 [ A ] 0,6 i T M 0 ,4 1 03 8 6 0 ,2
1 2 4 6 10 0,025
TT 111 F10/11
2 0,04
± diT/dt = 100 A/µs W to t [Ws]
4 0,15 2
0, 1 0,08 0,06
2 0,06 1 0 2 0,03 8 0,02 6 0,015 4 3 40
0,01 0,04
1 02 8 0,05 6 4 3 40
0,04
60
1 00
200 µs
40 0 6 00
1
2
ms
4 tw
6
10
60
100
200 µs
40 0 6 00
1
2
ms
4 tw
6
10
TT 101 F8/9
TT 111 F11/12
Bild / Fig. 7, 8, 9 Diagramme zur Ermittlung der Gesamtenergie Wtot für einen trapezförmigen Du rchlaß-Stromp uls, für einen Zweig bei: d er angegebenen Stromsteilheit diT/dt, Vo rwä rt s-Sp errspan nung vDM 0,67 VDRM, Rü ckwärts-Sperrsp annu ng vRM 50V, Span nung ssteilhe it dvR/d t 100 V/µs. D i a g r a m for the determination of the total energy W t o t for a trap ezoid al current pulse for one arm at: g iven rate of rise of on-state current diT/d t, fo rwa rd off-state voltage vDM 0,67 VDRM, maximu m reverse voltage vRM 50 V, rate of rise of off-state voltage dvR/dt 100 V/µs. iT iT M d iT/ d t tw t -d i T / d t R C
Bild / Fig. 10, 11, 12 Dia gra mme zur Ermittlung der Gesamtenergie Wtot für einen trapezförmigen Durchla ß-Strompu ls, für einen Zweig bei: der angegebenen Stromsteilheit diT/d t, Vorwärts-Sperrspann ung vDM 0,67 VDR M, Rückwärts-Sperrspa nnun g vRM 0,67VRRM, Sp annu ngsst eilheit dvR/dt 500 V/µs. D i a g r a m f o r the determination of the t o t a l energy W t o t f o r a trape zoidal current pulse for one arm at: give n rate of rise of on-state current diT/dt, forward off-state voltage vDM 0,67 VDRM, ma ximum reverse voltage vRM 0.67 VRRM, rate of rise of off-state voltage dvR/dt 500 V/µs. iT i TM d iT/ d t tw t -d i T / d t R C
Ste u erg e ne ra to r/ Pu lse generator: iG = 0,6 A, t a = 1µs
R C-Glie d/ RC network: R [] 0,02 . vDM [V] C 0,22µF
St e ue rg en e rat o r/Pu lse generator: iG = 0,6 A, ta = 1µs
RC -Glied /RC network: R [] 0,02 . vDM [V] C 0,22µF
TT 101 F
10000 6000 [A] 2000 1000 600 400 200 100 60 40 20 10 1 2 4 6 10 20 4 0 60 100 PTT + PT [kW]
40 20 10 6 4 2 1 0 ,6 0 ,4 0,2 0,1 0,06 0 ,0 4 0,02
3000 [ A ] 0,6 i T M 0,4 1000
0,2 1 2 4 6 10
W tot [Ws]
iT
600 0,1 400
0,06 0,04
200 0,02
6 100 mWs 0,01 4
60 2 40 30 40
mWs
2 00
TT 101 F1/13
4 00 600 1ms t [µs]
60
100
Bild / Fig. 13 Diagramm zur Ermittlung der Summe aus Einschalt- und Durchlaßverlustleistu ng (PTT + PT) je Zweig. Diagram for the determination of the sum of the turn-on and on-state power loss per arm (PTT + PT).
tp Bild / Fig. 14 D iag ra mm zur Ermittlung der Gesamtenergie Wtot für einen sinusförmigen D urchlaß-Strompuls für einen Zweig. D ia g ra m for the determination of the total energy Wt ot for a sinusoidal o n-sta te current pulse for one arm. Lastkre is/lo ad circuit: iT RC -Glied /RC network: R R [] 0,02 . v vDM 0,67 VDRM iTM DM [V] vRM 50 V C 0,15µF C dvR/dt 100 V/µs
tp t
TT 101 F2/14
200 µs
40 0 6 00
1
2
ms
4
6
10
30 20 [V] vG 10 8 6 4 2 1 0,8 0 ,6 0,4 0 ,2 0,1 10 20 4 0 6 0 1 00 mA 200 4 00 60 0 1 2 4 iG 6 10
a
b
c
tgd
1 00 60 [µs] 20 10 6 4 2 1 0,6 0, 4 0,2
St e ue rg en e rat o r/Pu lse generator: iG = 0,6 A, ta = 1µs
a b
T 72 F15 / T102 F/15
A
0 ,1 10
20
T 72 F16 / T 102 F/16
40 60 100 mA
200
400 6 00
1
2
A
4 iG
6
10
Bild / Fig. 15 Zün dbereich und Spitzensteuerleistung bei vD = 6V. Gate characteristic and peak power dissipation at vD = 6V. Parame ter: a b c _ ____ ____ ____ ____ ____ ____ ____ _____ ____ ____ ____ ____ ____ ____ Steue rimp ulsdau er/Pulse duration tg [ms] 10 1 0,5 _ ____ ____ ____ ____ ____ ____ ____ _____ ____ ____ ____ ____ ____ ____ Hö ch stzulässige Spitzensteuerleistung/ Maximu m allowable peak gate power [W] 20 40 60 _ ____ ____ ____ ____ ____ ____ ____ _____ ____ ____ ____ ____ ____ ____
iTM = 500 A
Bild / Fig. 16 Zü ndverzug /Gate controlled delay time tgd, D IN 41787, ta = 1 µs, t vj = 25°C. a - außerster Verlauf/limiting characteristic b - typischer Verlauf/typical charcteristic
Qr
600 [µAs] 500 400 300 200 100
200 A
100 A
50 A
20 A 10 A
0
TT 101 F 08...14
50
1 00
Bild / Fig. 17 Sperrve rzöge ru ngsla dung Qr = f(di/dt) tvj = tvj max, vR = 0,5 VR RM, vRM = 0,8 VRRM Parame ter: Durchlaßstrom I TM / Re co vert charge Qr = f(di/dt) tvj = tvj max, vR = 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM Parame ter: on-state current I TM
150 - diT/dt [A/µs]
200
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