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Details, datasheet, quote on part number:DT111F
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Datasheet text preview:
European PowerSemiconductor and Electronics Company
Marketing Information TT 111 F
screwing depth max. 12 fillister head screw M6x15 Z4-1 plug A 2,8 x 0,8
III
II
I
14
K2 G2
K1
G1
15
25 80 94
25
13,3 5
AK
K K1 G1 K2 G2
A
VWK Febr. 1997
E lektrische Eigenschaften H öchstzulässige Werte
TT 111 F, TD 111 F, DT 111 F
Electrical properties Maximum rated values
tvj = -40°C...t vj max tvj = -40°C...t vj max tvj = +25°C...tvj max tc = 85°C tc = 76°C tvj = 25°C, tp = 10 ms tvj = tvj max tp = 10 ms , tvj = 25°C, tp = 10 ms tvj = tvj max tp = 10 ms , vD 67%, VDRM, fo = 50 Hz IGM = 0,6 A, diG/d t = 0,6 A/µs tvj = tvj max VD = 0,67 VDRM , 6.Kennbu ch sta be/6th letter B 6.Kennb uch sta be/6th letter C 6.Kennb uch sta be/6th letter L 6.Kennbu ch sta be/6th letter M tvj = tvj max iT = 350 A , tvj = tvj max tvj = tvj max tvj = 25 °C, vD = 6 V tvj = 25 °C, vD = 6 V tvj = tvj max vD = 6 V , tvj = tvj max vD = 0,5 VDRM , tvj = 25 °C, vD = 6 V, R A = 10 tvj = 25 °C,vD = 6 V, R GK > = 20 iGM = 0,6 A, diG/d t = 0,6 A/µs, tg = 10 µs tvj = tvj max vD=VDRM, vR = VRRM , tvj=25°C, IGM=0,6 A,diG/dt =0,6 A/µs siehe Techn.Erl./see Techn. Inf. VDRM, VRRM VDSM = VDRM VRSM = VRRM ITRMSM ITAVM ITSM
2 i dt
Perio dische Vorwärts- und RückwärtsSpitze nsp errspan nung Vo rw ärt s-Sto ßspitzensperrspa nnun g R ückwärts-Stoßspit zen spe rrspan nung D urchlaßst ro m-Grenzeffektivwert D auergrenzstro m Stoßstro m-Gren zwe rt Grenzla stinteg ra l Kritische Stromsteilheit Kritische Spannungssteilheit
re petitive peak forward off-state and re verse voltages non-repe titive peak forward off-state voltag e non-repe titive peak reverse voltage RMS on-state current ave ra ge on-state current surge current
2 i dt-valu e
20 0 400 600 800
V
+ 100 2 00 111 1 28 30 00 26 00 45 000 33 800 1 60
1) 2)
V A A A A A A2s A2s A/µs
crit ical rate of rise of on-state current crit ical rate of rise of off-state voltage
(di/dt) cr (dv/dt)cr
50 500 500 100 0
50 500 50 500 max. 1,95 1 ,2 1 ,4 max. 150 ma x. 2 ma x. 10 max. 0,25 max. 250 ma x. 1 ma x. 30 max. 1,4 C: max. 12 D: max. 15 D: max. 20 3 max. 0,115 max. 0,23 max. 0,107 max. 0,214 max. 0,03 max. 0,06 1 25 -40...+125 -40...+130
V/µs V/µs V/µs V/µs V V m mA V mA V mA A mA µs µs µs µs kV °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W °C °C °C
C harakteristische Werte
D urchlaßspannu ng Schle use nsp annu ng Ersat zwiderstand Zün dstro m Zün dspann ung N icht zündender Steuerstrom N icht zündende Steuerspannung Ha lte strom Ein ra ststrom Vo rw ärt s- und Rückwärts-Sperrstrom Zün dverzug Freiwerdezeit
Characteristic values
on-st ate voltage threshold voltage slope resistance gate trigger current gate trigger voltage gate non-trigger current gate non-trigger voltage holdin g current latching current forward off-state and reverse currents gate controlled delay time circuit commutated turn-off time vT VT(TO) rT IGT VGT IGD VGD IH IL iD, iR tgd tq
I solations-Prüfspann ung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, 1 min.
VISOL
Thermische Eigenschaften
I nnerer Wärmewiderstand
Thermal properties
thermal resistance, junction to case =180° el,sinus: pro Modul/per module RthJC pro Zweig/per arm DC: pro Modul/per module pro Zweig/per arm pro Modul/per module RthCK pro Zweig/per arm tvj max tc op tstg
Ü bergang s-Wärmewiderst and H öch stzul.Spe rrsch ichttemperatur Betrie bstempe ra tur L agertemperatu r
thermal resistance, case to heatsink max. junction temperature operating temperature sto ra ge temperature
M echanische Eigenschaften
Si-Elemente mit Druckkontakt I nnere Isolation Anzugsdrehmomen te für mechanische Befestigung Anzugsdrehmomen t für elektrische Ansch lüsse Gewicht Kriechstrecke Schwin gfestig keit Maßbild
1) 2)
Mechanical properties
Si-p ellet with pressure contact inte rn al insulation moun tin g torque termin al connection torque weig ht creep age distance vibration resistance outline Tole ra nz/t ole ran ce ± 15% Tole ra nz/t ole ran ce +5%/-10% M1 M2 G f = 50 Hz AIN 6 6 typ. 430 14 5 . 9,81 1 Nm Nm g mm m/s²
Werte nach DIN 41787 (ohne vorausgehende Kommutierung) / Values according to DIN 41787 (without prior commutation) Unmittelbar nach der Freiwerdezeit / Immediately after circuit commutated turn-off time D aten der Dioden siehe unter DD 122 S bei VRRM 800 V und DD 121 S bei VRRM 1000 V For data of the diode refer to DD 122 S at VRRM 800 V and DD 121 S at VRRM 1000 V
TT 111 F, TD 111 F, DT 111 F können auch mit gemeinsamer Anode oder gemeinsamer Kathode geliefert werden. TT 111 F, TD 111 F, DT 111 F can also be supplied with common or common cathode R eco gnized by UNDERWRITERS LABORATORIES INC.
eupec GmbH + Co KG, Max-Planck-Str. 5, D59581 Warstein, Telefon +49 (0)2902/ 764-0, Telefax /764-256
TT 111 F
4000 3000 [ A] iT M 1000 800 600 400
10 6 3 2 1 0 ,4 0 ,2 5 0,1 50 Hz
t C = 60°C Para met er: f0 [kHz]
400 300 iTM [A] 200 150 100 80 60 50 40 tc = 60°C
TT 111 F12/4
f0 [kHz]
50...2 kHz 1 3 2 6 3 10
200 100 80 60 40 4000 3000
iT M
TT 111 F3/1
6
[A]
t C = 80°C Para me ter: f0 [kHz]
30 300 200
10
f0 [kHz]
50...1 kHz
50...400 Hz 23 1 6 2
iTM
1000 800 600 400
6 3 2 1 0, 4 0, 25 0,1 50 Hz
[A] 150
100 80 60 50 40
TT 111 F4/2
10 3
200 100 80 60 40 3 2 [A ] i TM 1 03 8 6 4 2 1 02 8 6 4 3 40
10
10
6
tC = 100°C Pa ra me ter: f 0 [kHz]
30 TT 111 F13/5 3 00
tc = 80°C
[A] 2 00 iTM
1 50 1 00
f0 [kHz]
50...1 kHz 2
50 Hz 0,4 3 1 6 10 2
6 10
3
2
1
0 ,4
0, 25
0,1
50 Hz
80 60 50 40 tc =100°C 6 8 10
10 6
3
60
100
20 0 µs
40 0 600
1
2
ms
4 tp
6
10
30 5
20
TT 111 F14/6
TT 111 F5/3
40 60 80 100 + diT/d t [A/µs] -
Bild / Fig. 1, 2, 3 Hö ch stzulässige Strombelastbarkeit in Abhängigkeit von der Halbschwing ungsdau er für einen Zweig bei: sinusförmigem Stromverlauf, d er angegebenen Gehäusetemperatur tC, Vo rwä rt s-Sp errspan nung VDM 0,67 VDRM; Freiwerdezeit tq gemäß 5. Kennbuchstaben, Span nung ssteilhe it dvD/d t gemäß 6. Kennbuchstaben. Ausschaltverlustleistun g: - Berücksichtigt für den Betrieb bei f0 = 50 Hz...0,4 kHz für dvR/dt 600 V/µs und Anstieg auf vRM 0,67 VRRM; - nicht Berücksichtigt für Betrieb bei f0 1 kHz. Diese Kurven gelten jedoch für den Betrieb mit antiparalleler Diode oder dvR/dt 100 V/µs und Anstieg auf VRM 50 V. Maximu m allowable current load versus halfwave duration per arm at: sin usoid al current waveform, given case temperature tC, fo rwa rd off-state voltage vDM 0,67 VDRM, circuit commutated turn-off time tq according to 5th code letter, rate of rise of voltage dvD/dt according to 6th code letter. Turn-of losses: - taken into account for operation at f0 = 50 Hz to 0.4 kHz for dvR/dt 600V/µs and rise up to vRM 0.67 VRRM; - not taken into account for operation at f 0 1 kHz. But the curves are valid for operation with inverse paralleled diode or dvR/d t 100 V/µs and rise up to vRM 50 V.
i iT M tp _ T =1 f
0
Bild / Fig. 4, 5, 6 Höchstzu lä ssig e Strombelastbarkeit in Abhängigkeit von der Stromsteilheit für ei Zweig bei: trapezförmigem Stromverlauf, der angegebenen Gehäusetemperatur Vorwärts-Sperrspann ung vDM 0,67 VDR M, Freiwe rd eze it tq gemäß 5. Kennbuchstabe, Sp annu ngsst eih eit dv/dt gemäß 6. Kennbuchstabe. Au sschaltve rlustle istung berücksichtigt; die Kurven gelten für: ___ ____ Betrieb mit antiparalleler Diode oder dv /d t 100 V/µs bei Anstieg auf vR 50 V. _ _ _ _ _ dvR /dt 500 V/µs und Anstieg auf v M = 0,67 V R RM RRM. Ma ximum allowable current load versus of rise of current per arm at: trape zoidal current waveform, given case temperature tC, forward off-state voltage vDM 0.67 VDRM, circu it commutated turn-off tq according to 5th code letter, rate of rise of voltage dv/dt according to 6th code letter. Turn-off losses taken into account; the curves apply for: ___ ____ Operation with inverse paralleled diod or dv /d t 100 V/µs rising up to v 50 V. _ _ _ _ _ dvR /dt 500 V/µs rising up to vR M = 0.67 V R RM RRM.
t
R C
RC-Glied /RC network: R[] 0,02 . vD M [V] C 0,15µF
i iTM + d i/ d t _ T 2
-d iT / dt t _ T =1 f R C
RC-Glied /RC network: R[] 0,02 . vD M [V] C 0,22µF
0
Parame ter: Wiederholfrequenz f0 [kHz] Ste u er ge ne ra to r/ Pulse generator: iG = 0,6 A, ta = 1µs Repetition rate f0 [kHz]
Pa ra mete r: Wiederholfrequenz f0 [kHz] Repetition rate f0 [kHz]
Ste ue rg e ne ra to r/Pu lse generator: iG = 0,6 A, ta = 1µs
TT 111 F
3 2 1 03 [ A ] 8 100 6 4 2
60 40 20 iT M 200 600 mWs 1 Ws 4 00 2 4
± diT/dt = 25 A/µs 6 Wtot = 10 Ws
i
3 2 T M 0, 2 1 03 [A ] 8 6 0, 1 4
0,06 0 ,4 0,6 1 2 4 6 10
± diT/d t = 25 A/µs Wt o t [Ws]
2 0,04 1 02 8 6 0,02 4 3 TT
2 4 0,03 0,025
1 0 2 10 8 6 6 mWs 4 3 3 2
iT M 4 00 600 mWs 1 Ws
TT 111 F6/7
111 F9/10
± diT/d t = 50 A/µs 6 Wtot = 10 Ws
iT M
3 2
0 ,4 0,6 1 2 4 6 10
± diT/d t = 25 A/µs W to t [Ws]
1 03 200 [A ] 8 6 100 4 2
60 40 20
1 03 [ A ] 8 0 ,2 6 4
0 ,1
2 0,06 1 02 8 6 0,03 4 3
2 4 0,025
TT 111 F10/11
1 02 8 10 6 6 mWs 4 3 TT 111 F7/8 3
1 Ws 2 600 mWs
0,04
± diT/dt = 100 A/µs 6 Wtot = 10 Ws
iT M
3 2 1 03 [A ] 8
1 0,6 0 ,4 2 4 6 10
1 03 [ A ] 8 200 6 4
100 60
iT M
± diT/dt = 100 A/µs Wt ot [Ws]
40 0
6 0 ,2
4 0,15 2
0 ,1 0,08 0,06
2 40 1 02 8 10 6 6 mWs 4 3 40 60 1 00 200 µs 400 6 00 1 2 4 tw 6 10
20
1 02 8 0,05 6 4 3 40
0,04
ms
60
100
20 0 µs
4 00 600
1
2
ms
4 tw
6
10
TT 111 F8/9
TT 111 F11/12
Bild / Fig. 7, 8, 9 Diag ra mme zur Ermittlung der Gesamtenergie Wtot für einen trapezförmigen Du rchlaß-Stromp uls, für einen Zweig bei: d er angegebenen Stromsteilheit diT/dt, Vo rwä rt s-Sp errspan nung vDM 0,67 VDRM, Rü ckwärts-Sperrsp annu ng vRM 50V, Span nung ssteilhe it dvR/d t 100 V/µs. D i a g r a m for the determination of the total energy W t o t for a trap ezoid al current pulse for one arm at: g iven rate of rise of on-state current diT/d t, fo rwa rd off-state voltage vDM 0,67 VDRM, maximu m reverse voltage vRM 50 V, rate of rise of off-state voltage dvR/dt 100 V/µs. iT iT M d iT/ d t tw t RC -Glie d/R C network: R [] 0,02 . vDM [V] C 0,22µF -d i T / d t R C
Bild / Fig. 10, 11, 12 D iag ra mme zur Ermittlung der Gesamtenergie Wtot für einen trapezförmigen D urchlaß-Strompuls, für einen Zweig bei: d er angegebenen Stromsteilheit diT/dt, Vorwärts-Sp errspa nnun g vD M 0,67 VDRM, R ückwärts-Spe rrspann ung vRM 0,67VRRM, Span nung ssteilh eit dvR/ dt 500 V/µs. D i a g r a m for t h e determinat i o n of the t o t a l energy W t o t for a t ra pezoid al current pulse for one arm at: g iven rate of rise of on-state current diT/dt, f orward off-state voltage vDM 0,67 VD RM, maximum reverse voltage vRM 0.67 VRRM, rat e of rise of off-state voltage dvR/d t 500 V/µs. iT iT M d iT/ d t tw t R C-Glie d/ RC network: R [] 0,02 . vD M [V] C 0,22µF -d i T/d t R C
St eu e rg en er at or /Pu lse generator: iG = 0,6 A, ta = 1µs
St e ue rg en e rat o r/Pu lse generator: iG = 0,6 A, ta = 1µs
TT 111 F
10000 6000 iT 2000 1000 600 400 200 100 60 40 20 10 1 2 4 6 10 20 4 0 60 10 0 PTT + PT [kW]
40 20 10 6 4 2 i
3000
0,6 1 2 4 6 10 0,4
W tot [Ws]
[A]
1 0 ,6 0,4 0 ,2 0 ,1 0 ,0 6 0 ,0 4 0 ,0 2
TM 0 ,2 1000 [A ] 0,1 600 0,06
400 0,04
0,02
200
0,01 6 100 mWs 4
60 3 40 mWs 30 40 60
TT 111 F2/14
2
200
TT 111 F1/13
400 600 1ms t [µs]
100
20 0 µs
4 00 600
1
2
ms
4 tp
6
10
Bild / Fig. 13 Diagramm zur Ermittlung der Summe aus Einschalt- und Durchlaßverlustleistu ng (PTT + PT) je Zweig. Diagram for the determination of the sum of the turn-on and on-state power loss per arm (PTT + PT).
Bild / Fig. 14 D iag ra mm zur Ermittlung der Gesamtenergie Wtot für einen sinusförmigen D urchlaß-Strompuls für einen Zweig. D ia g ra m for the determination of the total energy Wt ot for a sinusoidal o n-sta te current pulse for one arm. Lastkre is/lo ad circuit: iT RC -Glied /RC network: R R [] 0,02 . v vDM 0,67 VDRM iTM DM [V] vRM 50 V C 0,15µF C dvR/dt 100 V/µs
tp t
30 20 vG 10 [V] 8 6 4 2 1 0,8 0 ,6 0 ,4 0 ,2 0 ,1 10 20 40 60 10 0 mA 2 00 400 600 1 2 4 iG 6 10
c
1 00 60 tgd [µs] 20 10 6 4 2 1 0 ,6 0 ,4 0 ,2
St e ue rg en e rat o r/Pu lse generator: iG = 0,6 A, ta = 1µs
a
b
a b
T 72 F15 / T102 F/15
A
0 ,1 10
20
T 72 F16 / T 102 F/16
40 6 0 1 00 mA
200
40 0 60 0
1
2
A
4 iG
6
10
Bild / Fig. 15 Zün dbereich und Spitzensteuerleistung bei vD = 6V. Gate characteristic and peak power dissipation at vD = 6V. Parame ter: a b c _ ____ ____ ____ ____ ____ ____ ____ _____ ____ ____ ____ ____ ____ ____ Steue rimp ulsdau er/Pulse duration tg [ms] 10 1 0,5 _ ____ ____ ____ ____ ____ ____ ____ _____ ____ ____ ____ ____ ____ ____ Hö ch stzulässige Spitzensteuerleistung/ Maximu m allowable peak gate power [W] 20 40 60 _ ____ ____ ____ ____ ____ ____ ____ _____ ____ ____ ____ ____ ____ ____ 120 [µAs] 100 80 60 40 20
100 A iTM = 500 A
Bild / Fig. 16 Zü ndverzug /Gate controlled delay time tgd, D IN 41787, ta = 1 µs, t vj = 25°C. a - außerster Verlauf/limiting characteristic b - typischer Verlauf/typical charcteristic
Qr
50 A
20 A 10 A 5A
0
TT 111 F 02...08
50
1 00
150 - diT/dt [A/µs]
200
Bild / Fig. 18 Sperrve rzöge ru ngsla dung Qr = f(di/dt) tvj = tvj max, vR = 0,5 VRR M, vRM = 0,8 VRRM Parame ter: Durchlaßstrom I TM / Re covert charge Qr = f(di/dt) tvj = tvj max, vR = 0,5 VRR M, vRM = 0,8 VRRM Parame ter: on-state current ITM
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