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Details, datasheet, quote on part number:FD400R16KF4
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Datasheet text preview:
European PowerSemiconductor and Electronics Company
Marketing Information FD 400 R 16 KF4
11,85 55,2 M8
screwing depth max. 8
31,5
130 114
E1
C2
C1 E1 G1 C1 C2
E2 E2 G2
M4
28
7 2,5 deep
40 53 E1
16 18
44 57
screwing depth max. 8
2,5 deep
C2 (K)
E1
G1
C1
C1
E2 (A)
VWK Apr. 1997
IGBT-Module
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Kollektor-Dauergleichstrom Periodischer Kollektor Spitzenstrom Gesamt-Verlustleistung Gate-Emitter-Spitzenspannung Dauergleichstrom Periodischer Spitzenstrom Isolations-Prüfspannung
FD 400 R 16 KF4
collector-emitter voltage DC-collector current repetitive peak collector current total power dissipation gate-emitter peak voltage DC forward current repetitive peak forw. current insulation test voltage VCES IC ICRM Ptot VGE IF IFRM VISOL VCE sat vCE sat v GE(TO) Cies iCES iGES iEGS ton min. 4,5 typ. 2100 3,3 4,4 5,5 65 3 30 0,8 1 1,1 1,3 0,25 0,3 1600 400 800 3100 ± 20 400 800 3,4 max. 3,7 4,8 6,5 400 400 V A A W V A A kV V V V V nF mA mA nA nA
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
tp=1 ms tC=25°C, Transistor /transistor
tp=1ms RMS, f=50 Hz, t= 1 min.
Kollektor-Emitter Gleichsperrspannung collector-emitter direct off-state voltage vGE = -15V, t C=-40°C...+125°C Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage iC=400A, v GE=15V, t vj=25°C iC=400A, v GE=15V, t vj=125°C Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage iC=30mA, v CE=vGE, tvj=25°C Eingangskapazität input capacity fO=1MHz,t vj=25°C,v CE=25V, v GE=0V Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current vCE=1600V, v GE=0V, t vj=25°C vCE=1600V, v GE=0V, t vj=125°C Gate-Emitter Reststrom gate leakage current vCE=0V, v GE=20V, t vj=25°C Emitter-Gate Reststrom gate leakage current vCE=0V, v EG=20V, t vj=25°C Einschaltzeit (induktive Last) turn-on time (inductive load) iC=400A,v CE=900V,v L=±15V vL=±15V, R G=4,7, tvj=25°C vL=±15V, R G=4,7, tvj=125°C Speicherzeit (induktive Last) storage time (inductive load) iC=400A,v CE=900V,v L=±15V vL=±15V, R G=4,7, tvj=25°C vL=±15V, R G=4,7, tvj=125°C Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) iC=400A,v CE=900V,v L=±15V vL=±15V, R G=4,7, tvj=25°C vL=±15V, R G=4,7, tvj=125°C
Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor
- µs - µs - µs - µs - µs - µs
ts
tf
Transistor / Transistor Einschaltverlustenergie pro Puls Abschaltverlustenergie pro Puls Inversdiode / Inverse diode Durchlaßspannung Rückstromspitze
Charakteristische Werte / Characteristic values
turn-on energy loss per pulse turn-off energy loss per pulse iC=400A,v CE=900V,v L=±15V RG=4,7, tvj=125°C, L S=70nH iC=400A,v CE=900V,v L=±15V RG=4,7, tvj=125°C, L S=70nH iF=400A, v GE=0V, t vj=25°C iF=400A, v GE=0V, t vj=125°C iF=400A, -di F/dt=2,5kA/µs vRM=900V, v EG=10V, t vj=25°C vRM=900V, v EG=10V, t vj=125°C iF=400A, -di F/dt=2,5kA/µs vRM=900V, v EG=10V, t vj=25°C vRM=900V, v EG=10V, t vj=125°C Transistor, DC, pro Zweig / per arm Diode /diode, DC, pro Modul / per module Diode /diode, DC, pro Zweig / per arm pro Module / per Module pro Zweig / per arm E on Eoff 170 90 2,4 2,2 270 330 50 110 - mWs - mWs 2,8 V -V -A -A - µAs - µAs 0,04 0,05 0,1 0,01 0,02 150 -40...+125 -40...+125 Al 2O3 3 2 8...10 ca. 1500 °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W °C °C °C
forward voltage peak reverse recovery current
vF IRM
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Qr
Innerer Wärmewiderstand
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
thermal resistance, junction to case
RthJC
Übergangs-Wärmewiderstand Höchstzul. Sperrschichttemperatur Betriebstemperatur Lagertemperatur
thermal resistance, case to heatsink max. junction temperature operating temperature storage temperature
RthCK tvj max tc op tstg
Innere Isolation internal insulation Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung / mounting torque Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse / terminal connection torque
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
terminals M4 terminals M8 M1 M2
Gewicht weight G Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. Bedingung für den Kurzschlußschutz / Conditions for short-circuit protection tfg = 10 µs VCC = 1000 V RGF = RGR = 4,7 iCMK1 4000 A vCEM = 1300 V tvj = 125°C vL = ±15V iCMK2 3000 A Unabhängig davon gilt bei abweichenden Bedingungen / with regard to other conditions v CEM = V CES - 20nH x |di c/dt| 1) Höchstzulässiger diF/dt-Wert / Maximum rated diF/dt-value
Nm Nm Nm g
FD 400 R 16 KF4
800 700
VGE = 20 V
iC [A]
700
iC 600 [A] 500
600
15 V
500 400 400 300 300 200
12 V
10 V
9V
200
8V
100
100
0 1
FD 400 R 16 KF4 / 1
2
3
4 vCE [V]
5
0 1
FD 400 R 16 KF4 / 2
2
3
4 vCE [V]
5
Bild / Fig. 1 Kolle ktor-Emitte r-Spann ung im Sättigungsbereich (typisch) / C ollector-e mitter-voltage in saturation region (typical) VGE = 15 V t vj = 25°C t vj = 125°C
Bild / Fig. 2 Kollektor-Emitte r-Spann ung im Sättigungsbereich (typisch) / Co llector-e mit ter-voltage in saturation region (typical) tvj = 125°C
800
tvj = 125 °C 25 °C
1 000
iC [A]
700
iC [A] 800
600
500
600
400 400
300
200 200 100
0 5
6
7
8
9
10
FD 400 R 16 KF4 / 3
11 vGE [V]
12
0 0
FD 400 R 16 KF4 / 4
5 00
1000
150 0 vCE [V]
200 0
Bild / Fig. 3 Ü bertragun gscha ra kteristik (typisch) / Tran sfer characteristic (typical) VCE = 20 V
Bild / Fig. 4 Rü ckwärts-Arbeitsb ereich / Re ve rse biased safe operating area tvj = 125 °C vLF = vLR = 15 V RG = 4,7
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