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Details, datasheet, quote on part number:FZ1050R12KF4
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Datasheet text preview:
European PowerSemiconductor and Electronics Company
Marketing Information FZ 1050 R 12 KF4
18 6 1,5 M8
31,5
130 114
C
C
E
E
E C 7 28 16,5 G
M4
2, 5 18, 5
external connection to be done
C C
C
G E E E
external connection to be done
27.3.1998
FZ 1050 R 12 KF4
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Kollektor-Dauergleichstrom Periodischer Kollektor Spitzenstrom Gesamt-Verlustleistung Gate-Emitter-Spitzenspannung Dauergleichstrom Periodischer Spitzenstrom Isolations-Prüfspannung collector-emitter voltage DC-collector current repetitive peak collctor current total power dissipation gate-emitter peak voltage DC forward current repetitive peak forw. current insulation test voltage tp=1ms RMS, f=50 Hz, t= 1 min. tp=1 ms tC=25°C, Transistor /transistor VCES IC ICRM Ptot VGE IF IFRM VISOL min. iC=1050A, vGE=15V, Tvj=25°C iC=1050A, vGE=15V, Tvj=125°C Gate-Schwellenspannung Eingangskapazität Kollektor-Emitter Reststrom Gate-Emitter Reststrom Emitter-Gate Reststrom Einschaltzeit (ohmsche Last) gate threshold voltage input capacity collector-emitter cut-off current gate leakage current gate leakage current turn-on time (resistive load) iC=42mA, vCE=vGE, Tvj=25°C fO=1MHz,Tvj=25°C,vCE=25V,vGE=0V vCE=1200V, vGE=0V, Tvj=25°C vCE=1200V, vGE=0V, Tvj=125°C vCE=0V, vGE=20V, Tvj=25°C vCE=0V, vEG=20V, Tvj=25°C iC=1050A,vCE=600V,vL= ±15V RG=1,0 , Tvj=25°C RG=1,0 , Tvj=125°C Speicherzeit (induktive Last) storage time (inductive load) iC=1050A,vCE=600V,vL= ±15V RG=1,0 , Tvj=25°C RG=1,0 , Tvj=125°C Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) iC=1050A,vCE=600V,vL= ±15V RG=1,0 , Tvj=25°C Einschaltverlustenergie pro Puls Abschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse turn-off energy loss per pulse RG=1,0 , Tvj=125°C iC = 1050 A, vCE = 600 V, LS = 70 nH Eon VL = ±15 V, RG = 1,0 , Tvj = 125°C iC = 1050 A, vCE = 600 V, LS = 70 nH Eoff VL = ±15 V, RG = 1,0 , Tvj = 125°C tf 0,1 0,15 150 170 - µs - µs - mWs - mWs ts 0,9 1 - µs - µs i GES i EGS ton 0,7 0,8 - µs - µs vGE(th) Ci e s i CES vCE sat 4,5 typ. 2,7 3,3 5,5 80 14 85 1200 V 1050 A 2100 A 7 kW ± 20 V 1050 A 2100 A 2,5 kV max. 3,2 V 3,9 V 6,5 V - nF - mA - mA 400 nA 400 nA
Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage
Charakteristische Werte / Characteristic values: Invers-Diode
Durchlaßspannung Rückstromspitze forward voltage peak reverse recovery current iF=1050A, vGE=0V, Tvj=25°C iF=1050A, vGE=0V, Tvj=125°C iF=1050A, -diF/dt=5,5kA/µs vRM=600V, vEG=10V, Tvj=25°C vRM=600V, vEG=10V, Tvj=125°C Sperrverzögerungsladung recovered charge iF=1050A, -diF/dt=5,5kA/µs vRM=600V, vEG=10V, Tvj=25°C vRM=600V, vEG=10V, Tvj=125°C Qr 45 135 - µAs - µAs IRM 350 620 -A -A VF 2,2 2 2,7 V 2,5 V
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand Übergangs-Wärmewiderstand Höchstzul. Sperrschichttemperatur Betriebstemperatur Lagertemperatur Innere Isolation thermal resistance, junction to case thermal resistance, case to heatsink max. junction temperature operating temperature storage temperature internal insulation M1 terminals M4 terminals M8 Gewicht weight G M2 Transistor / transistor, DC Diode /diode, DC pro Module / per Module RthCK T vj max T c op T stg RthJC 0,018 °C/W 0,036 °C/W typ. 0,008 °C/W 150 °C -40...+150 °C -40...+125 °C Al2 O 3 3 Nm 2 Nm 8...10 Nm ca.1500 g
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminal connection torque
Bedingung für den Kurzschlußschutz / Conditions for short-circuit protection tfg = 10 µs VCC = 750 V vL = ±15 V RGF = RGR = 1,0 Tvj = 125°C vCEM = 900 V iCMK1 9000 A iCMK2 7000 A
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
FZ 1050 R 12 KF4
2500 2500
tv j = 25°C
iC [ A]
2000
iC [A]
2000
1 2 5 °C
1500
1500
1000
1000
500
500
0 1
FZ 1050 R 12 KF4 / 1
2
3
4 v CE [V]
5
0 5
6
7
8
9
10
FZ 1050 R 12 KF4 / 2
11 vGE [V]
12
Bi ld / Fig. 1 Ko llekt or-Emit ter-Spann ung im Sättigungsbereich (typisch) / Col lector-emi tter-voltag e in saturation region (typical) VG E = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C
Bi ld / Fig. 2 Übertragu ngsch arakteris tik (typisch) / Transf er characteristic (typical) VC E = 20 V
10 -1
7 5 Diode
2500
ZthJC 3 [ °C/ W ]
2
I GB T
2000 iF [A] 1500
10
-2
7 5 3 2
1000
500
10 -3 -3 10
2
34
6
10-2
2
34
6
10- 1
2
34
6
100
2
34
6
101
0 0,5
1
1,5
2
FZ 1050 R 12 KF4 / 3
t [s]
FZ 1050 R 12 KF4 / 4
2,5 vF [V]
3
Bi ld / Fig. 3 Trans ienter Wärmewiderstand (DC) / Trans ient thermal impedance (DC)
Bi ld / Fig. 4 Durch laßkenn linien der Inversdiode (typisch) Forward characteristics of the inverse diode (typical) Tvj = 25°C Tvj = 125°C
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