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Details, datasheet, quote on part number:FZ1200R12KF4
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Datasheet text preview:
European PowerSemiconductor and Electronics Company GmbH + Co. KG
Marketing Information FZ 1200 R 12 KF 4
18 scre wing depth max. 8 6 1,5 M8
31,5
13 0 114
C
C
E
E
E C 7 28 16 ,5 G
M4
2 ,5 1 8,5
external connection to be done
C C
C
G E E E
external connection to be done
A15/97 Mod-E/ 21.Jan 1998 G.Schulze
FZ 1200 R 12 KF4
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollek tor-Emitter-Sperrspannung Kollek tor-Dauergleic hstrom Periodischer Kollektor Spitzenstrom Gesamt-Verlustleis tung Gate-Emitter-Spitzenspannung Dauergleic hstrom Periodischer Spitzenstrom Isolations-Prüfspannung
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
collector-emitter voltage DC-collector current repetitive peak collctor current total power dissipation gate-emitter peak voltage DC forward current repetitive peak forw. current insulation test voltage tp=1 ms tC=25°C, Transistor /transistor VCES IC 1200 V 1200 A 2400 7800 ± 20 1200 2400 2,5 min. 4,5 typ. 2,7 3,3 5,5 90 16 100 0,7 0,8 0,9 1,0 0,10 0,15 170 190 A W V A A kV
tp=1ms RMS, f=50 Hz, t= 1 min.
ICRM Ptot VGE IF IFRM VISOL
Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor
Kollek tor-Emitter Sättigungsspannung Gate-Schwellens pannung Eingangs kapazität Kollek tor-Emitter Reststrom Gate-Emitter Reststrom Emitter-Gate Reststrom Einschaltzeit (induktive Last) collector-emitter saturation voltage gate threshold voltage input capacity collector-emitter cut-off current gate leakage current gate leakage current turn-on time (inductive load) iC=48mA, vCE=vGE, tvj= 25°C fO=1MHz,tvj=25°C,vCE=25V, v GE=0V vCE=1200V, vGE=0V, t vj= 25°C vCE=1200V, vGE=0V, t vj= 125°C vCE=0V, v GE=20V, tvj= 25°C vCE=0V, v EG=20V, tvj= 25°C iC=1,2kA,vCE=600V vL = ±15V, R G = 0,82 , tvj=25° vL = ±15V, R G = 0,82 , tvj=125° iC=1,2kA,vCE=600V iC=1,2kA, vGE= 15V, t vj=25°C iC=1,2kA, vGE= 15V, t vj=125°C vCE sat vGE(th) Cies iCE S iGE S iE GS ton
max . 3,2 V 3,9 V 6,5 200 400 400 V nF mA mA nA nA
ts -
- µs - µs - µs - µs - µs - µs - mW s - mW s
Speicherzeit (induktive Last)
storage time (inductive load)
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
Einschaltverlustenergie pro Puls Abschaltverlustleis tung pro Puls
turn-on energy loss per puls turn-off energy loss per puls
vL = ±15V, R G = 0,82 , tvj=25° vL = ±15V, R G = 0,82 , tvj=125° iC=1,2kA,vCE=600V vL = ±15V, R G = 0,82 , tvj=25° vL = ±15V, R G = 0,82 , tvj=125° iC=1,2kA, vCE= 600V, L s=70nH vL=±15V,R G=0,82 ,T vj=125°C iC=1,2kA, vCE= 600V, L s=70nH vL=±15V,R G=0,82 ,T vj=125°C
tf
Eon Eoff
Charakteristische Werte / Characteristic values
Invers diode / Inverse diode Durchlaßspannung Rückstromspitz e forward voltage peak reverse recovery current iF=1,2kA, vGE= 0V, t vj= 25°C iF=1,2kA, vGE= 0V, t vj= 125°C iF=1,2kA, vRM= 600V, v EG = 10V -diF/dt = 6 kA/µs, tvj = 25°C t vj = 125°C iF=1,2kA, vRM= 600V, v EG = 10V -diF/dt = 6 kA/µs, tvj = 25°C tvj = 125°C vF IRM 2,2 2,0 400 700 50 150 2,7 V 2,5 V -A -A - µA s - µA s
Sperrverzögerungs ladung
recovered charge
Qr
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand Übergangs -Wärmewiderstand Höchstzul. Sperrschichttemperatur Betriebstemperatur Lagertemperatur thermal resistance, junction to case thermal resistance, case to heatsink max. junction temperature operating temperature storage temperature Transistor / transistor, DC Transistor,DC,pro Zweig/per arm pro Modul / per Module pro Modul / per Module Transistor / transistor RthJC RthCK 0,016 °C/W 0,032 °C/W 0,008 °C/W 150 °C -40...+125 °C -40...+125 °C
tvj max tc op tstg
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Innere Isolation Anzugs drehmoment f. mech. Befestigung Anzugs drehmoment f. elektr. Anschlüsse Gewicht internal insulation mounting torque terminal connection torque weight terminals M6 / tolerance +/-15% terminals M4 / tolerance +/-15% terminals M8 M1 M2 G AI2O3 5 2 8...10 c a. 1500 Nm Nm Nm g
Bedingung für den Kurzschlußschutz / Conditions for short-circuit protection tfg = 10 µs VCC = 750 V vL = ±15 V vCEM = 900 V RGF = RGR = 0,82 iCMK1 10000 A tvj = 125°C iCMK2 8000 A Unabhängig davon gilt bei abweichenden Bedingungen / with regard to other conditions
v CEM = VCES - 15nH x |dic/dt|
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
FZ 1200 R12 KF4
2500
2500
VGE=20V
15V 12V
iC [A] 2000
iC [A] 2000
10V
1500
1500
9V
1000
1000
8V
500
500
0 1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0 v CE [V]
4. 5
5.0
0 1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0 v CE [V]
4.5
5.0
FZ1200R12KF4
FZ1200R12KF4
Bild/F ig. 1 Kollektor-Emitter-Spannung im Sättigungsbereich (typisch) Collec tor-emitter-voltage in saturation region (typical) VGE = 15V ----- T vj = 25 °C ___ Tvj = 125 °C 2500 t vj = 125 °C 25 °C 2500
Bild/Fig. 2 Kollektor-Emitter-Spannung im Sättigungsbereich (typisch) Collector-emitter-voltage in saturation region (typical) Tvj = 125 °C
iC [A] 2000
iC [A]
2000
1500
1500
1000
1000
500
500
0
5
6
7
8
9
10 v GE [V]
11
12
0
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
FZ1200R12KF4
FZ1200R12KF4
v CE [V]
Bild/Fig. 3 Übertragungscharakteristik (typisch) Transfer characteristic (typical) VCE = 20 V
Bild/Fig. 4 Rück wärts-Arbeitsbereich Reverse biased safe operating area tvj = 125 °C, vLF = vLR = 15 V, RG = 0,82
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