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Details, datasheet, quote on part number:FZ1200R16KF4
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Datasheet text preview:
European PowerSemiconductor and Electronics Company
Marketing Information FZ 1200 R 16 KF4
18 sc re wing depth m ax . 8 6 1 ,5 M8
3 1 ,5
130 114
C
C
E E C G
E
M4 28
7
1 6 ,5
2 ,5 1 8 ,5
external connection (to be done)
C C
C
G E E E
external connection (to be done)
VWK Apr. 1997
IGBT-Module
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kolle kto r-Emitte r-Sperrspa nnung Kolle kto r-Dau erg leichstrom Periodischer Kollektor Spitzenstrom Ge samt-Verlustle istung Ga te-Emitter-Sp itzenspan nung Dauergleich strom Periodischer Spitzenstrom Iso lations-Prüfspan nung Kolle kto r-Emitte r Sättigungsspannung Ga te-Schwelle nsp annu ng Eingan gskap azität Kolle kto r-Emitte r Reststrom Ga te-Emitter Reststrom Emitter-Gate Reststrom Einscha ltzeit (induktive Last) co llector-e mitt er voltage DC-co llect or current repetitive peak collector current tota l power dissipation gate -e mit ter peak voltage DC forward current repetitive peak forw. current in sulation test voltage co llector-e mitt er saturation voltage gate threshold voltage in put capacity co llector-e mit ter cut-off current gate leakage current gate leakage current turn-on time (inductive load) tp=1ms RMS, f=50 Hz, t= 1 min. iC=1,2kA, vGE=15V, t vj=2 5°C tp=1 ms tC=25 °C, Transistor /transistor VCES IC ICRM Ptot VGE IF
FZ 1200 R 16 KF4
16 00 V 12 00 A 24 00 A 78 00 W ± 20 V 12 00 A 24 00 A 3 ,4 kV min. iC=1,2kA, vGE=15V, t vj=1 25°C vCE sat vGE(TO) iCES iGES ton Cies 4,5 ts tf typ. 3,5 4,6 5,5 180 8 80 0,8 1 1,1 1,3 0,25 0,3 max. 3 ,9 V 5V 6 ,5 V - nF - mA - mA 4 00 nA 4 00 nA - µs - µs - µs - µs - µs - µs
IFRM
VISOL
Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor
iC=80mA, vCE=vGE, tvj=25°C fO=1MHz, tvj=25°C,vCE=25V, v GE=0V vCE=160 0V, v GE=0V, t vj=2 5°C vCE=160 0V, v GE=0V, t vj=1 25°C vCE=0V, v GE=20V, t vj=25 °C vCE=0V, v EG=20V, t vj=25 °C
iC=1,2kA,v CE=900 V,v L=±15V RG=1 ,8, tvj=25°C iC=1,2kA,v CE=900 V,v L=±15V RG=1 ,8, tvj=25°C RG=1 ,8, tvj=125 °C RG=1 ,8, tvj=125 °C
iEGS
Spe icherzeit (induktive Last)
st orage time (inductive load)
Fallze it (induktive Last)
fall time (inductive load)
RG=1 ,8, tvj=25°C RG=1 ,8, tvj=125 °C
iC=1,2kA,v CE=900 V,v L=±15V
Charakteristische Werte / Characteristic values
Tran sist or / Transistor Einscha ltverlusten ergie pro Puls Abschaltve rlustenergie pro Puls Inversdiode / Inverse diode Durch laßspan nung Rückstromspitze forward voltage pea k reverse recovery current turn-on energy loss per pulse turn-off energy loss per pulse RG=1 ,8, tvj=125 °C, LS= 70nH iC=1,2kA,v CE=900 V,v L=±15V Eon Eoff Qr RthJC RthCK tc op tstg 490 290 2,4 2,2 460 640 100 220 - mWs - mWs 2 ,8 V -V -A -A - µAs - µAs 0,0 16 °C/W 0 ,04 °C/W 0,0 08 °C/W 1 50 °C -40...+125 °C -40...+125 °C Al2O3
iC=1,2kA,v CE=900 V,v L=±15V RG=1 ,8, tvj=125 °C, LS= 70nH iF=1200 A, vGE=0V, t vj=25 °C
iF=1,2kA, -diF/d t=6kA/µs
iF=1200 A, vGE=0V, t vj=12 5°C
vF IRM
Spe rrverzö gerungsladun g
reco ve re d charge
vRM=9 00V, v EG=10V, t vj=125 °C iF=1,2kA, -diF/d t=6kA/µs vRM=9 00V, v EG=10V, t vj=125 °C vRM=9 00V, v EG=10V, t vj=25°C
vRM=9 00V, v EG=10V, t vj=25°C
Therm ische Eigenschaften / Thermal properties
Inne rer Wärmewiderstand Übergan gs-Wärmewiderstand Höchst zul. Sperrschichttemperatur Bet riebstemp eratur Lage rte mpe rat ur Inne re Isolation therma l resistance, junction to case therma l resistance, case to heatsink max. junction temperature ope ra ting temperature st orage temperature in ternal insulation terminals M6 / tolerance ±10% terminals M4 / tolerance +5/-10% terminals M8 Ge wicht weight G
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. Bedingung für den Kurzschlußschutz / Conditions for short-circuit protection tfg = 10 µs vL = ±15V RGF = RGR = 1,8 W tvj = 125°C VCC = 1000 V vCEM = 1300 V iCMK1 » 12000 A iCMK2 » 9000 A
CEM
Transistor / transistor, DC Diode /diode, DC pro Module / per Module
tvj max
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Anzug sdreh mome nt f. mech. Befestigung / mounting torque Anzug sdreh mome nt f. elektr. Anschlüsse / terminal connection torque M1 M2 3 Nm
2 Nm 8.. .10 Nm ca. 1500 g
Unabhängig davon gilt bei abweichenden Bedingungen / with regard to other conditions v
= VCES - 15nH x |di c/dt|
FZ 1200 R 16 KF4
2500 iC [A] 2000 1 500 2 000 iC [A]
VGE = 20 V 15 V
1500 1 000 1000
12 V 10 V 9V
500 500
8V
0 1
FZ 1200 R 16 KF4 / 1
2
3
4 vCE [V]
5
0 1
FZ 1200 R 16 KF4 / 2
2
3
4 vCE [V]
5
Bild / Fig. 1 Kolle ktor-Emitte r-Spann ung im Sättigungsbereich (typisch) / C ollector-e mitter-voltage in saturation region (typical) VGE = 15 V t vj = 25°C t vj = 125°C
Bild / Fig. 2 Kollektor-Emitte r-Spann ung im Sättigungsbereich (typisch) / Co llector-e mit ter-voltage in saturation region (typical) tvj = 125°C
2500 iC [A] 2000
tvj = 125 °C 25 °C
2 500 iC [A] 2 000
1500
1 500
1000
1 000
500
500
0 5
6
7
8
9
10
FZ 1200 R 16 KF4 / 3
11 vGE [V]
12
0 0
FZ 1200 R 16 KF4 / 4
5 00
1000
150 0 vCE [V]
200 0
Bild / Fig. 3 Ü bertragun gscha ra kteristik (typisch) / Tran sfer characteristic (typical) VCE = 20 V
Bild / Fig. 4 Rü ckwärts-Arbeitsb ereich / Re ve rse biased safe operating area tvj = 125 °C vLF = vLR = 15 V RG = 1,8
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