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Details, datasheet, quote on part number:FZ1600R17KF6CB2
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Datasheet text preview:
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
FZ1600R17KF6C B2
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral der Diode 2 I t - value, Diode Isolations-Prüfspannung insulation test voltage tp = 1 ms TC = 80 °C TC = 25 °C tP = 1 ms, TC = 80°C VCES IC,nom. IC ICRM 1700 1600 2600 3200 V A A A
TC=25°C, Transistor
Ptot
12,5
kW
VGES
+/- 20V
V
IF
1600
A
IFRM
3200
A
VR = 0V, t p = 10ms, T Vj = 125°C
It
2
660
kA s
2
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
VISOL
4
kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current IC = 1600A, V GE = 15V, Tvj = 25°C IC = 1600A, V GE = 15V, Tvj = 125°C IC = 130mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGE(th) 4,5 VCE sat
min.
typ.
2,6 3,1 5,5
max.
3,1 3,6 6,5 V V V
VGE = -15V ... +15V
QG
19
µC
f = 1MHz,Tvj = 25°C,V CE = 25V, V GE = 0V
Cies
105
nF
f = 1MHz,Tvj = 25°C,V CE = 25V, V GE = 0V VCE = 1700V, V GE = 0V, Tvj = 25°C VCE = 1700V, V GE = 0V, Tvj = 125°C VCE = 0V, V GE = 20V, Tvj = 25°C
Cres ICES
5,3 0,04 20 3 160 400
nF mA mA nA
IGES
prepared by: Alfons Wiesenthal approved by: Christoph Lübke; 06.02.2001
date of publication: 19.01.2001 revision: 2 (Serie)
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FZ1600R17KF6C B2.xls
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
FZ1600R17KF6C B2
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn on delay time (inductive load) IC = 1600A, V CE = 900V VGE = ±15V, RG = 0,9, Tvj = 25°C VGE = ±15V, RG = 0,9, Tvj = 125°C Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) IC = 1600A, V CE = 900V VGE = ±15V, RG = 0,9, Tvj = 25°C VGE = ±15V, RG = 0,9, Tvj = 125°C Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) IC = 1600A, V CE = 900V VGE = ±15V, RG = 0,9, Tvj = 25°C VGE = ±15V, RG = 0,9, Tvj = 125°C Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) IC = 1600A, V CE = 900V VGE = ±15V, RG = 0,9, Tvj = 25°C VGE = ±15V, RG = 0,9, Tvj = 125°C Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse Kurzschlußverhalten SC Data Modulinduktivität stray inductance module Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip module lead resistance, terminals - chip IC = 1600A, V CE = 900V, V GE = 15V RG = 0,9, Tvj = 125°C, LS = 50nH IC = 1600A, V CE = 900V, V GE = 15V RG = 0,9, Tvj = 125°C, LS = 50nH tP 10µsec, V GE 15V TVj125°C, VCC=1000V , VCEmax=VCES -LsCE ·dI/dt ISC LsCE 6400 12 A nH Eoff 670 mWs Eon 430 mWs tf 0,15 0,16 µs µs td,off 1,2 1,2 µs µs tr 0,19 0,19 µs µs td,on 0,3 0,3 µs µs
min.
typ.
max.
RCC´+EE´
0,08
m
Charakteristische Werte / Characteristic values
Diode / Diode
Durchlaßspannung forward voltage Rückstromspitze peak reverse recovery current IF = 1600A, V GE = 0V, Tvj = 25°C IF = 1600A, V GE = 0V, Tvj = 125°C IF = 1600A, - diF/dt = 9600A/µsec VR = 900V, VGE = -10V, T vj = 25°C VR = 900V, VGE = -10V, T vj = 125°C Sperrverzögerungsladung recovered charge IF = 1600A, - diF/dt = 9600A/µsec VR = 900V, VGE = -10V, T vj = 25°C VR = 900V, VGE = -10V, T vj = 125°C Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy IF = 1600A, - diF/dt = 9600A/µsec VR = 900V, VGE = -10V, T vj = 25°C VR = 900V, VGE = -10V, T vj = 125°C Erec 210 380 mWs mWs Qr 300 560 µAs µAs IRM 1400 1700 A A VF
min.
typ.
2,1 2,1
max.
2,5 2,5 V V
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FZ1600R17KF6C B2.xls
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
FZ1600R17KF6C B2
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
min.
Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operation temperature Lagertemperatur storage temperature Transistor / transistor, DC Diode/Diode, DC pro Modul / per module Paste = 1 W/m*K / grease = 1 W/m*K RthCK 0,008 RthJC
typ.
max.
0,01 0,017 K/W K/W K/W
Tvj
150
°C
Top
-40
125
°C
Tstg
-40
125
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation Kriechstrecke creepage distance Luftstrecke clearance CTI comperative tracking index Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminal connection torque Gewicht weight terminals M4 terminals M8 G 1050 min. M1 AlN
17
mm
10
mm
275 5 Nm
M2
2 8 - 10
Nm Nm g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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