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Details, datasheet, quote on part number:FZ1800R12KF4
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Datasheet text preview:
European PowerSemiconductor and Electronics Company
Marketing Information FZ 1800 R 12 KF4
61,5 13 61,5
31,5
190 57 1 C 2
171
3 C
4 C
M8
M4 4,0 deep 2,5 deep 28 C 8 E
E
E G 20,25
E
7
6
5 M6
79,4 exter nal connection to be done C C C C
41,25
7
G E E E external connection to be done E
VWK, January 1997
FZ 1800 R 12 KF4
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung Kollektor-Dauer gleichstrom Period. Kollektor Spitzenstrom Gesamt-Verlustleistung Gate-Emitter-Spitzenspannung Dauergleichstrom Periodischer Spitzenstrom Isolations-Prüfspannung collector- emitter voltage DC-collector current repetitive peak collector current total power dissipation gate-emitter peak voltage DC forward current repetitive peak forw. current insulating test voltage VCES IC ICRM Ptot VGE IF IFRM VISOL min. 4,5 typ. 2,7 3,3 5,5 135 1200 V 1800 A 3600 A 11 kW +/- 20 V 1800 A 3600 A 2,5 kV max 3,2 V 3,9 V 6,5 V - nF 30 mA 300 mA 400 nA 400 nA - µs - µs - µs - µs - µs - µs
tp=1 ms tC=25°C, Transistor
tp=1ms RMS, f=50 Hz, t= 1 min.
Koll.-Emitter Sättigungsspannung Gate-Schwellspannung Eingangskapazität Kollektor-Emitter Reststrom Gate-Emitter Reststrom Emitter -Gate Reststrom Einschaltzeit (ohmsche Last)
Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor
coll.-emitter saturation voltage
gate threshold voltage input capacity collector -emitter cut-off current gate leakage current gate leakage current turn-on time (resistive load)
iC=1,8kA, vGE =15V, tvj=25°C iC=1,8kA,vGE =15V,t vj=125°C iC=72mA,vCE =vGE ,tvj=25°C fO=1MHz,tvj=25°C,vCE =25V, vGE =0 vCE =1200V,vGE =0V,t vj=25°C vCE =1200V,vGE =0V,t vj=125°C vCE =0V, vGE =20V, t vj=25°C vCE =0V, vEG =20V, t vj=25°C iC=1,8kA,vCE =600V,v L=15V vL=15V,R G=0,43 ,tvj=25°C tvj=125°C iC=1,8kA,vCE =600V,v L=15V vL=15V,R G=0,43 ,tvj=25°C tvj=125°C iC=1,8kA,vCE =600V,v L=15V vL=15V,R G=0,43 ,tvj=25°C tvj=125°C
vCE sat vGE(th) C ies iCES iGES iEGS ton
Speicherzeit (induktive Last)
storage time
ts
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
tf
tfg = 10µs VCC = 750V vL = ± 15V vCEM = 900V iCMK1 = 18000V RGF = RGR =0,43 tvj = 125°C iCMK2 = 13500V Unabhängig davon dilt bei abweichenden Bedingungen / with regard to other conditions
Bedingungen für den Kurzschlußschutz / Conditions for short-circuit protection
vCEM = VCES - 12nH . |diC/dt|
Durchlaßspannung Rückstromspitze
Charakteristische Werte / Characteristic values: Invers-Diode
forward voltage
peak reverse recovery current
iF=1,8kA, vGE =0V, t vj=25°C iF=1,8kA, vGE =0V, t vj=125°C iF=1,8kA, -diF/dt=1,8kA/µs vRM =600V,v EG =10V,t vj=25°C vRM =600V,v EG =10V,t vj=125°C iF=1,8kA, -diF/dt=1,8kA/µs vRM =600V,v EG =10V,t vj=25°C vRM =600V,v EG =10V,t vj=125°C
VF IRM
-
2,2 2 -
2,7 V 2,5 V -A -A - µAs - µAs
Sperrverzögerungsladung
recover ed charge
Qr
Innerer Wärmewiderstand
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
thermal resist., junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand Höchstzul. Sperrschichttemp. Betriebstemperatur Lagertemperatur
thermal resist., case to heatsink max. junction temperature operating temperature storage temperature
Transistor / transistor, DC Diode, DC pro Module / per Module Transistor Transistor / transistor
R thJC R thCK tvj max tc op tstg
0,011 °C/W 0,024 °C/W 0,006 °C/W 150 °C -40...+125 °C -40...+125 °C
Gehäuse, siehe Anlage Innere Isolation Anzugsdrehm. f. mech. Befest. Anzugsdrehm. f. elektr. Anschl. Gewicht
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
case, see appendix internal insulation mounting torque terminal connection torque weight
Seite / page M1 M2 G
terminals M4 terminals M8
1 Al2O3 3 Nm 2 Nm 8...10 Nm ca.2300 g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
256
eupec GmbH + Co KG, Max-Plank-Str. 5, D59581 Warstein, Telefon +49 (0)2902/764-0, Telefax /764-
FZ 1800 R 12 KF4
4 000 4 000 VGE=20V 3 000 iC [A] 3 000 iC [A] 15 V 12V 10V 2 000 2 000 9V 1 000 1 000
8V
0 1
FZ 1800 R 12 KF4
2
3
4 vCE [V]
5
0 1
FZ 1800 R 12 KF4
2
3
4 vCE [V]
5
Bild / Fig. 1 Kolle ktor-Emitte r-Spann ung im Sättigungsbereich (typisch) C ollector-e mitter-voltage in saturation region (typical) VGE = 15V - - - - tvj = 25°C ____ t = 125°C vj
Bild / Fig. 2 Kollektor-Emitte r-Spann ung im Sättigungsbereich (typisch) Co llector-e mit ter-voltage in saturation region (typical) tvj = 125°C
4 000 tvj= 1 25°C 25°C
1 0-1 8 6 4 Z(th)JC [°C/W] 2 1 0-2 8 6 4 2 Dio de IGBT
3 000 iC [A]
2 000
1 000
0 5
6
7
8
9
10
FZ 1800 R 12 KF4
11 vGE [V]
12
1 0-3 10-3
2
4
6 10 -2
2
4
6 10-1
2
4
6
100
2
4
6 101
FZ 1800 R 12 KF4
t [s]
Bild / Fig. 3 Ü bertragun gscha ra kteristik (typisch) Tran sfer characteristic (typical) VCE = 20V
Bild / Fig. 4 Transienter innerer Wärmewiderstand (DC) Transient thermal impedance (DC)
4 000
3 000 iF [A]
2 000
1 000
0 0 ,5
FZ 1800 R 12 KF4
1 ,0
1,5
2,0
2,5 vF [V]
3,0
Bild / Fig. 5 D urchlaßkennlin ie der Inversdiode (typisch) Fo rwa rd charakteristic of the inverse diode (typical) ----- tvj = 25°C _ __ t = 125°C vj
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