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Details, datasheet, quote on part number:FZ1800R16KF4
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Datasheet text preview:
European PowerSemiconductor and Electronics Company
Marketing Information FZ 1800 R 16 KF4
61,5 13 61,5 M8
31,5 1 2
190 57
171 3 4
C
C
C
M4 4,0 tief 2,5 tief 28 8 C E
E
E G
E
7
20,25 41,25
6
5 7 (for M6 screw)
79,4 external connection to be done C C C C
G E E E external connection to be done E
VWK, 27.6.1997
FZ 1800 R 16 KF4
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Kollektor-Dauergleichstrom Periodis cher Kollektor Spitzenstrom Ges amt-Verlustleistung Gate-Emitter-Spitz enspannung Dauergleic hs trom Periodis cher Spitzenstrom Is olations-Prüfspannung Kollektor-Emitter Sättigungsspannung Gate-Emitter-Sc hwellspannung Eingangsk apazität Kollektor-Emitter Reststrom Gate-Emitter Reststrom Emitter-Gate Reststrom Einsc haltz eit (induktive Last) collector-emitter voltage DC-collector current repetitive peak collctor current total power dissipation gate-emitter peak voltage DC forward current repetitive peak forw. current insulating test voltage collector-emitter saturation voltage gate threshold voltage input capacity collector-emitter cut-off current gate leakage current gate leakage current turn-on time (induktive load) tp= 1 ms tC= 25°C, Transistor /transistor VCES IC ICRM Ptot VGE IF IFRM Vorläufige Daten Preliminary data 1600 V 1800 A 3600 A 11 kW +/- 20 V 1800 A 3600 A 3,4 kV m in . iC= 1,8k A,vGE= 15V, t vj= 25°C iC= 1,8k A,vGE= 15V, t vj= 125°C iC= 120mA, vCE= vGE, tvj= 25°C fO=1MHz ,tvj=25°C,vCE=25V,v GE=0 vCE=1600V, v GE= 0V, t vj=25°C vCE=1600V, v GE= 0V, t vj=125°C vCE=0V, vGE= 20V, t vj= 25°C vCE sat vGE(th) Cies iCES iGES 4,5 ty p. 3,5 4,6 5,5 270 12 120 0,8 1,0 1,1 1,3 0,25 0,30 ma x 3,9 V 5,0 V 6,5 V - nF - mA - mA 600 nA 600 nA - µs - µs - µs - µs - µs - µs
RMS, f=50 Hz, t= 1 min.
tp= 1m s
VISOL
Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor
Speicherz eit (induktive Last)
storage time
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
vCE=0V, vGE= 20V, t vj= 25°C iC=1,8kA,vCE=900V vL=15V,R G= 1,2 , tvj = 25°C vL= 15V,R G=1,2 , tvj=125°C iC=1,8kA,vCE=900V vL=15V,R G= 1,2 , tvj = 25°C vL= 15V,R G=1,2 , tvj=125°C iC=1,8kA,vCE =900V vL =15V,R G=1,2 , t vj =25°C vL= 15V,R G=1,2 , tvj=125°C
iEGS ton
ts
tf
Transistor / transistor Einschaltverlus tenergie pro Puls Abschaltverlus tenergie pro Puls Inversdiode / Inverse diode Durchlaßs pannung Rücks troms pitze
Charakteristische Werte / Characteristic values:
turn-on energy lost per puls turn-off energy lost per puls forward voltage peak reverse recovery current i C=1,8kA,vCE= 900V,LS = 50nH vL= 15V,R G=1,2 , tvj =125°C i C=1,8kA,vCE= 900V,LS = 50nH vL= 15V,R G=1,2 , tvj =125°C iF= 1,8kA, vGE=0V, t vj= 25°C Eon Eoff VF IRM 750 450 2,4 2,2 1100 1300 180 400 - mWs - mW s
2,8 V -V -A -A - µA s - µA s
iF= 1,8kA, vGE=0V, t vj= 125°C iF= 1,8kA, -diF/dt=600A/µs
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
vRM= 900V, v EG= 10V, t vj= 25°C vRM= 900V, v EG= 10V, t vj= 125°C iF= 1,8kA, -diF/dt=1,8kA/µ s
vRM= 900V, v EG= 10V, t vj= 25°C vRM= 900V, v EG= 10V, t vj= 125°C
Qr
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand Übergangs -Wärmewiderstand Höchstz ul. Sperrschichttemperatur Betriebstemperatur Lagertemperatur thermal resistance, junction to case thermal resistance, case to heatsink max . junction temperature operating temperature storage temperature Transistor / transistor, DC Diode, DC pro Module / per Module pro Module / per Module Diode / diode RthJC RthCK tvj max tc op tstg 0,011 °C/W 0,027 °C/W 0,006 °C/W 150 °C -40...+125 °C -40...+125 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage Innere Isolation Anzugs drehmoment f. mech. Befestigung Anzugs drehmoment f. elektr. Anschlüsse Gewicht case, see appendix internal insulation mounting torque terminal connection torque weight terminals M6 / tolerance +/-15% terminals M4 / tolerance +5%/-10% terminals M8 G M1 M2 Seite 3 Al2O3 5 Nm 2 Nm 8...10 Nm ca.2300 g
Bedingungen für den Kurzschlußschutz
RGF= RGR = 1,2 tvj= 125°C tfg= 10µs , vLF= vLR = 15V, VCC=1000V VCEM=1300V iCMK1 18000A iCMK2 13500A
Conditions for short-circuit protection
Unabhängig davon gilt bei abweich. Bedingungen / with regard to other conditions v CEM = VCES -12 nH x Idic/dtI
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit dem zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
eupec GmbH + Co KG, Max-Planck-Str. 5, D59581 Warstein, Telefon +49 (0)2902/ 764-0, Telefax /764-256
FZ 1800 R 16 KF4
4000 3000
3000 iC [A]
VGE = 20V iC [A] 2000 15V 12V 10V 1000 9V 8V
2000
1000
0 1
FZ 1800 R 16 KF4
2
3
4 vCE [V]
5
0 1
FZ 1800 R 16 KF4
2
3
4 vCE [V]
5
Bild / Fig. 1 Kollektor-Emitter-Spannung im Sättigungsbereich (typisch) Collector-emitter-v oltage in saturation region (typical) VGE = 15 V tvj = 25 °C tvj = 125 °C
Bild / Fig. 2 Kollektor-Emitter-Spannung im Sättigungsbereich (typisch) Collec tor-emitter-voltage in saturation region (typical) tvj = 125 °C
4000 tvj= 125°C 25°C
4000
3000 iC [A]
3000 iC [A]
2000
2000
1000
1000
0 5
6
7
8
9
10
11 v GE [V]
12
0 0
FZ 1800 R 16 KF4
500
1000
1500 vCE [V]
2000
FZ 1800 R 16 KF4
Bild / Fig. 3 Übertragungscharakteristik (typisch) Transfer characteristic (typical) VCE= 20V
Bild / Fig. 4 Rückw ärts -Arbeitsbereich Reverse biased safe operating area tvj = 125°C,vLF = vLR = 15V, RG = 1.2
10-1 6 4 Z(th)JC [°C/W] 10-2 6 4 2 10-3 6 4 2 10-4 10-3
2 4 6 10-2 2 4 6 10-1 2 4 6 100 2 4 6 101
4000 Diode IGBT 3000 iF [A]
2000
1000
0 0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0 v F [V]
3,5
FZ 1800 R 16 KF4
t [s]
FZ 1800 R 16 KF4
Bild / Fig. 5 Transienter innerer Wärmewiderstand (DC) Transient thermal impedance (DC)
Bild / Fig. 6 Durchlaßk ennlinie der Inversdiode (typisch) Forward charateristic of the inverse diode (typical) tvj = 25°C tvj = 125°C
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