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Details, datasheet, quote on part number:FZ2400R12KF4
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Datasheet text preview:
European PowerSemiconductor and Electronics Company
Marketing Information FZ 2400 R 12 KF4
61,5 13 61,5
190 171 31,5 1 2 57 3 4
C
C
C
E C M4 28 8 7 20,25 6 5 E G
E M8
41,25 79,4
7 (für M6-Schraube)
external connections to be done
C
C
C
C
G E
E
E
external connections to be done
E
20.03.1998
FZ 2400 R 12 KF4
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Kollektor-Dauergleichstrom Periodischer Kollektor Spitzenstrom Gesamt-Verlustleistung Gate-Emitter-Spitzenspannung Dauergleichstrom Periodischer Spitzenstrom Isolations-Prüfspannung Kollektor-Emitter Sättigungsspannung Gate-Schwellenspannung Eingangskapazität Kollektor-Emitter Reststrom Gate-Emitter Reststrom Emitter-Gate Reststrom Einschaltzeit (induktive Last) collector-emitter voltage DC-collector current repetitive peak collctor current total power dissipation gate-emitter peak voltage DC forward current repetitive peak forw. current insulation test voltage collector-emitter saturation voltage gate threshold voltage input capacity collector-emitter cut-off current gate leakage current gate leakage current turn-on time (inductive load) tp=1ms RMS, f=50 Hz, t= 1 min. iC=2,4kA, vGE=15V, Tvj=25°C iC=2,4kA, vGE=15V, Tvj=125°C iC=96mA, vCE=vGE, Tvj=25°C fO=1MHz,Tvj=25°C,vCE=25V, vGE=0V vCE=1200V, vGE=0V, Tvj=25°C vCE=1200V, vGE=0V, Tvj=125°C vCE=0V, vGE=20V, Tvj=25°C vCE=0V, vGE=20V, Tvj=25°C iC=2,4kA,vCE=600V,vL=±15V VLR=15V,RG=0,47 , Tvj=25°C VLR=15V,RG=0,47 , Tvj=125°C Speicherzeit (induktive Last) storage time (inductive load) iC=2,4kA,vCE=600V,vL=±15V VLR=15V,RG=0,47 , Tvj=25°C VLR=15V,RG=0,47 , Tvj=125°C Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) iC=2,4kA,vCE=600V,vL=±15V VLR=15V,RG=0,47 , Tvj=25°C VLR=15V,RG=0,47 , Tvj=125°C tf Eon Eoff vF IRM Qr RthJC RthCK T vj max T c op T stg 80 270 - µAs - µAs 0,0084 °C/W 0,014 °C/W typ. 0,006 °C/W 150 °C -40...+125 °C -40...+125 °C Al2 O 3 terminals M6 / tolerance ±15% terminals M4 / tolerance +5 / -10% terminals M8 Gewicht weight G Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. M1 M2 5 Nm 2 Nm 8...10 Nm ca. 2300 g 750 1200 -A -A 0,1 0,15 - µs - µs ts 0,9 1,0 - µs - µs vGE(th) Ci e s i CES i GES i EGS ton 0,7 0,8 - µs - µs tp=1 ms tC=25°C, Transistor / Transistor tvj = 25°C VCES IC ICRM Ptot VGE IF IFRM VISOL min. vCE sat 4,5 typ. 2,7 3,4 5,5 170 48 240 1200 V 2400 A 4800 A 15 k W ± 20 V 2400 A 4800 A 2,5 kV max. 3,2 V 4V 6,5 V - nF - mA - mA 600 nA 600 nA
Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor Einschaltverlustenergie pro Puls Abschaltverlustenergie pro Puls Inversdiode / Inverse diode Durchlaßspannung Rückstromspitze peak reverse recovery current turn-on energy loss per pulse turn-off energy loss per pulse forward voltage iC=2,4kA,vCE=600V,vL=±15V LS=40nH,RG=0,47 , Tvj=125°C iC=2,4kA,vCE=600V,vL=±15V LS=40nH,RG=0,47 , Tvj=125°C iF=2400A, vGE=0V, Tvj=25°C iF=2400A, vGE=0V, Tvj=125°C iF=2,4kA, -diF/dt=12kA/µs vRM=600V, vEG=10V, Tvj=25°C vRM=600V, vEG=10V, Tvj=125°C Sperrverzögerungsladung recovered charge iF=2,4kA, -diF/dt=12kA/µs vRM=600V, vEG=10V, Tvj=25°C vRM=600V, vEG=10V, Tvj=125°C Transistor / transistor, DC Diode /diode, DC Übergangs-Wärmewiderstand Höchstzul. Sperrschichttemperatur Betriebstemperatur Lagertemperatur Innere Isolation thermal resistance, case to heatsink max. junction temperature operating temperature storage temperature internal insulation pro Module / per Module 310 410 2,2 2 - mWs - mWs 2,7 V 2,5 V
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung ounting torque m Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsseerminal connection torque t
Bedingung für den Kurzschlußschutz / Conditions for short-circuit protection tfg = 10 µs VCC = 750 V vL = ±15V vCEM = 850 V RGF = RGR = 0,47 iCMK1 15000 A tvj = 125°C iCMK2 13000 A Unabhängig davon gilt bei abweichenden Bedingungen / with regard to other conditions vCEM = VCES - 12nH x |dic/dt|
FZ 2400 R 12 KF4
5000 5000
VGE = 20 V 15 V 12 V 10 V
4000 iC [ A] 3000
4000 iC [A] 3000
9V
2000
2000
8V
1000
1000
0 1
FZ 2400 R 12 KF4 / 1
2
3
4 v CE [V]
5
0 1
FZ 2400 R 12 KF4 / 2
2
3
4 v CE [V]
5
Bi ld / Fig. 1 Ko llekt or-Emit ter-Spann ung im Sättigungsbereich (typisch) / Col lector-emi tter-voltag e in saturation region (typical) VG E = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C
Bi ld / Fig. 2 Ko llekto r-Emitte r-Spann ung im Sättigungsbereich (typisch) / Col lector-emi tter-voltage in saturation region (typical) Tvj = 125°C
5000
tvj = 25°C 1 2 5 °C
5000
iC [ A]
4000
4000 iC [A] 3000
3000
2000
2000
1000
1000
0 5
6
7
8
9
10
FZ 2400 R 12 KF4 / 3
11 vGE [V]
12
0 0
200
400
600
800
1000
FZ 2400 R 12 KF4 / 4
1200 vC E [V]
1400
Bi ld / Fig. 3 Übe rtrag ungsc harakteris tik (typisch) / Trans fer characteristic (typical) VC E = 20 V
Bi ld / Fig. 4 Rüc kwä rt s-Arbe itsberei ch / Rev erse biased safe operating area Tvj = 125°C vLF = vLR = 15 V RG = 0,47
10 -1
7 5 3 Diode I G BT
5000
ZthJC 2 [ °C/ W ] 10 -2
7 5 3 2
-3
4000 iF [A] 3000
10
2000
7 5 3 2
1000
10 -4 -3 10
2
34
6
10-2
2
34
6
10- 1
2
34
6
100
2
34
6
101
0 0,5
1
1,5
2
FZ 2400 R 12 KF 4 / 5
t [s]
FZ 2400 R 12 KF4 / 6
2,5 vF [V]
3
Bi ld / Fig. 5 Trans ienter Wärmewiderstand (DC) / Trans ient thermal impedance (DC)
Bi ld / Fig. 6 Durch laßkenn linien der Inversdiode (typisch) Forward characteristics of the inverse diode (typical) Tvj = 25°C Tvj = 125°C
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