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Details, datasheet, quote on part number:FZ600R17KE3
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Datasheet text preview:
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
FZ 600 R17 KE3
vorläufige Daten preliminary data
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collctor current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral der Diode I2t - value, Diode Isolations-Prüfspannung insulation test voltage tp = 1 ms Tvj = 25°C TC = 80 °C TC = 25 °C tP = 1 ms, TC = 80°C VCES IC,nom. IC ICRM 1700 600 1070 1200 V A A A
TC=25°C, Transistor
Ptot
3120
W
VGES
+/- 20V
V
IF
600
A
IFRM
1200
A
VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C
It
2
53
kAs
2
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
VISOL
3,4
kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current IC = 600A, VGE = 15V, Tvj = 25°C IC = 600A, VGE = 15V, Tvj = 125°C IC = 24mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGE(th) VCE sat
min.
5,2
typ.
2,0 2,4 5,8
max.
2,45 6,4 V V V
VGE = -15V ... +15V
QG
-
6,8
-
µC
f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V
Cies
-
50
-
nF
f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V
Cres
-
1,8
-
nF
VCE = 1700V, VGE = 0V, Tvj = 25°C
ICES
-
-
5
mA
VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C
IGES
-
-
400
nA
prepared by: Alfons Wiesenthal approved by: Christoph Lübke
date of publication: 2003-03-31 revision: 2.1
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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
FZ 600 R17 KE3
vorläufige Daten preliminary data
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn on delay time (inductive load) IC =600A, VCE = 900V VGE = ±15V, RG = 2,4, Tvj = 25°C VGE = ±15V, RG = 2,4, Tvj = 125°C Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) IC = 600A, VCE = 900V VGE = ±15V, RG =2,4, Tvj = 25°C VGE = ±15V, RG = 2,4, Tvj = 125°C Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) IC = 600A, VCE = 900V VGE = ±15V, RG = 2,4, Tvj = 25°C VGE = ±15V, RG = 2,4, Tvj = 125°C Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) IC = 600A, VCE = 900V VGE = ±15V, RG = 2,4, Tvj = 25°C VGE = ±15V, RG = 2,4, Tvj = 125°C Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse Kurzschlußverhalten SC Data Modulinduktivität stray inductance module Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip module lead resistance, terminals - chip IC = 600A, VCE = 900V, VGE = ±15V RG = 2,4, Tvj = 125°C, L = 60nH IC =600A, VCE = 900V, VGE = ±15V RG = 2,4, Tvj = 125°C, L = 60nH tP 10µsec, VGE 15V TVj125°C, VCC=1000V, VCEmax=VCES -L CE ·dI/dt Anschlüsse / terminals: 1 - 2 Eon tf 0,15 0,23 200 µs µs mJ td,off 0,85 1,00 µs µs tr 0,10 0,10 µs µs td,on 0,28 0,33 µs µs
min.
typ.
max.
Eoff
-
190
-
mJ
ISC
-
2220
-
A
L CE
-
16
-
nH
TC=25°C
RCC´+EE´
-
0,50
-
m
Charakteristische Werte / Characteristic values
Diode / Diode
Durchlaßspannung forward voltage Rückstromspitze peak reverse recovery current IF = 600A, VGE = 0V, Tvj = 25°C IF = 600A, VGE = 0V, Tvj = 125°C IF = 600A, - diF/dt = 5200A/µs VR = 900V, VGE = -15V, Tvj = 25°C VR = 900V, VGE = -15V, Tvj = 125°C Sperrverzögerungsladung recovered charge IF = 600A, - diF/dt = 5200A/µs VR = 900V, VGE = -15V, Tvj = 25°C VR = 900V, VGE = -15V, Tvj = 125°C Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy IF = 600A, - diF/dt = 5200A/µs VR = 900V, VGE = -15V, Tvj = 25°C VR = 900V, VGE = -15V, Tvj = 125°C Erec 85 145 mJ mJ Qr 150 250 µC µC IRM 640 700 A A VF
min.
-
typ.
1,8 1,9
max.
2,2 t.b.d. V V
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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
FZ 600 R17 KE3
vorläufige Daten preliminary data
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
min.
Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operation temperature Lagertemperatur storage temperature Transistor / transistor, DC Diode/Diode, DC pro Modul / per module Paste = 1 W/m*K / grease = 1 W/m*K RthCK RthJC -
typ.
0,01
max.
0,040 0,065 K/W K/W K/W
Tvj max
-
-
150
°C
Tvjop
-40
-
125
°C
Tstg
-40
-
125
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation Kriechstrecke creepage distance Luftstrecke clearance CTI comperative tracking index Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminal connection torque Gewicht weight Schraube / screw M6 Anschlüsse / terminals M6 Anschlüsse / terminals M4 M M M 3 2,5 1,1 Al2O3
20
mm
11
mm
425
340
6 5 2
Nm Nm Nm g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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