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Details, datasheet, quote on part number:FZ800R16KF4
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Datasheet text preview:
European PowerSemiconductor and Electronics Company
Marketing Information FZ 800 R 16 KF4
18 sc re wing depth m ax . 8 6 1 ,5 M8
3 1 ,5
130 114
C
C
E E C G
E
M4 28
7
1 6 ,5
2 ,5 1 8 ,5
external connection (to be done)
C C
C
G E E E
external connection (to be done)
VWK Apr. 1997
IGBT-Module
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Kollektor-Dauergleichstrom Periodischer Kollektor Spitzenstrom Gesamt-Verlustleistung Gate-Emitter-Spitzenspannung Dauergleichstrom Periodischer Spitzenstrom Isolations-Prüfspannung collector-emitter voltage DC-collector current repetitive peak collector current total power dissipation gate-emitter peak voltage DC forward current repetitive peak forw. current insulation test voltage tp=1ms RMS, f=50 Hz, t= 1 min. tp=1 ms tC=25°C, Transistor /transistor VCES IC ICRM Ptot VGE IF IFRM VISOL
FZ 800 R 16 KF4
1600 V 800 A 1600 A 6250 W ± 20 V 800 A 1600 A 3,4 kV min. typ. 3,3 4,4 5,5 130 6 60 0,8 1 1,1 1,3 0,25 0,3 max. 3,7 V 4,8 V 6,5 V - nF - mA - mA 400 nA 400 nA - µs - µs - µs - µs - µs - µs
Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung Gate-Schwellenspannung Eingangskapazität Kollektor-Emitter Reststrom Gate-Emitter Reststrom Emitter-Gate Reststrom Einschaltzeit (induktive Last) collector-emitter saturation voltage gate threshold voltage input capacity collector-emitter cut-off current gate leakage current gate leakage current turn-on time (inductive load) iC=800A, v GE=15V, t vj=25°C iC=800A, v GE=15V, t vj=125°C iC=65mA, v CE=vGE, tvj=25°C fO=1MHz,t vj=25°C,v CE=25V, v GE=0V vCE=1600V, v GE=0V, t vj=25°C vCE=1600V, v GE=0V, t vj=125°C vCE=0V, v GE=20V, t vj=25°C vCE=0V, v EG=20V, t vj=25°C iC=800A,v CE=900V,v L=±15V vL=±15V, R G=2,4, tvj=25°C vL=±15V, R G=2,4, tvj=125°C Speicherzeit (induktive Last) storage time (inductive load) iC=800A,v CE=900V,v L=±15V vL=±15V, R G=2,4, tvj=25°C vL=±15V, R G=2,4, tvj=125°C Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) iC=800A,v CE=900V,v L=±15V vL=±15V, R G=2,4, tvj=25°C vL=±15V, R G=2,4, tvj=125°C tf ts iGES iEGS ton v GE(TO) Cies iCES vCE sat
4,5 -
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor Einschaltverlustenergie pro Puls Abschaltverlustenergie pro Puls Inversdiode / Inverse diode Durchlaßspannung Rückstromspitze forward voltage peak reverse recovery current iF=800A, v GE=0V, t vj=25°C iF=800A, v GE=0V, t vj=125°C iF=800A, -di F/dt=4,5kA/µs vRM=900V, v EG=10V, t vj=25°C vRM=900V, v EG=10V, t vj=125°C Sperrverzögerungsladung recovered charge iF=800A, -di F/dt=4,5kA/µs vRM=900V, v EG=10V, t vj=25°C vRM=900V, v EG=10V, t vj=125°C Qr 100 220 - µAs - µAs IRM 540 660 -A -A vF 2,4 2,2 2,8 V -V turn-on energy loss per pulse turn-off energy loss per pulse iC=800A,v CE=900V,v L=±15V RG=2,4, tvj=125°C, L S=70nH iC=800A,v CE=900V,v L=±15V RG=2,4, tvj=125°C, L S=70nH Eoff 180 - mWs E on 340 - mWs
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand Übergangs-Wärmewiderstand Höchstzul. Sperrschichttemperatur Betriebstemperatur Lagertemperatur thermal resistance, junction to case thermal resistance, case to heatsink max. junction temperature operating temperature storage temperature Transistor / transistor, DC Diode /diode, DC pro Module / per Module RthCK tvj max tc op tstg RthJC 0,02 °C/W 0,05 °C/W 0,01 °C/W 150 °C -40...+125 °C -40...+125 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Innere Isolation internal insulation terminals M6 / tolerance ±10% terminals M4 / tolerance +5/-10% terminals M8 Gewicht weight G Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. M1 M2 Al 2O3 3 Nm 2 Nm 8...10 Nm ca. 1500 g Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung / mounting torque Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse / terminal connection torque
Bedingung für den Kurzschlußschutz / Conditions for short-circuit protection tfg = 10 µs VCC = 1000 V vL = ±15V vCEM = 1300 V iCMK1 8000 A R GF = R GR = 2,4 tvj = 125°C iCMK2 6000 A Unabhängig davon gilt bei abweichenden Bedingungen / with regard to other conditions v
CEM
= V CES - 15nH x |di c/dt|
FZ 800 R 16 KF4
1 600 1 400
1 400 iC [A] 1 200
iC1 200 [A] 1 000
VGE = 20 V
15 V
1 000 800 800 600 600 400
12 V
10 V
9V
400
8V
200
200
0 1
FZ 800 R 16 KF4 / 1
2
3
4 vCE [V]
5
0 1
FZ 800 R 16 KF4 / 2
2
3
4 vCE [V]
5
Bild / Fig. 1 Kolle ktor-Emitte r-Spann ung im Sättigungsbereich (typisch) / C ollector-e mitter-voltage in saturation region (typical) VGE = 15 V t vj = 25°C t vj = 125°C
Bild / Fig. 2 Kollektor-Emitte r-Spann ung im Sättigungsbereich (typisch) / Co llector-e mit ter-voltage in saturation region (typical) tvj = 125°C
1 600
tvj = 125 °C 25 °C
2 000
1 400 iC [A] 1 200
iC [A] 1 500
1 000
800
1 000
600
400
500
200
0 5
6
7
8
9
10
FZ 800 R 16 KF 4 / 3
11 vGE [V]
12
0 0
FZ 800 R 16 KF4 / 4
5 00
1000
150 0 vCE [V]
200 0
Bild / Fig. 3 Ü bertragun gscha ra kteristik (typisch) / Tran sfer characteristic (typical) VCE = 20 V
Bild / Fig. 4 Rü ckwärts-Arbeitsb ereich / Re ve rse biased safe operating area tvj = 125 °C vLF = vLR = 15 V RG = 2,4
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