|
|
Part: 2N6107
Category:
Discrete
-> Transistors
-> Bipolar
-> Power
Description: Power 7A 70V Discrete PNP , Package: TO-220, Pins=3
Company: ON Semiconductor
Datasheet: Download 2N6107 datasheet File size : 175 kB
Request For quote: Find where to buy 2N6107
Datasheet text preview:
ON Semiconductor ) PNP
Complementary Silicon Plastic Power Transistors
. . . designed for use in general╜purpose amplifier and switching applications.
2N6107 2N6109 * 2N6111 2N6288
NPN
╥ DC Current Gain Specified to 7.0 Amperes
hFE = 30╜150 @ IC = 3.0 Adc -- 2N6111, 2N6288 = 2.3 (Min) @ IC = 7.0 Adc -- All Devices ╥ Collector╜Emitter Sustaining Voltage -- VCEO(sus) = 30 Vdc (Min) -- 2N6111, 2N6288 = 50 Vdc (Min) -- 2N6109 = 70 Vdc (Min) -- 2N6107, 2N6292 ╥ High Current Gain -- Bandwidth Product fT = 4.0 MHz (Min) @ IC = 500 mAdc -- 2N6288, 90, 92 = 10 MHz (Min) @ IC = 500 mAdc -- 2N6107, 09, 11 ╥ TO╜220AB Compact Package
2N6292*
*ON Semiconductor Preferred Device
7 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 30╜50╜70 VOLTS 40 WATTS
нн нн ннннннннннннннннннннннн нн нн н н н нннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннн н нн ннннннннннннннннннннннн н нн ннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннн нн н н нн нн ннннннннннннннннннннннн нн ннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннн н нн н ннннннннннннннннннннннн ннн нн ннннннннннннннннннннннн н нн ннннннннннннннннннннннн н нн ннннннннннннннннннннннн н нн ннннннннннннннннннннннн н нн ннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннн нн нн н ннннннннннннннннннннннн н нн ннннннннннннннннннннннн ннн н ннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннннн нн нн н нн нн н н нн н н нн н н ннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннн ннн н н н н нн нн н ннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннн
*MAXIMUM RATINGS
Rating Symbol VCEO VCB VEB IC IB PD 2N6111 2N6288 30 40 2N6109 50 60 2N6107 2N6292 70 80 Unit Vdc Vdc Vdc Adc Adc Collector╜Emitter Voltage Collector╜Base Voltage Emitter╜Base Voltage 5.0 7.0 10 3.0 Collector Current -- Continuous Peak Base Current Total Power Dissipation @ TC = 25_C Derate above 25_C Operating and Storage Junction Temperature Range 40 0.32 Watts W/_C _C TJ, Tstg ╜65 to +150
4
1
2
STYLE 1: PIN 1. 2. 3. 4.
BASE COLLECTOR EMITTER COLLECTOR
3
CASE 221A╜09 TO╜220AB
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol RJC
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case *Indicates JEDEC Registered Data.
3.125
_C/W
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.
╘ Semiconductor Components Industries, LLC, 2002
1
April, 2002 ╜ Rev. 5
Publication Order Number: 2N6107/D
2N6107 2N6109 2N6111 2N6288 2N6292
40 PD, POWER DISSIPATION (WATTS)
30
20
10
0
0
20
40 60 80 100 120 TC, CASE TEMPERATURE (╟C)
140
160
Figure 1. Power Derating
http://onsemi.com
2
нн ннннннннннннннннннннннннннннннннн нн ннн н н н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н нн н нн н нн ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн н нннннннннннннннннннннннннннннннн нн нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нн н н н н нн н н н нннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннн н н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н нн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н нн н нн нн н н нн н нннннннннннннннннннннннннннннннн н нннннннннннннннннннннннннннннннн н нннннннннннннннннннннннннннннннн нн нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н н нн н н нннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н ннн н н н н н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннн нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н н нн н нннннннннннннннннннннннннннннннн н н нн н нннннннннннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннннннннннннннн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н н нн н н нннннннннннннннннннннннннннннннн н н нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н нннннннннннннннннннннннннннннннн ннн н н н н нн н н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н н нннннннннннннннннннннннннннннннн ннн н н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннн нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн
Small╜Signal Current Gain (IC = 0.5 Adc, VCE = 4.0 Vdc, f = 50 kHz) *Indicates JEDEC Registered Data. (1) Pulse Test: Pulse Width v 300 ╣s, Duty Cycle v 2.0%. (2) fT = |hfe| ╥ ftest.
*ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25_C unless otherwise noted)
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ON CHARACTERISTICS (1)
OFF CHARACTERISTICS
Output Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Current Gain -- Bandwidth Product (2) (IC = 500 mAdc, VCE = 4.0 Vdc, ftest = 1.0 MHz)
Base╜Emitter On Voltage (IC = 7.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
Collector╜Emitter Saturation Voltage (IC = 7.0 Adc, IB = 3.0 Adc)
DC Current Gain (IC = 2.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc) (IC = 2.5 Adc, VCE = 4.0 Vdc) (IC = 3.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc) (IC = 7.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
Emitter Cutoff Current (VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
Collector Cutoff Current (VCE = 40 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc) (VCE = 60 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc) (VCE = 80 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc) (VCE = 30 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 150_C) (VCE = 50 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 150_C) (VCE = 70 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 150_C)
Collector Cutoff Current (VCE = 20 Vdc, IB = 0) (VCE = 40 Vdc, IB = 0) (VCE = 60 Vdc, IB = 0)
Collector╜Emitter Sustaining Voltage (1) (IC = 100 mAdc, IB = 0)
Characteristic
2N6107 2N6109 2N6111 2N6288 2N6292
http://onsemi.com
2N6107, 2N6292 2N6109 2N6111, 2N6288 All Devices 2N6111, 2N6288 2N6109 2N6107, 2N6292 2N6111, 2N6288 2N6109 2N6107, 2N6292 2N6288, 92 2N6107, 09, 11 2N6111, 2N6288 2N6109 2N6107, 2N6292 2N6111, 2N6288 2N6109 2N6107, 2N6292 VCEO(sus) VCE(sat) VBE(on) Symbol ICEO IEBO ICEX Cob hFE hfe fT Min 4.0 10 30 30 30 2.3 20 30 50 70 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- Max 250 150 150 150 -- 100 100 100 2.0 2.0 2.0 3.0 3.5 1.0 1.0 1.0 1.0 -- -- -- -- -- -- mAdc mAdc mAdc ╣Adc MHz Unit Vdc Vdc Vdc pF -- --
3
2N6107 2N6109 2N6111 2N6288 2N6292
VCC +30 V 25 ╣s +11 V 0 -9.0 V tr, tf 10 ns DUTY CYCLE = 1.0% -4 V RB 51 D1 RC SCOPE t, TIME ( ╣s) 2.0 1.0 0.7 0.5 0.3 0.2 0.1 0.07 0.05 0.03 0.02 0.07 0.1 TJ = 25╟C VCC = 30 V IC/IB = 10
tr td @ VBE(off) 5.0 V
RB and RC ARE VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS
D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPE, eg: 1N5825 USED ABOVE IB 100 mA MSD6100 USED BELOW IB 100 mA
0.2 0.3 0.5 2.0 1.0 IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
3.0
5.0 7.0
Figure 2. Switching Time Test Circuit
Figure 3. Turn╜On Time
r(t) , TRANSIENT THERMAL RESISTANCE (NORMALIZED)
1.0 0.7 0.5 0.3 0.2 0.1 0.07 0.05 0.03 0.02 0.01 0.01
D = 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 SINGLE PULSE 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 ZJC(t) = r(t) RJC RJC = 3.125╟C/W MAX D CURVES APPLY FOR POWER PULSE TRAIN SHOWN READ TIME AT t1 TJ(pk) - TC = P(pk) ZJC(t) 2.0 5.0 t, TIME (ms) 10 20 50 P(pk)
t2 DUTY CYCLE, D = t1/t2 100 200 500 1.0 k
t1
Figure 4. Thermal Response
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
15 10 0.5 ms dc
0.1 ms
7.0 5.0
3.0 2.0
0.1 ms CURRENT LIMIT SECONDARY BREAKDOWN LIMIT THERMAL LIMIT @ TC = 25╟C (SINGLE PULSE) 2.0 3.0 20 30 50 5.0 7.0 10 VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
1.0 0.7 0.5
5.0 ms
0.3 0.2 0.15 1.0
70 100
There are two limitations on the power handling ability of a transistor: average junction temperature and second breakdown. Safe operating area curves indicate IC ╜ VCE limits of the transistor that must be observed for reliable operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipation than the curves indicate. The data of Figure 5 is based on TJ(pk) = 150_C; TC is variable depending on conditions. Second breakdown pulse limits are valid for duty cycles to 10% provided T J ( p k ) v 150_C. TJ(pk) may be calculated from the data in Figure 4. At high case temperatures, thermal limitations will reduce the power that can be handled to values less than the limitations imposed by second breakdown.
Figure 5. Active╜Region Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
2N6107 2N6109 2N6111 2N6288 2N6292
5.0 3.0 2.0 1.0 0.7 0.5 0.3 0.2 0.1 0.07 0.05 0.07 0.1 ts TJ = 25╟C VCC = 30 V IC/IB = 10 IB1 = IB2 300 200 C, CAPACITANCE (pF) Cib 100 70 50 30 0.5 Cob TJ = 25╟C
t, TIME ( ╣s)
tr
0.2
1.0 0.3 0.5 2.0 3.0 IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
5.0 7.0
1.0
10 20 2.0 3.0 5.0 VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
30
50
Figure 6. Turn╜Off Time
Figure 7. Capacitance
http://onsemi.com
5
Others parts begin by 2n
2N-1 2N-2 2N-3 2N-4 2N-5 2N-6 2N-7 2N-8 2N-9 2N-10 2N-11 2N-12 2N-13 2N-14 2N-15 2N-16 2N-17 2N-18 2N-19 2N-20 2N-21 2N-22 2N-23 2N-24 2N-25 2N-26 2N-27 2N-28 2N-29 2N-30 2N-31
|
|
|
