|
Details, datasheet, quote on part number:2N6387
| |
| Part: | 2N6387 |
| Category: | Discrete => Transistors => Bipolar => Power |
| Description: | Power 8A 80V Darlington NPN , Package: TO-220, Pins=3 |
| Company: | ON Semiconductor |
| Datasheet: | Download 2N6387 datasheet File size : 71 kB |
| Request For quote: | Find where to buy 2N6387
|
| |
Datasheet text preview:
ON Semiconductor )
Plastic Medium-Power Silicon Transistors
. . . designed for generalpurpose amplifier and lowspeed switching applications.
2N6387 2N6388*
*ON Semiconductor Preferred Device
· High DC Current Gain -- · · · ·
hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc CollectorEmitter Sustaining Voltage @ 100 mAdc VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) -- 2N6387 = 80 Vdc (Min) -- 2N6388 Low CollectorEmitter Saturation Voltage -- VCE(sat) = 2.0 Vdc (Max) @ IC = 5.0 Adc -- 2N6387, 2N6388 Monolithic Construction with BuiltIn BaseEmitter Shunt Resistors TO220AB Compact Package
DARLINGTON 8 AND 10 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTORS 6080 VOLTS 65 WATTS
4
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ ÎÎÎ Î ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating Symbol VCEO VCB VEB IC IB PD 2N6387 60 60 10 15 2N6388 80 80 10 15 Unit Vdc Vdc Vdc Adc CollectorEmitter Voltage CollectorBase Voltage EmitterBase Voltage 5.0 Collector Current -- Continuous Peak Base Current Total Power Dissipation @ TC = 25_C Derate above 25_C Total Power Dissipation @ TA = 25_C Derate above 25_C 250 mAdc Watts W/_C Watts W/_C _C 65 0.52 PD 2.0 0.016 Operating and Storage Junction, Temperature Range TJ, Tstg 65 to +150
*MAXIMUM RATINGS
1
2
STYLE 1: PIN 1. 2. 3. 4.
BASE COLLECTOR EMITTER COLLECTOR
3 CASE 221A09 TO220AB
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristics
Symbol RJC RJA
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
1.92 62.5
_C/W _C/W
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2002
1
April, 2002 Rev. 10
Publication Order Number: 2N6387/D
2N6387 2N6388
TA TC 4.0 80 PD, POWER DISSIPATION (WATTS)
3.0
60 TC
2.0
40 TA
1.0
20
0
0
20
40
60 80 100 T, TEMPERATURE (°C)
120
140
160
Figure 1. Power Derating
http://onsemi.com
2
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎ Î Î Î ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎ Î Î Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎ Î Î Î Î ÎÎ Î ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î Î Î Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î Î Î Î ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î Î ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î Î ÎÎ Î Î ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
SmallSignal Current Gain (IC = 1.0 Adc, VCE = 5.0 Vdc, f = 1.0 kHz) *Indicates JEDEC Registered Data (1) Pulse Test: Pulse Width v 300 µs, Duty Cycle v 2.0%.
*ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25_C unless otherwise noted)
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ON CHARACTERISTICS (1)
OFF CHARACTERISTICS
Output Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
SmallSignal Current Gain (IC = 1.0 Adc, VCE = 5.0 Vdc, ftest = 1.0 MHz)
BaseEmitter On Voltage (IC = 5.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc) (IC = 10 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
CollectorEmitter Saturation Voltage (IC = 5.0 Adc, IB = 0.01 Adc) (IC = 10 Adc, IB = 0.1 Adc)
DC Current Gain (IC = 5.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc) (IC = 1 0 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
Emitter Cutoff Current (VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
Collector Cutoff Current (VCE = 60 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc) (VCE 80 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc) (VCE = 60 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 125_C) (VCE = 80 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 125_C)
Collector Cutoff Current (VCE = 60 Vdc, IB = 0) (VCE = 80 Vdc, IB = 0)
CollectorEmitter Sustaining Voltage (1) (IC = 200 mAdc, IB = 0)
Characteristic
2N6387 2N6388
http://onsemi.com
2N6387, 2N6388 2N6387, 2N6388 2N6387, 2N6388 2N6387, 2N6388 2N6387, 2N6388 2N6387, 2N6388 2N6387 2N6388 2N6387 2N6388 2N6387 2N6388 2N6387 2N6388 VCEO(sus) VCE(sat) VBE(on) Symbol ICEO IEBO ICEX |hfe| Cob hFE hfe 1000 1000 100 Min 20 60 80 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 20,000 -- Max 200 300 300 3.0 3.0 2.8 4.5 2.0 3.0 5.0 1.0 1.0 -- -- -- -- mAdc mAdc mAdc µAdc Unit Vdc Vdc Vdc pF -- --
3
2N6387 2N6388
VCC + 30 V RC SCOPE 7.0 5.0 3.0 ts tf 1.0 0.7 0.3 0.2 0.1 0.07 0.1 VCC = 30 V IC/IB = 250 IB1 = IB2 TJ = 25°C 0.2 tr
RB AND RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPES, e.g., 1N5825 USED ABOVE IB [ 100 mA MSD6100 USED BELOW IB [ 100 mA TUT RB V1 APPROX + 12 V 51 D1 [ 8.0 k [ 120 0 V2 APPROX -8V 25 µs
t, TIME ( µs)
tr, tf v 10 ns DUTY CYCLE = 1.0%
- 4.0 V FOR td AND tr, D1 IS DISCONNECTED AND V2 = 0
td
0.5 2.0 1.0 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
5.0
10
Figure 2. Switching Times Test Circuit
Figure 3. Switching Times
r(t), TRANSIENT THERMAL RESISTANCE (NORMALIZED)
1.0 0.7 0.5 0.3 0.2
D = 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 0.02 SINGLE PULSE 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 ZJC (t) = r(t) RJC RJC = 1.92°C/W MAX D CURVES APPLY FOR POWER PULSE TRAIN SHOWN READ TIME AT t1 TJ(pk) - TC = P(pk) ZJC(t) 2.0 5.0 t, TIME (ms) 10 20 50 P(pk)
0.1 0.07 0.05 0.03 0.02 0.01 0.01
t2 DUTY CYCLE, D = t1/t2 100 200 500 1.0 k
t1
Figure 4. Thermal Response
http://onsemi.com
4
2N6387 2N6388
20 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 10 dc 50 ms TJ = 150°C 5 ms 10 µs 50 µs 1 ms 5.0
2.0 1.0 0.5 0.2 0.1
BONDING WIRE LIMITED THERMALLY LIMITED @ TC = 100°C SECOND BREAKDOWN LIMITED CURVES APPLY BELOW RATED VCEO 2N6387 2N6388 80
0.03 1.0
2.0 4.0 6.0 40 60 10 20 VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
There are two limitations on the power handling ability of a transistor: average junction temperature and second breakdown. Safe operating area curves indicate IC VCE limits of the transistor that must be observed for reliable operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipation than the curves indicate. The data of Figure 5 is based on T J ( p k ) = 150_C; TC is variable depending on conditions. Second breakdown pulse limits are valid for duty cycles to 10% provided T J ( p k ) < 150_C. TJ ( p k ) may be calculated from the data in Figure 4. At high case temperatures, thermal limitations will reduce the power that can be handled to values less than the limitations imposed by second breakdown
Figure 5. Active-Region Safe Operating Area
10,000 hFE, SMALL-SIGNAL CURRENT GAIN 5000 3000 2000 1000 500 300 200 100 50 30 20 10 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 f, FREQUENCY (kHz) 200 500 1000 TC = 25°C VCE = 4.0 Vdc IC = 3.0 Adc
300 TJ = 25°C 200 C, CAPACITANCE (pF)
100 70 50 30 0.1 Cib
Cob
0.2
0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
50
100
Figure 6. SmallSignal Current Gain
Figure 7. Capacitance
10,000 hFE, DC CURRENT GAIN 5000 3000 2000 25°C 1000 -55°C 500 300 200 TJ = 150°C
VCE = 4.0 V
VCE , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
20,000
3.0 TJ = 25°C 2.6 IC = 2.0 A 2.2 1.8 1.4 1.0 4.0 A 6.0 A
0.1
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
5.0 7.0 10
0.3
0.5 0.7
1.0
2.0 3.0 5.0 7.0 IB, BASE CURRENT (mA)
10
20 30
Figure 8. DC Current Gain
Figure 9. Collector Saturation Region
http://onsemi.com
5
|
|
