|
|
Part: 2N6497
Category:
Discrete
-> Transistors
-> Bipolar
-> Power
Description: Power 5A 250V Discrete NPN , Package: TO-220, Pins=3
Company: ON Semiconductor
Datasheet: Download 2N6497 datasheet File size : 183 kB
Request For quote: Find where to buy 2N6497
Datasheet text preview:
ON Semiconductor )
High Voltage NPN Silicon Power Transistors
. . . designed for high voltage inverters, switching regulators and line╜operated amplifier applications. Especially well suited for switching power supply applications.
2N6497
5 AMPERE POWER TRANSISTORS NPN SILICON 250 VOLT 80 WATTS
╥ High Collector╜Emitter Sustaining Voltage ╜
VCEO(sus) = 250 Vdc (Min) ╥ Excellent DC Current Gain hFE = 10╜75 @ IC = 2.5 Adc ╥ Low Collector╜Emitter Saturation Voltage @ IC = 2.5 Adc ╜ VCE(sat) = 1.0 Vdc (Max)
4
нн нн ннннннннннннннннннннннн н нн ннннннннннннннннннннннн н нн ннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннн нн ннн н н нн н н н нннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннн н ннн н н нн нн н нннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннн н н ннннннннннннннннннннннн ннн нн ннннннннннннннннннннннн н нн ннннннннннннннннннннннн н нн ннннннннннннннннннннннн н нн ннннннннннннннннннннннн н нн ннннннннннннннннннннннн н нн ннннннннннннннннннннннн н нн ннннннннннннннннннннннн н нн ннннннннннннннннннннннн н нн ннннннннннннннннннннннн н нн ннннннннннннннннннннннн н нн ннннннннннннннннннннннн нннннннннннн нннннннннн н нн н ннннннннннннннннннннннн ннннннннннн ннннннннннннннннннннннн ннннннннннн ннннннннннннннннннннннн
MAXIMUM RATINGS (1)
Rating Symbol VCEO VCB VEB IC IB Value 250 350 6.0 5.0 10 2.0 Unit Vdc Vdc Vdc Adc Adc Collector╜Emitter Voltage Collector╜Base Voltage Emitter╜Base Voltage Collector Current ╜ Continuous ╜ Peak Base Current Total Power Dissipation @ TC = 25_C Derate above 25_C Operating and Storage Junction Temperature Range PD 80 0.64 Watts W/_C _C TJ,Tstg ╜65 to +150
1
2
STYLE 1: PIN 1. 2. 3. 4.
BASE COLLECTOR EMITTER COLLECTOR
3 CASE 221A╜09 TO╜220AB
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol RJC
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
1.56
_C/W
(1) Indicates JEDEC Registered Data.
╘ Semiconductor Components Industries, LLC, 2002
1
April, 2002 ╜ Rev. 11
Publication Order Number: 2N6497/D
ннннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н н нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нн нн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н н н нн н н нн н н нн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн н нннннннннннннннннннннннннннннннн нн нн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нн н н н н н нн н н н нн н н н нннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нн нн н н н нннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн нн н н н н н нн н н н н н нннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннн нн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н н н нн н н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нн нн н н н ннн н н н н н нн н н н нннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннн нн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н н нннннннннннннннннннннннннннннннн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н н н нн н н нн н н н н нннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н н н н н нн н н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннн нн нн н н н нн н н нннннннннннннннннннннннннннннннн ннн н н н н н нн н н н нн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н н н нннннннннннннннннннннннннннннннн ннн н н н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннн нн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн
Fall Time (VCC = 125 Vdc, IC = 2.5 Adc, IB1 = IB2 = 0.5 Adc) *Indicates JEDEC Registered Data. (1) Pulse Test: Pulse Width v 300 ╣s, Duty Cycle v 2.0%. SWITCHING CHARACTERISTICS DYNAMIC CHARACTERISTICS ON CHARACTERISTICS (1) OFF CHARACTERISTICS
*ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25_C unless otherwise noted)
Storage Time (VCC = 125 Vdc, IC = 2.5 Adc, VBE = 5.0 Vdc, IB1 = IB2 = 0.5 Adc)
Rise Time (VCC = 125 Vdc, IC = 2.5 Adc, IB1 = 0.5 Adc)
Output Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 100 kHz)
Current╜Gain ╜ Bandwidth Product (IC = 250 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 MHz)
Base╜Emitter Saturation Voltage (IC = 2.5 Adc, IB = 500 mAdc) (IC = 5.0 Adc, IB = 2.0 Adc)
Collector╜Emitter Saturation Voltage (IC = 2.5 Adc, IB = 500 mAdc) (IC = 5.0 Adc, IB = 2.0 Adc)
DC Current Gain (IC = 2.5 Adc, VCE = 10 Vdc) (IC = 5.0 Adc, VCE = 10 Vdc)
Emitter Cutoff Current (VBE = 6.0 Vdc, IC = 0)
Collector Cutoff Current (VCE = 350 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc) (VCE = 175 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 100_C)
Collector╜Emitter Sustaining Voltage (1) (IC = 25 mAdc, IB = 0)
+ 11 V
RB AND RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPE, e.g.: 1N5825 USED ABOVE IB [ 100 mA MSD6100 USED BELOW IB [ 100 mA
tr, tf v 10 ns DUTY CYCLE = 1.0%
t, TIME ( ╣s)
0
- 9.0 V
25 ╣s
Figure 1. Switching Time Test Circuit
Characteristic
RB [ 20
- 5.0 V
D1
VCC + 125 V
RC [ 50
http://onsemi.com
SCOPE
2N6497
2 0.01 0.05 0.07 0.1 0.02 0.03 0.07 0.05 0.1 0.2 0.3 1.0 0.7 0.5 VCEO(sus) VCE(sat) VBE(sat) Symbol IEBO ICEX Cob hFE fT ts tr tf VCC = 125 V IC/IB = 5.0 TJ = 25╟C 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 IC, COLLECTOR CURRENT (AMP) td @ VBE(off) = 5.0 V Min 250 5.0 10 3.0 ╜ ╜ ╜ ╜ ╜ ╜ ╜ ╜ ╜ ╜ ╜ tr 0.45 Typ 1.4 0.4 ╜ ╜ ╜ ╜ ╜ ╜ ╜ ╜ ╜ ╜ ╜ ╜ Max 150 1.0 2.5 1.0 1.5 2.5 1.0 5.0 1.0 1.0 10 75 ╜ ╜ ╜ pF ╣s ╣s ╣s ╜
Figure 2. Turn╜On Time
mAdc mAdc MHz Unit Vdc Vdc Vdc 5.0
2N6497
r(t) EFFECTIVE TRANSIENT THERMAL RESISTANCE (NORMALIZED) 1.0 0.7 0.5 0.3 0.2 D = 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 t1 0.01 0.02 0.03 SINGLE PULSE t2 SINGLE PULSE P(pk)
0.1 0.07 0.05 0.03 0.02 0.01 0.01
RJC(max) = 1.56╟C/W D CURVES APPLY FOR POWER PULSE TRAIN SHOWN READ TIME AT t1 TJ(pk) - TC = P(pk) RJC(t)
DUTY CYCLE, D = t1/t2 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 t, TIME OR PULSE WIDTH (ms) 20 30 50 100 200 300 500 1000
Figure 3. Thermal Response
20 IC, COLLECTOR CURRENT (AMP) 10 dc TC = 25╟C BONDING WIRE LIMITED THERMAL LIMIT (SINGLE PULSE) SECOND BREAKDOWN LIMIT CURVES APPLY BELOW RATED VCEO 5.0 7.0 50 70 100 200 300 10 20 30 VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS) 500 5.0 ms 1.0 ms 100 ╣s 5.0 2.0 1.0 0.5 0.2 0.1
0.05 0.02
Figure 4. Active╜Region Safe Operating Area
There are two limitations on the power handling ability of a transistor: average junction temperature and second breakdown. Safe operating area curves indicate IC ╜ VCE limits of the transistor that must be observed for reliable operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipation than the curves indicate. The data of Figure 4 is based on TC = 25_C; TJ(pk) is variable depending on power level. Second breakdown pulse limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk) v 150_C. TJ(pk) may be calculated from the data in Figure 3. At high case temperatures, thermal limitations will reduce the power that can be handled to values less than the limitations imposed by second breakdown. Second breakdown limitations do not derate the same as thermal limitations. Allowable current at the voltage shown on Figure 4 may be found at any case temperature by using the appropriate curve on Figure 6.
POWER DERATING FACTOR (%)
10 7.0 5.0 3.0 t, TIME ( ╣s) 2.0 1.0 0.7 0.5 0.3 0.2 0.1 0.05 0.07 0.1
100 ts VCC = 125 V IC/IB = 5.0 TJ = 25╟C 80 60 40 20 0 THERMAL DERATING SECOND BREAKDOWN DERATING
tf
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
3.0
5.0
0
20
40
60 80 100 120 TC, CASE TEMPERATURE (╟C)
140
160
Figure 5. Turn╜Off Time
Figure 6. Power Derating
http://onsemi.com
3
2N6497
TJ = 150╟C VCE , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS) 100 70 hFE, DC CURRENT GAIN 50 30 20 -55╟C 4.0 3.2 2.4 1.6 0.8 IC = 1.0 A 2.0 A 3.0 A 5.0 A VCE = 10 V TJ = 25╟C
25╟C
10 7.0 5.0 0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 IC, COLLECTOR CURRENT (AMP) 3.0 5.0
0 0.01 0.02
0.05
0.1 0.2 1.0 0.5 IB, BASE CURRENT (mA)
2.0
5.0
10
Figure 7. DC Current Gain
Figure 8. Collector Saturation Region
1.2 V, VOLTAGE (VOLTS) 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2
TJ = 25╟C
V, TEMPERATURE COEFFICIENTS (mV/╟C)
1.4
+4.0 +3.0 +2.0 +1.0 0 -1.0 -2.0 VB for VBE *VC for VCE(sat) 25╟C to 150╟C *APPLIES FOR IC/IB v hFE @ VCE + 10 V 3
VBE(sat) @ IC/IB = 5.0
VBE @ VCE = 10 V
-55╟C to 25╟C 25╟C to 150╟C -55 to 25╟C 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0
VCE(sat) @ IC/IB = 5.0 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0
0 0.05 0.07 0.1
IC/IB = 2.5 2.0 3.0 5.0
-3.0 0.05 0.07 0.1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Figure 9. "On" Voltages
Figure 10. Temperature Coefficients
104 IC, COLLECTOR CURRENT ( ╣A) 103 102 101 100 10-1 10-2 -0.1 25╟C REVERSE -0.2 FORWARD 0 +0.2 +0.4 +0.6 VCE = 200 V TJ = 150╟C 100╟C
1000 700 500 C, CAPACITANCE (pF) 300 200 100 70 50 30 20 10 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0 6.0 10 20 40 60 100 VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) 200 400 Cob TJ = 25╟C Cib
VBE, BASE-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Collector Cutoff Region
Figure 12. Capacitance
http://onsemi.com
4
2N6497
PACKAGE DIMENSIONS
TO╜220AB CASE 221A╜09 ISSUE AA
╜T╜ B
4 SEATING PLANE NOTES: 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982. 2. CONTROLLING DIMENSION: INCH. 3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE ALLOWED. DIM A B C D F G H J K L N Q R S T U V Z INCHES MIN MAX 0.570 0.620 0.380 0.405 0.160 0.190 0.025 0.035 0.142 0.147 0.095 0.105 0.110 0.155 0.018 0.025 0.500 0.562 0.045 0.060 0.190 0.210 0.100 0.120 0.080 0.110 0.045 0.055 0.235 0.255 0.000 0.050 0.045 ----0.080 MILLIMETERS MIN MAX 14.48 15.75 9.66 10.28 4.07 4.82 0.64 0.88 3.61 3.73 2.42 2.66 2.80 3.93 0.46 0.64 12.70 14.27 1.15 1.52 4.83 5.33 2.54 3.04 2.04 2.79 1.15 1.39 5.97 6.47 0.00 1.27 1.15 ----2.04
F T S
C
Q
123
A U K
H Z L V G D N
STYLE 1: PIN 1. 2. 3. 4. BASE COLLECTOR EMITTER COLLECTOR
R J
http://onsemi.com
5
Others parts begin by 2n
2N-1 2N-2 2N-3 2N-4 2N-5 2N-6 2N-7 2N-8 2N-9 2N-10 2N-11 2N-12 2N-13 2N-14 2N-15 2N-16 2N-17 2N-18 2N-19 2N-20 2N-21 2N-22 2N-23 2N-24 2N-25 2N-26 2N-27 2N-28 2N-29 2N-30 2N-31
|
|
|
