|
|
Part: BD242B
Category:
Discrete
-> Transistors
-> Bipolar
-> Power
Description: Power 3A 80V PNP , Package: TO-220, Pins=3
Company: ON Semiconductor
Datasheet: Download BD242B datasheet File size : 137 kB
Request For quote: Find where to buy BD242B
Datasheet text preview:
BD241C* (NPN), BD242B (PNP), BD242C* (PNP)
*Preferred Devices
Complementary Silicon Plastic Power Transistors
Designed for use in general purpose amplifier and switching applications.
http://onsemi.com
╥ Collector-Emitter Saturation Voltage - ╥ ╥ ╥ ╥ ╥
VCE = 1.2 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc Collector-Emitter Sustaining Voltage - VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) BD241C, BD242C High Current Gain - Bandwidth Product fT = 3.0 MHz (Min) @ IC = 500 mAdc Compact TO-220 AB Package Epoxy Meets UL94, V-0 @ 0.125 in. ESD Ratings: Human Body Model, 3B u 8000 V Machine Model, C u 400 V
POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 3 AMPERES 80, 100 VOLTS 40 WATTS
MARKING DIAGRAM
нн н н н нннннннннннннннннннн н нн н нн н нннннннннннннннннннн нн н нннннннннннннннннннн нн н н ннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннн нннннннннннннннннн н н нн н н нн н нннннннннннннннннннн н нн н нннннннннннннннннннн н нннн н н нн нн н ннннннннннннннннннн ннннннннннннннннн нннннннннннннннннннн н н нннннннннннннннннннн нн нн нннннннннннннннннннн ннн н н нн нн н нннннннннннннннннннн нн ннннннннннннннннн нннннннннннннннннннн н нн н нннннннннннннннннннн нн нн нннннннннннннннннннн нннн н н н нннннннннннннннннннн н нн нннннннннннннннннннн нннн нннннннннннннн н нннннннннннннннннннн ннн н н н нннн нннн ннн н нннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннн нннн ннн нннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннн нннннннннннннннн нннннннннннннннннннн
MAXIMUM RATINGS
Rating Symbol VCEO VCES VEB IC BD242B 80 90 BD241C BD242C 100 115 Unit Vdc Vdc Vdc Adc Collector-Emitter Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current Continuous Peak Base Current 5.0 3.0 5.0 1.0 40 IB Adc Total Device Dissipation @ TC = 25_C Derate above 25_C Operating and Storage Junction Temperature Range PD Watts W/_C _C 0.32 TJ, Tstg ╜ 65 to + 150
TO-220AB CASE 221A STYLE 1
STYLE 1: PIN 1. 2. 3. 4. BASE COLLECTOR EMITTER COLLECTOR
AYWW BDxxx
1
2
3
xxx A Y WW
= Specific Device Code: 241C, 242B, 242C = Assembly Location = Year = Work Week
ORDERING INFORMATION
Device BD241C BD242B BD242C Package TO-220AB TO-220AB TO-220AB Shipping 50 Units/Rail 50 Units/Rail 50 Units/Rail
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol R J A
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient Thermal Resistance, Junction to Case
62.5
_C/W _C/W
R J C
3.125
╘ Semiconductor Components Industries, LLC, 2003
1
August, 2003 - Rev. 5
Publication Order Number: BD241C/D
BD241C* (NPN), BD242B (PNP), BD242C* (PNP)
40 PD, POWER DISSIPATION (WATTS)
30
20
10
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
TC, CASE TEMPERATURE (╟C)
Figure 1. Power Derating
http://onsemi.com
2
BD241C* (NPN), BD242B (PNP), BD242C* (PNP)
t, TIME ( ╣s)
нн нн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н н нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нн нн н н нннннннннннннннннннннннннннннннн нн нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н н нннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н н нн н нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н н нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нн нн н н нннннннннннннннннннннннннннннннн нн нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нн н н н н нн н н н нннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н н нн н нн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н н н н нн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннн нн нн н н нн н нннннннннннннннннннннннннннннннн ннн н н н н нн н н нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н н нннннннннннннннннннннннннннннннн ннн н н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннн нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25_C unless otherwise noted)
Characteristic OFF CHARACTERISTICS Symbol Min Max Unit Collector-Emitter Sustaining Voltage (Note 1) (IC = 30 mAdc, IB = 0) Collector Cutoff Current (VCE = 50 Vdc, IB = 0) (VCE = 60 Vdc, IB = 0) VCEO Vdc BD242B BD241C, BD242C 80 100 ICEO 0.3 mAdc BD242B BD241C, BD242C Collector Cutoff Current (VCE = 80 Vdc, VEB = 0) (VCE = 100 Vdc, VEB = 0) Emitter Cutoff Current (VBE = 5.0 Vdc, IC = 0) ICES 200 mAdc BD242B BD241C, BD242C IEBO 1.0 mAdc ON CHARACTERISTICS (Note 1) DC Current Gain (IC = 1.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc) (IC = 3.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc) hFE 25 10 Collector-Emitter Saturation Voltage (IC = 3.0 Adc, IB = 0.6 Adc) Base-Emitter On Voltage (IC = 3.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc) VCE(sat) VBE(on) 1.2 1.8 Vdc Vdc DYNAMIC CHARACTERISTICS Current Gain - Bandwidth Product (Note 2) (IC = 500 mAdc, VCE = 10 Vdc, ftest = 1.0 MHz) Small-Signal Current Gain (IC = 0.5 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz) fT 3.0 20 MHz hfe 1. Pulse Test: Pulse Width v 300 ms, Duty Cycle v 2.0%. 2. fT = |hfe| ╥ ftest. 2.0 TURN-ON PULSE APPROX + 11 V Vin 0 VEB(off) APPROX + 11 V Vin t2 TURN-OFF PULSE DUTY CYCLE [ 2.0% APPROX - 9.0 V t1 t3 VCC Vin RL RK SCOPE 1.0 0.7 0.5 0.3 tr @ VCC = 30 V IC/IB = 10 TJ = 25╟C Cjd % Ceb - 4.0 V t1 v 7.0 ns 100 t t2 t 500 ╣s t3 t 15 ns tr @ VCC = 10 V 0.1 0.07 0.05 0.03 0.02 0.03 td @ VBE(off) = 2.0 V 0.05 0.07 0.1 0.3 0.5 0.7 1.0 IC, COLLECTOR CURRENT (AMP) 3.0
Figure 2. Switching Time Equivalent Circuit
Figure 3. Turn-On Time
http://onsemi.com
3
BD241C* (NPN), BD242B (PNP), BD242C* (PNP)
1.0 0.7 0.5 0.3 0.2
r(t), TRANSIENT THERMAL RESISTANCE (NORMALIZED)
D = 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 0.02 P(pk) ZJC (t) = r(t) RJC RJC = 3.125╟C/W MAX D CURVES APPLY FOR POWER PULSE TRAIN SHOWN READ TIME AT t1 TJ(pk) - TC = P(pk) ZJC(t) 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 t, TIME (ms) 10 20 50
0.1 0.07 0.05 0.03 0.02 0.01 0.01
SINGLE PULSE 0.05 0.1
t2 DUTY CYCLE, D = t1/t2 100 200 500 1.0 k
t1
Figure 4. Thermal Response
VCE , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
10 1.0 ms 5.0 ms
5.0
100 ╣s
2.0 1.0 SECOND BREAKDOWN LIMITED @ TJ v 150╟C THERMAL LIMITATION @ TC = 25╟C BONDING WIRE LIMITED CURVES APPLY BELOW RATED VCEO BD241C, BD242C 10 20 50 IC, COLLECTOR CURRENT (AMP) 100
0.5 0.2 0.1 5.0
There are two limitations on the power handling ability of a transistor: average junction temperature and second breakdown. Safe operating area curves indicate IC - VCE limits of the transistor that must be observed for reliable operation, i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipation than the curves indicate. The data of Figure 5 is based on TJ(pk) = 150_C; TC is variable depending on conditions. Second breakdown pulse limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk) v 150_C, TJ(pk) may be calculated from the data in Figure 4. At high case temperatures, thermal limitations will reduce the power that can be handled to values less than the limitations imposed by second breakdown.
Figure 5. Active Region Safe Operating Area
3.0 2.0 1.0 0.7 0.5 0.3 0.2 0.1 0.07 0.05 0.03 0.03 tf @ VCC = 30 V
ts
IB1 = IB2 IC/IB = 10 ts = ts - 1/8 tf TJ = 25╟C CAPACITANCE (pF)
300 TJ = + 25╟C 200
t, TIME ( ╣s)
100 Ceb 70 50 Ccb
tf @ VCC = 10 V
0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
2.0 3.0
30 0.1
0.2 0.3
0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
20 30 40
Figure 6. Turn-Off Time
Figure 7. Capacitance
http://onsemi.com
4
BD241C* (NPN), BD242B (PNP), BD242C* (PNP)
500 300 hFE, DC CURRENT GAIN TJ = 150╟C 25╟C -55 ╟C VCE = 2.0 V VCE , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS) 2.0 TJ = 25╟C 1.6 1.2
100 70 50 30
IC = 0.3 A
1.0 A
3.0 A
0.8
10 7.0 5.0 0.03
0.4 0
0.05 0.07 0.1 0.3 0.5 0.7 1.0 IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
3.0
1.0
2.0
5.0
10 20 50 100 200 IB, BASE CURRENT (mA)
500
1000
Figure 8. DC Current Gain
Figure 9. Collector Saturation Region
V, TEMPERATURE COEFFICIENTS (mV/╟C)
1.4 1.2 V, VOLTAGE (VOLTS) 1.0 0.8 VBE(sat) @ IC/IB = 10 0.6 VBE @ VCE = 2.0 V 0.4 0.2 VCE(sat) @ IC/IB = 10 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 TJ = 25╟C
+2.5 +2.0 +1.5 +1.0 +0.5 0 -0.5 -1.0 -1.5 -2.0 VB FOR VBE *VC FOR VCE(sat) *APPLIES FOR IC/IB 5.0 TJ = - 65╟C TO + 150╟C
0 0.003 0.005 0.01 0.02 0.03 0.05
-2.5 0.003 0.005 0.01 0.02
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Figure 10. "On" Voltages
Figure 11. Temperature Coefficients
103 IC, COLLECTOR CURRENT ( ╣A) 102 101 100 10-1 10- 2 VCE = 30 V TJ = 150╟C 100╟C
RBE , EXTERNAL BASE-EMITTER RESISTANCE (OHMS)
107 IC = 10 x ICES 106 105 104 103 102 VCE = 30 V
IC ICES IC = 2 x ICES
REVERSE 25╟C ICES -0.1 0 +0.1 +0.2
FORWARD
(TYPICAL ICES VALUES OBTAINED FROM FIGURE 12) 20 40 60 80 100 120 140 160
10- 3 -0.4 -0.3 -0.2
+0.3
+0.4 +0.5
+0.6
VBE, BASE-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (╟C)
Figure 12. Collector Cut-Off Region
Figure 13. Effects of Base-Emitter Resistance
http://onsemi.com
5
Others parts begin by bd
BD-1 BD-2 BD-3 BD-4 BD-5 BD-6 BD-7 BD-8 BD-9 BD-10 BD-11 BD-12 BD-13
|
|
|
