|
|
Part: BDX54C
Category:
Discrete
-> Transistors
-> Bipolar
-> Power
Description: Bipolar Power TO220 PNP 8A 100V, Package: TO-220, Pins=3
Company: ON Semiconductor
Datasheet: Download BDX54C datasheet File size : 192 kB
Request For quote: Find where to buy BDX54C
Datasheet text preview:
ON Semiconductor ) NPN
Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors
. . . designed for general╜purpose amplifier and low╜speed switching applications.
BDX53B BDX53C BDX54B BDX54C
DARLINGTON 8 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 80╜100 VOLTS 65 WATTS
PNP
╥ High DC Current Gain -- ╥ ╥ ╥ ╥
hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc Collector Emitter Sustaining Voltage -- @ 100 mAdc VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) -- BDX53B, 54B = 100 Vdc (Min) -- BDX53C, 54C Low Collector╜Emitter Saturation Voltage -- VCE(sat) = 2.0 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc = 4.0 Vdc (Max) @ IC = 5.0 Adc Monolithic Construction with Built╜In Base╜Emitter Shunt Resistors TO╜220AB Compact Package
нн н ннннннннннннннннннннннн нн нн н нн ннннннннннннннннннннннн н нн ннннннннннннннннннннннн н нн н нннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннн н нн ннннннннннннннннннннннн н нн ннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннн нн н н нн нн ннннннннннннннннннннннн нн ннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннн н нн н ннннннннннннннннннннннн ннн нн ннннннннннннннннннннннн н нн ннннннннннннннннннннннн н нн ннннннннннннннннннннннн н нн ннннннннннннннннннннннн н нн ннннннннннннннннннннннн нннн н н н ннннннннннннннннннннннн н нн ннннннннннннннннннннннн ннн нннннннннннннннннн н ннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннннн нннн нннн ннн ннн н ннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннн ннн н н н нннн ннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннн
MAXIMUM RATINGS
Rating Symbol VCEO VCB VEB IC IB PD BDX53B BDX54B 80 80 BDX53C BDX54C 100 100 Unit Vdc Vdc Vdc Adc Adc Collector╜Emitter Voltage Collector╜Base Voltage Emitter╜Base Voltage 5.0 8.0 12 0.2 Collector Current -- Continuous Peak Base Current Total Device Dissipation @ TC = 25_C Derate above 25_C Operating and Storage Junction Temperature Range 60 0.48 Watts W/_C _C TJ, Tstg ╜65 to +150
4
1
2
STYLE 1: PIN 1. 2. 3. 4.
BASE COLLECTOR EMITTER COLLECTOR
3
CASE 221A╜09 TO╜220AB
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol RJA
Max 70 70
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient Thermal Resistance, Junction to Case
_C/W _C/W
RJC
╘ Semiconductor Components Industries, LLC, 2002
1
April, 2002 ╜ Rev. 10
Publication Order Number: BDX53B/D
BDX53B BDX53C BDX54B BDX54C
TA TC 4.0 80 PD, POWER DISSIPATION (WATTS)
3.0
60 TC
2.0
40 TA
1.0
20
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
T, TEMPERATURE (╟C)
Figure 1. Power Derating
http://onsemi.com
2
BDX53B BDX53C BDX54B BDX54C
t, TIME ( ╣s)
ннннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н нн ннннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н н нн н нннннннннннннннннннннннннннннннн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н н нн н нн н н нннннннннннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннннннннннннннн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н н нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нн нн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н н нн н нн н нннннннннннннннннннннннннннннннн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн н нннннннннннннннннннннннннннннннн нн нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н н нн н н н нннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н н н н нн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннн нн нн н н нн н нннннннннннннннннннннннннннннннн ннн н н н н нн н н нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н н нннннннннннннннннннннннннннннннн ннн н н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннн нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25_C unless otherwise noted)
Characteristic OFF CHARACTERISTICS Symbol Min Max Unit Collector╜Emitter Sustaining Voltage (1) (IC = 100 mAdc, IB = 0) Collector Cutoff Current (VCE = 40 Vdc, IB = 0) (VCE = 50 Vdc, IB = 0) VCEO(sus) Vdc BDX53B, BDX54B BDX53C, BDX54C 80 100 -- -- -- -- -- -- ICEO mAdc BDX53B, BDX54B BDX53C, BDX54C 0.5 0.5 0.2 0.2 Collector Cutoff Current (VCB = 80 Vdc, IE = 0) (VCB = 100 Vdc, IE = 0) ICBO mAdc BDX53B, BDX54B BDX53C, BDX54C ON CHARACTERISTICS (1) DC Current Gain (IC = 3.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc) hFE 750 -- -- Collector╜Emitter Saturation Voltage (IC = 3.0 Adc, IB = 12 mAdc) Base╜Emitter Saturation Voltage (IC = 3.0 Adc, IC = 12 mA) VCE(sat) Vdc -- -- -- 2.0 4.0 2.5 VBE(sat) Vdc DYNAMIC CHARACTERISTICS Small╜Signal Current Gain (IC = 3.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc, f = 1.0 MHz) Output Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz) hfe 4.0 -- -- Cob pF BDX53B, 53C BDX54B, 54C -- -- 300 200 (1) Pulse Test: Pulse Width v 300 ╣s, Duty Cycle v 2%. VCC RB AND RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS -30 V D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPES, e.g.: 1N5825 USED ABOVE IB [ 100 mA RC MSD6100 USED BELOW IB [ 100 mA SCOPE TUT RB V2 APPROX +8.0 V D1 51 [ 8.0 k [ 120 0 V1 APPROX 25 ╣s -12 V tr, tf v 10 ns DUTY CYCLE = 1.0% +4.0 V for td and tr, D1 is disconnected and V2 = 0 For NPN test circuit reverse all polarities 5.0 3.0 2.0 1.0 0.7 0.5 0.3 0.2 0.1 0.07 0.05 0.1 VCC = 30 V IC/IB = 250 IB1 = IB2 TJ = 25╟C 0.2 tr tf ts td @ VBE(off) = 0 V 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 0.3 IC, COLLECTOR CURRENT (AMP) 5.0 7.0 10
Figure 2. Switching Time Test Circuit
Figure 3. Switching Times
http://onsemi.com
3
BDX53B BDX53C BDX54B BDX54C
r(t) EFFECTIVE TRANSIENT THERMAL RESISTANCE (NORMALIZED) 1.0 0.7 0.5 0.3 0.2 D = 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 t1 0.01 0.02 0.03 SINGLE PULSE t2 SINGLE PULSE P(pk)
0.1 0.07 0.05 0.03 0.02 0.01 0.01
DUTY CYCLE, D = t1/t2 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 t, TIME OR PULSE WIDTH (ms) 20 30
RJC(t) = r(t) RJC RJC = 1.92╟C/W D CURVES APPLY FOR POWER PULSE TRAIN SHOWN READ TIME AT t1 TJ(pk) - TC = P(pk) RJC(t) 50 100 200 300 500 1000
Figure 4. Thermal Response
20 10 IC COLLECTOR CURRENT (AMP) , 5.0 2.0 1.0 0.5 0.2 0.1 5.0 ms 1.0 ms
100 ╣s 500 ╣s
dc TJ = 150╟C BONDING WIRE LIMITED THERMALLY LIMITED @ TC = 25╟C (SINGLE PULSE) SECOND BREAKDOWN LIMITED CURVES APPLY BELOW RATED VCEO BDX53B, BDX54B BDX53C, BDX54C 20 30 2.0 3.0 5.0 7.0 10 50 VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS) 70 100
0.05 0.02 1.0
There are two limitations on the power handling ability of a transistor average junction temperature and second breakdown. Safe operating area curves indicate IC ╜VCE limits of the transistor that must be observed for reliable operation, i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipation than the curves indicate. The data of Figure 5 is based on TJ(pk) = 150_C; TC is variable depending on conditions. Second breakdown pulse limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk) t 150_C. TJ(pk) may be calculated from the data in Figure 4. At high case temperatures, thermal limitations will reduce the power that can be handled to values less than the limitations imposed by second breakdown.
Figure 5. Active╜Region Safe Operating Area
10,000 hFE, SMALL-SIGNAL CURRENT GAIN 5000 3000 2000 1000 500 300 200 100 50 30 20 10 1.0 2.0 TJ = 25╟C VCE = 3.0 V IC = 3.0 A PNP NPN 5.0 10 20 50 100 f, FREQUENCY (kHz) 200 500 1000
300 TJ = + 25╟C 200 C, CAPACITANCE (pF)
100 70 50 30 0.1 PNP NPN 0.2 Cib
Cob
0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
50
100
Figure 6. Small-Signal Current Gain
Figure 7. Capacitance
http://onsemi.com
4
BDX53B BDX53C BDX54B BDX54C
NPN BDX53B, 53C
20,000 10,000 hFE, DC CURRENT GAIN 5000 3000 2000 1000 -55╟C 500 300 200 0.1 TJ = 150╟C VCE = 4.0 V 20,000 10,000 hFE, DC CURRENT GAIN 5000 3000 2000 1000 500 300 200 0.1 -55╟C 25╟C TJ = 150╟C
PNP BDX54B, 54C
VCE = 4.0 V
25╟C
0.2
0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
5.0 7.0 10
0.2
0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
5.0 7.0
10
Figure 8. DC Current Gain
VCE , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
TJ = 25╟C 2.6 IC = 2.0 A 2.2 1.8 1.4 1.0 4.0 A 6.0 A
VCE , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
3.0
3.0 TJ = 25╟C 2.6 IC = 2.0 A 2.2 1.8 1.4 1.0 4.0 A 6.0 A
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0 5.0 7.0 10 IB, BASE CURRENT (mA)
20
30
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0 5.0 7.0 IB, BASE CURRENT (mA)
10
20
30
Figure 9. Collector Saturation Region
3.0 TJ = 25╟C V, VOLTAGE (VOLTS) V, VOLTAGE (VOLTS) 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0.1 VBE(sat) @ IC/IB = 250 VBE @ VCE = 4.0 V VCE(sat) @ IC/IB = 250 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10
3.0 TJ = 25╟C 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 VBE @ VCE = 4.0 V VBE(sat) @ IC/IB = 250 VCE(sat) @ IC/IB = 250 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Figure 10. "On" Voltages
http://onsemi.com
5
Others parts begin by bd
BD-1 BD-2 BD-3 BD-4 BD-5 BD-6 BD-7 BD-8 BD-9 BD-10 BD-11 BD-12 BD-13
|
|
|
