|
|
Part: MJD117T4
Category:
Discrete
-> Transistors
-> Bipolar
-> Power
Description: Power 2A 100V Darlington PNP , Package: Dpak, Pins=3
Company: ON Semiconductor
Datasheet: Download MJD117T4 datasheet File size : 113 kB
Request For quote: Find where to buy MJD117T4
Datasheet text preview:
ON Semiconductort NPN PNP
Complementary Darlington Power Transistors
DPAK For Surface Mount Applications
Designed for general purpose power and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters, and power amplifiers.
MJD112* MJD117*
*ON Semiconductor Preferred Device
╥ Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves ╥ ╥ ╥ ╥ ╥ ╥
(No Suffix) Straight Lead Version in Plastic Sleeves ("1" Suffix) Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel ("T4" Suffix) Surface Mount Replacements for TIP110╜TIP117 Series Monolithic Construction With Built╜in Base╜Emitter Shunt Resistors High DC Current Gain -- hFE = 2500 (Typ) @ IC = 2.0 Adc Complementary Pairs Simplifies Designs
MJD112 MJD117 100 100 5 2 4
SILICON POWER TRANSISTORS 2 AMPERES 100 VOLTS 20 WATTS
CASE 369A╜13
0.063 1.6 inches mm Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.
╘ Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
1
November, 2001 ╜ Rev. 4
Publication Order Number: MJD112/D
0.243 6.172
0.118 3.0
0.100 2.54
0.165 4.191
нн н ннн н н нн нн ннннннннннннннннннннннн нн ннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннн н н ннннннннннннннннннннннн н нн нн н нн ннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннн нн ннннннннннннннннннннннн нн н н нн нн ннннннннннннннннннннннн нн ннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннн н нн ннннннннннннннннннннннн ннн нн ннннннннннннннннннннннн н нн ннннннннннннннннннннннн н нн ннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннннн н н нн нн н н н ннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннн н ннннннннннннннннннннн нн нн ннн н нн ннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннн
MAXIMUM RATINGS
Rating Symbol VCEO VCB VEB IC IB Unit Vdc Vdc Vdc Adc Collector╜Emitter Voltage Collector╜Base Voltage Emitter╜Base Voltage Collector Current -- Continuous Peak Base Current 50 mAdc Watts W/_C Watts W/_C _C Total Power Dissipation @ TC = 25_C Derate above 25_C PD PD 20 0.16 Total Power Dissipation* @ TA = 25_C Derate above 25_C Operating and Storage Junction Temperature Range 1.75 0.014 TJ, Tstg ╜65 to +150
CASE 369╜07
MINIMUM PAD SIZES RECOMMENDED FOR SURFACE MOUNTED APPLICATIONS
0.190 4.826
нннннннннннннннн нн н н нннннннннннннннннн нн н нннн н н нн н нн н н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн нн н н н нннннннннннннннннннннннннннннннн нннн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннн нн н н нннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннн нн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннн н н нн н нн нн н н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннннннннннннн нн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нннн н н н н н н нннннннннннннннннннннннннннннннн н нннннннннннннннннннннннннннннн нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нн н н нннннннннннннннннннннннннннннннн нн н н н нннннннннннннннннннннннннннннннн нннн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нн н н н нннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннннннннннннн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нн н н нннннннннннннннн нн н нн н н н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн нн н н нннн н н нн н н н н нннннннннннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн нн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннн н н нн н нн н нн н н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн н нннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн н н н нннннннннннннннннннннннннннннннн нннн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн нн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн н н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннн н н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннннннннннннн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннннннннннннн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн н н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн
(1) Pulse Test: Pulse Width v 300 ╣s, Duty Cycle v 2%. *These ratings are applicable when surface mounted on the minimum pad sizes recommended. DYNAMIC CHARACTERISTICS ON CHARACTERISTICS OFF CHARACTERISTICS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25_C unless otherwise noted)
THERMAL CHARACTERISTICS
Emitter Cutoff Current (VBE = 5 Vdc, IC = 0)
Collector Cutoff Current (VCB = 100 Vdc, IE = 0)
Collector Cutoff Current (VCE = 50 Vdc, IB = 0)
Collector╜Emitter Sustaining Voltage (1) (IC = 30 mAdc, IB = 0)
Output Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz)
Current╜Gain -- Bandwidth Product (IC = 0.75 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1 MHz)
Base╜Emitter On Voltage (IC = 2 Adc, VCE = 3 Vdc)
Base╜Emitter Saturation Voltage (IC = 4 Adc, IB = 40 mAdc)
Collector╜Emitter Saturation Voltage (IC = 2 Adc, IB = 8 mAdc) (IC = 4 Adc, IB = 40 mAdc)
DC Current Gain (IC = 0.5 Adc, VCE = 3 Vdc) (IC = 2 Adc, VCE = 3 Vdc) (IC = 4 Adc, VCE = 3 Vdc)
Emitter╜Cutoff Current (VBE = 5 Vdc, IC = 0)
Collector╜Cutoff Current (VCB = 80 Vdc, IE = 0)
Thermal Resistance, Junction to Ambient*
Thermal Resistance, Junction to Case
Characteristic
Characteristic
MJD112 MJD117
http://onsemi.com
MJD117 MJD112 VCEO(sus) Symbol Symbol VCE(sat) VBE(sat) VBE(on) R J C R J A ICBO ICBO ICEO IEBO IEBO Co b hFE fT 500 1000 200 Min 100 25 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 71.4 6.25 Max -- 12,000 -- Max 200 100 2.8 10 20 20 -- -- 4 2 3 2 2 mAdc mAdc _C/W _C/W ╣Adc ╣Adc ╣Adc MHz Unit Unit Vdc Vdc Vdc Vdc pF --
2
MJD112 MJD117
RB & RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS D1, MUST BE FAST RECOVERY TYPE, e.g.: 1N5825 USED ABOVE IB 100 mA MSD6100 USED BELOW IB 100 mA V2 APPROX +8 V 0 V1 APPROX -12 V tr, tf 10 ns DUTY CYCLE = 1% TUT RB 51 D1 +4V 8k 60 VCC -30 V RC SCOPE t, TIME ( ╣s) 4 ts 2 tf tr VCC = 30 V IC/IB = 250 IB1 = IB2 TJ = 25╟C
1 0.8 0.6 0.4 PNP NPN 0.1
25 ╣s
FOR td AND tr, D1 IS DISCONNECTED AND V2 = 0
FOR NPN TEST CIRCUIT REVERSE ALL POLARITIES.
td @ VBE(off) = 0 V
0.2 0.04 0.06
0.4 0.6 0.2 1 IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
2
4
Figure 1. Switching Times Test Circuit
Figure 2. Switching Times
r(t) , EFFECTIVE TRANSIENT THERMAL RESISTANCE (NORMALIZED)
1 0.7 0.5 0.3 0.2
D = 0.5 0.2 0.1 0.05 0.01 SINGLE PULSE RJC(t) = r(t) RJC RJC = 6.25╟C/W D CURVES APPLY FOR POWER PULSE TRAIN SHOWN READ TIME AT t1 TJ(pk) - TC = P(pk) JC(t) P(pk)
0.1 0.07 0.05 0.03 0.02
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
0.01 0.01
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
1 23 5 10 t, TIME OR PULSE WIDTH (ms)
20
30
50
100
200 300
500
1000
Figure 3. Thermal Response
http://onsemi.com
3
Others parts begin by mj
|
|
|
