|
|
Part: MJD122T4
Category:
Discrete
-> Transistors
-> Bipolar
-> Power
Description: Power 8A 100V NPN , Package: Dpak, Pins=3
Company: ON Semiconductor
Datasheet: Download MJD122T4 datasheet File size : 113 kB
Request For quote: Find where to buy MJD122T4
Datasheet text preview:
ON Semiconductort NPN PNP
Complementary Darlington Power Transistors
DPAK For Surface Mount Applications
Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.
MJD122* MJD127*
*ON Semiconductor Preferred Device
╥ Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves ╥ ╥ ╥ ╥ ╥ ╥
(No Suffix) Straight Lead Version in Plastic Sleeves ("╜1" Suffix) Lead Formed Version Available in 16 mm Tape and Reel ("T4" Suffix) Surface Mount Replacements for 2N6040╜2N6045 Series, TIP120╜TIP122 Series, and TIP125╜TIP127 Series Monolithic Construction With Built╜in Base╜Emitter Shunt Resistors High DC Current Gain -- hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc Complementary Pairs Simplifies Designs
SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 100 VOLTS 20 WATTS
CASE 369A╜13
0.063 1.6 inches mm
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.
╘ Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
1
November, 2001 ╜ Rev. 5
Publication Order Number: MJD122/D
0.243 6.172
ннн н нн ннннннннннннннннннннннн нн нн н нн ннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннн нн ннннннннннннннннннннннн н нн ннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннн нн ннн н н нн н н нннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннн н н ннннннннннннннннннннннн нн нн ннннннннннннннннннннннн нн н н нн нн н ннннннннннннннннннннннн нн ннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннн н н ннннннннннннннннннннннн ннн нн ннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннннн н н нн нн н н ннннннннннннннннннннннн н нн ннннннннннннннннннннннн н нн ннннннннннннннннннннннн н ннн н нн ннннннннннннннннннннннн н нн ннннннннннннннннннннннн н нн ннннннннннннннннннннннн н нн ннннннннннннннннннннннн н нн ннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннн нн ннннннннннннннннннннннн н нн ннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннн нн ннннннннннннннннннннннн
MAXIMUM RATINGS
Rating Symbol VCEO VCB VEB IC IB MJD122 MJD127 100 100 5 Unit Vdc Vdc Vdc Adc Collector╜Emitter Voltage Collector╜Base Voltage Emitter╜Base Voltage Collector Current -- Continuous Peak Base Current 8 16 120 mAdc Watts W/_C Watts W/_C _C Total Power Dissipation @ TC = 25_C Derate above 25_C PD PD 20 0.16 Total Power Dissipation* @ TA = 25_C Derate above 25_C Operating and Storage Junction Temperature Range 1.75 0.014 TJ, Tstg ╜65 to +150
CASE 369╜07
MINIMUM PAD SIZES RECOMMENDED FOR SURFACE MOUNTED APPLICATIONS
0.190 4.826
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol R J C R J A
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
6.25 71.4
_C/W _C/W
Thermal Resistance, Junction to Ambient*
0.118 3.0
0.100 2.54
0.165 4.191
нн н нн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нннн н н н н нн н н нн н нннннннннннннннннннннннннннннннн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннннннннннннн нннн н н н н нн н н нн н нннннннннннннннннннннннннннннннн н нннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннннннннннннннн нннн н нн н н нннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н н нн н нннннннннннннннннннннннннннннннн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н н нн н нннннннннннннннннннннннннннннннн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н нннн н н н н н нн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннннннннннннн нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н нннннннннннннннннннннннннннннннн н нннннннннннннннннннннннннннннннн нн нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н н нннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н н нн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н нннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н н нн н нннннннннннннннннннннннннннннннн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н нннн н н н н нн н н нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н н нннннннннннннннннннннннннннннннн нннн н н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннннннннннннн нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн
(1) Pulse Test: Pulse Width v 300 ╣s, Duty Cycle v 2%. *These ratings are applicable when surface mounted on the minimum pad sizes recommended. DYNAMIC CHARACTERISTICS ON CHARACTERISTICS OFF CHARACTERISTICS
PD, POWER DISSIPATION (WATTS)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25_C unless otherwise noted)
Collector Cutoff Current (VCE = 50 Vdc, IB = 0)
Collector╜Emitter Sustaining Voltage (IC = 30 mAdc, IB = 0)
Small╜Signal Current Gain (IC = 3 Adc, VCE = 4 Vdc, f = 1 kHz)
Output Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz)
Current╜Gain╜Bandwidth Product (IC = 3 Adc, VCE = 4 Vdc, f = 1 MHz)
Base╜Emitter On Voltage (IC = 4 Adc, VCE = 4 Vdc)
Base╜Emitter Saturation Voltage (1) (IC = 8 Adc, IB = 80 mAdc)
Collector╜Emitter Saturation Voltage (IC = 4 Adc, IB = 16 mAdc) (IC = 8 Adc, IB = 80 mAdc)
DC Current Gain (IC = 4 Adc, VCE = 4 Vdc) (IC = 8 Adc, VCE = 4 Vdc)
Emitter Cutoff Current (VBE = 5 Vdc, IC = 0)
Collector Cutoff Current (VCB = 100 Vdc, IE = 0)
Characteristic
0.5
1.5 15
TA TC 2.5 25
0
1 10
2 20
0
5
25
50
TA SURFACE MOUNT
MJD122 MJD127
Figure 1. Power Derating
http://onsemi.com
TC 75 100 T, TEMPERATURE (╟C) MJD127 MJD122 VCEO(sus) Symbol VCE(sat) VBE(sat) VBE(on) ICBO ICEO IEBO |hfe| Co b hFE hfe 125 1000 100 Min 300 100 -- -- -- -- -- -- -- -- -- 4 150 12,000 -- Max 300 200 2.8 4.5 10 10 -- -- -- 2 4 2 mAdc ╣Adc ╣Adc MHz Unit Vdc Vdc Vdc Vdc pF -- --
2
MJD122 MJD127
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
PNP MJD127
20,000 10,000 7000 5000 3000 2000 1000 700 500 300 200 0.1 VCE = 4 V 20,000 10,000 hFE , DC CURRENT GAIN 5000 3000 2000 1000 500 300 200 0.1 25╟C -55╟C TJ = 150╟C
NPN MJD122
VCE = 4 V
hFE , DC CURRENT GAIN
TJ = 150╟C 25╟C -55╟C
0.2
0.3
0.5 0.7
1
2
3
5
7
10
0.2
0.3
0.5 0.7
1
2
3
5
7
10
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Figure 2. DC Current Gain
VCE , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
TJ = 25╟C 2.6 2.2 1.8 1.4 1 0.3 IC = 2 A 4A 6A
VCE , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
3
3 TJ = 25╟C 2.6 2.2 1.8 1.4 1 0.3 IC = 2 A 4A 6A
0.5 0.7
1
2
3
5
7
10
20
30
0.5 0.7
1
2
3
5
7
10
20 30
IB, BASE CURRENT (mA)
IB, BASE CURRENT (mA)
Figure 3. Collector Saturation Region
3 TJ = 25╟C 2.5 V, VOLTAGE (VOLTS) 2 1.5 1 0.5 0.1 VBE @ VCE = 4 V VBE(sat) @ IC/IB = 250 VCE(sat) @ IC/IB = 250 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 IC, COLLECTOR CURRENT (AMP) V, VOLTAGE (VOLTS)
3 TJ = 25╟C 2.5 2 1.5 1 0.5 0.1 VBE(sat) @ IC/IB = 250 VBE @ VCE = 4 V VCE(sat) @ IC/IB = 250 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Figure 4. "On" Voltages
http://onsemi.com
3
Others parts begin by mj
|
|
|
