|
|
Part: MJD13003
Category:
Description:
Company: ON Semiconductor
Datasheet: Download MJD13003 datasheet File size : 113 kB
Request For quote: Find where to buy MJD13003
Datasheet text preview:
High Voltage SWITCHMODET Series
DPAK For Surface Mount Applications
This device is designed for high╜voltage, high╜speed power switching inductive circuits where fall time is critical. It is particularly suited for 115 and 220 V SWITCHMODE applications such as switching regulators, inverters, motor controls, solenoid/relay drivers and deflection circuits.
MJD13003
NPN SILICON POWER TRANSISTOR 1.5 AMPERES 400 VOLTS 15 WATTS
╥ Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No
Suffix) Straight Lead Version in Plastic Sleeves ("╜1" Suffix) Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel ("T4" Suffix) Reverse Biased SOA with Inductive Loads @ TC = 100_C Inductive Switching Matrix 0.5 to 1.5 Amp, 25 and 100_C . . . tc @ 1.0 A, 100_C is 290 ns (Typ) ╥ 700 V Blocking Capability ╥ Switching and SOA Applications Information ╥ Electrically Similar to the Popular MJE13003
╥ ╥ ╥ ╥
CASE 369A╜13
ннннннннннннннннннннннн ннн нн н н ннн ннннннннннннннннннннннн ннн нн н н ннн ннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннн ннн ннннннннннннннннннннннн ннн н нннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннн нн н н н ннн н н нннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннн ннн ннннннннннннннннннннннн ннн ннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннн ннн нннннннннннннннннннннн ннн ннн ннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннн ннн ннннннннннннннннннннннн ннн ннн ннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннн ннн ннннннннннннннннннннннн ннн ннн ннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннн ннн ннннннннннннннннннннннн нн н н ннн ннн ннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннн ннн ннннннннннннннннннннннн ннн ннн ннн ннннннннннннннннннннннн ннн ннннннннннннннннннннннн ннн ннннннннннннннннннннннн ннн ннннннннннннннннннннннн ннн ннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннн ннн нн ннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннн нн ннннннннннннннннннннннн
MAXIMUM RATINGS
Rating Symbol Value 400 700 9 Unit Vdc Vdc Vdc Adc Collector╜Emitter Voltage Collector╜Emitter Voltage Emitter Base Voltage VCEO(sus) VCEV VEBO IC ICM IB IBM IE IEM PD PD Collector Current -- Continuous -- Peak (1) Base Current -- Continuous -- Peak (1) 1.5 3 0.75 1.5 2.25 4.5 Adc Emitter Current -- Continuous -- Peak (1) Adc Total Power Dissipation @ TA = 25_C (2) Derate above 25_C Total Power Dissipation @ TC = 25_C Derate above 25_C Operating and Storage Junction Temperature Range 1.56 0.0125 15 0.12 Watts W/_C Watts W/_C _C TJ, Tstg ╜65 to +150
CASE 369╜07
MINIMUM PAD SIZES RECOMMENDED FOR SURFACE MOUNTED APPLICATIONS
0.190 4.826
Characteristic
Symbol R J C R J A TL
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
8.33 80
_C/W _C/W _C
Thermal Resistance, Junction to Ambient (2) Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes
260
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle v 10%. (2) When surface mounted on minimum pad sizes recommended.
SWITCHMODE are trademarks of ON Semiconductor, Inc.
╘ Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
1
January, 2001 ╜ Rev. 1
0.243 6.172
THERMAL CHARACTERISTICS
0.063 1.6 inches mm
PublicMJD13003/D
0.118 3.0
0.07 1.8
0.165 4.191
ннн н н н н н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн н ннн нн н нн нн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нн нн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн нн нн н н ннн н н н н нн нн н н н нннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн нн нн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нн нн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нн нн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нн нн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нн нн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нн нн н н н нннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн нн нн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннн нннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннн нн нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн нн нн н нн нн н н нн н нннннннннннннннннннннннннннннннн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн н нннннннннннннннннннннннннннннннн ннн нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нн н н н н нн нн н н н н нннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн нн нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннн н н н н нн нн н н нннннннннннннннннннннннннннннннн н нн нн н н нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннн нн нн н нннннннннннннннннннннннннннннннн н нннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннннннннннннннн нн нн н нн нн н нн ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннн нн н н нннннннннннннннннннннннннннннннн ннн нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нн нн н н нннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн н нн ннннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н нннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннннннннннннннн нн нн н н нн н н нннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн нн нн н нннннннннннннннннннннннннннннннн нн нн н н нннннннннннннннннннннннннннннннн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нн нн н ннн н н н н нн нн н нн нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн нн нн н н нннннннннннннннннннннннннннннннн ннн н н н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн нн нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн
(1) Pulse Test: Pulse Width = 300 ╣s, Duty Cycle v 2%. SWITCHING CHARACTERISTICS DYNAMIC CHARACTERISTICS ON CHARACTERISTICS (1) SECOND BREAKDOWN OFF CHARACTERISTICS (1)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25_C unless otherwise noted)
Fall Time
Crossover Time
Storage Time
Inductive Load, Clamped (Table 1, Figure 13)
Fall Time
Storage Time
Rise Time
Delay Time
Resistive Load (Table 1)
Output Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz)
Current╜Gain -- Bandwidth Product (IC = 100 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1 MHz)
Base╜Emitter Saturation Voltage (IC = 0.5 Adc, IB = 0.1 Adc) (IC = 1 Adc, IB = 0.25 Adc) (IC = 1 Adc, IB = 0.25 Adc, TC = 100_C)
Collector╜Emitter Saturation Voltage (IC = 0.5 Adc, IB = 0.1 Adc) (IC = 1 Adc, IB = 0.25 Adc) (IC = 1.5 Adc, IB = 0.5 Adc) (IC = 1 Adc, IB = 0.25 Adc, TC = 100_C)
DC Current Gain (IC = 0.5 Adc, VCE = 2 Vdc) (IC = 1 Adc, VCE = 2 Vdc)
Clamped Inductive SOA with Base Reverse Biased
Second Breakdown Collector Current with Base Forward Biased
Emitter Cutoff Current (VEB = 9 Vdc, IC = 0)
Collector Cutoff Current (VCEV = Rated Value, VBE(off) = 1.5 Vdc) (VCEV = Rated Value, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 100_C)
Collector╜Emitter Sustaining Voltage (IC = 10 mA, IB = 0)
Characteristic
IC = 1 A, Vclamp = 300 Vdc, , , IB1 = 0.2 A, VBE(off) = 5 Vdc, TC = 100_C
VCC = 125 Vdc, IC = 1 A, 25 ╣s IB1 = IB2 = 0.2 A, tp = 25 ╣s, 02A Duty Cycle 1%
http://onsemi.com
MJD13003
2 VCEO(sus) Symbol RBSOA VCE(sat) VBE(sat) IEBO ICEV Co b hFE IS/b tsv fT td tfi tc ts tr tf Min 400 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 4 8 5 See Figure 12 See Figure 11 0.15 0.29 0.05 Typ 1.7 0.4 0.5 21 10 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 2 0.75 Max 0.7 0.1 1 1.2 1.1 0.5 1 3 1 0.1 2 40 25 -- -- -- 4 4 1 1 -- mAdc mAdc MHz Unit Vdc Vdc Vdc pF ╣s ╣s ╣s ╣s ╣s ╣s ╣s --
MJD13003
VCE , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS) 80 60 hFE , DC CURRENT GAIN 40 30 20 -55╟C 10 8 6 4 0.02 0.03 TJ = 150╟C 25╟C 2 TJ = 25╟C 1.6 1.2 0.8 0.4 0 0.002 IC = 0.1 A 0.3 A 0.5 A 1A 1.5 A
VCE = 2 V VCE = 5 V 0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 IC, COLLECTOR CURRENT (AMP) 1 2
0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 IB, BASE CURRENT (AMP)
0.5
1
2
Figure 1. DC Current Gain
Figure 2. Collector Saturation Region
1.4 1.2 V, VOLTAGE (VOLTS) 1 0.8 0.6 0.4 0.02 0.03 VBE(sat) @ IC/IB = 3 VBE(on) @ VCE = 2 V V, VOLTAGE (VOLTS)
0.35 0.3 0.25 0.2 0.15 0.1 0.05 0.5 0.7 1 2 0 0.02 0.03 0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 25╟C IC/IB = 3 TJ = -55╟C
TJ = -55╟C 25╟C 25╟C 150╟C 0.05 0.07 0.1 0.2 0.3
150╟C
0.5 0.7
1
2
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Figure 3. Base╜Emitter Voltage
Figure 4. Collector╜Emitter Saturation Region
104 VCE = 250 V IC, COLLECTOR CURRENT ( ╣ A) 103 TJ = 150╟C 102 101 100 25╟C 10-1 -0.4 REVERSE FORWARD -0.2 0 +0.2 +0.4 VBE, BASE-EMITTER VOLTAGE (VOLTS) +0.6 125╟C 100╟C 75╟C 50╟C C, CAPACITANCE (pF)
500 300 200 100 70 50 30 20 10 7 5 0.1 0.2 Cob 0.5 12 5 10 20 50 100 200 VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) 500 1000 Cib TJ = 25╟C
Figure 5. Collector Cutoff Region
Figure 6. Capacitance
http://onsemi.com
3
Others parts begin by mj
|
|
|
