|
|
Part: MJD148
Category:
Description: NPN Silicon Power Transistor
Company: ON Semiconductor
Datasheet: Download MJD148 datasheet File size : 113 kB
Request For quote: Find where to buy MJD148
Datasheet text preview:
MJD148 NPN Silicon Power Transistor
DPAK For Surface Mount Applications
Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. ╥ High Gain - 50 Min @ IC = 2.0 A ╥ Low Saturation Voltage - 0.5 V @ IC = 2.0 A ╥ High Current Gain - Bandwidth Product - fT = 3.0 MHz Min @ IC = 250 mAdc ╥ Epoxy Meets UL 94 V-0 @ 0.125 in ╥ ESD Ratings: Human Body Model, 3B; >8000 V Machine Model, C; >400 V
http://onsemi.com
4.0 Amps 45 Volts 20 Watts POWER TRANSISTOR
MARKING DIAGRAM
4 12 3 DPAK CASE 369C STYLE 1 YWW J148
ннннннннннннннннннн н н нннннннннннннннннн н нннннннннннннннннн ннннннннннннннннннн н нн н нн ннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннн н ннннннннннннннннннн нн н н ннннннннннннннннннн н нн ннннннннннннннннннн н нн н нннннннннннннннннн ннннннннннннннннннн н нн ннннннннннннннннннн н нн ннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннн н нн н н ннннннннннннннннннн н нн ннннннннннннннннннн нннннннннннннннннн нн н н ннннннннннннннннннн н ннннннннннннннннннн нн н н ннннннннннннннннннн н нн ннннннннннннннннннн н нн ннннннннннннннннннн н нн н нн нн ннннннннннннннннннн н нн ннннннннннннннннннн нннннннннннннннннн н нн ннннннннннннннннннн н нн нн н нн ннннннннннннннннннн н нн ннннннннннннннннннн н нн ннннннннннннннннннн н нн ннннннннннннннннннн н нн ннннннннннннннннннн нннннннннннннннннн ннннннннннннннннннн н нн нн ннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннн нннннннннннннннннн нн ннннннннннннннннннн
MAXIMUM RATINGS
Rating Symbol VCEO VCB VEB IC IB Value 45 45 Unit Vdc Vdc Vdc Adc Collector-Emitter Voltage Collector-Base Voltage Emitter-Base Voltage 5.0 4.0 7.0 50 Collector Current - Continuous Peak Base Current mAdc W W/╟C W W/╟C ╟C Total Power Dissipation @ TC = 25╟C Derate above 25╟C Total Power Dissipation (Note 1) @ TA = 25╟C Derate above 25╟C Operating and Storage Junction Temperature Range PD PD 20 0.16 1.75 0.014 TJ, Tstg - 55 to + 150
J148 Y WW
= Device Code = Year = Work Week
ORDERING INFORMATION
Device MJD148T4 Package DPAK Shipping 2500/Tape & Reel
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol Rq J C Rq J A
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction-to-Case
6.25 71.4
╟C/W ╟C/W
For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D.
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1)
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur. Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and reliability may be affected. 1. These ratings are applicable when surface mounted on the minimum pad sizes recommended.
╘ Semiconductor Components Industries, LLC, 2004
1
June, 2004 - Rev. 2
Publication Order Number: MJD148/D
нннннннннннннннннннннн н нн н н нннннннннннн нн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннн н н н ннннннннннннннннннннннннннннннн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нн нн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нн н н н н нн н н нн н н н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннн нн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н н н нн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н н нн н н н ннн н н н н ннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н нн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нн нн н н н нннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нн н н н нн н н н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н нн н нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннн нннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннннннннннннннн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн
2. Pulse Test: Pulse Width v 300 ms, Duty Cycle v 2%. DYNAMIC CHARACTERISTICS ON CHARACTERISTICS OFF CHARACTERISTICS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25╟C unless otherwise noted)
Current-Gain-Bandwidth Product
Base-Emitter On Voltage (Note 2)
Collector-Emitter Saturation Voltage (Note 2)
DC Current Gain (Note 2)
Emitter Cutoff Current
Collector Cutoff Current
Collector-Emitter Sustaining Voltage (Note 2)
Characteristic
IC = 10 mAdc, VCE = 5 Vdc IC = 0.5 Adc, VCE = 1 Vdc IC = 2 Adc, VCE = 1 Vdc IC = 3 Adc, VCE = 1 Vdc
IC = 250 mAdc, VCE = 1 Vdc, f = 1 MHz
IC = 2 Adc, VCE = 1 Vdc
IC = 2 Adc, IB = 0.2 Adc
VBE = 5 Vdc, IC = 0
VCB = 45 Vdc, IE = 0
IC = 100 mAdc, IB = 0
http://onsemi.com
Test Conditions
MJD148
2 VCEO(sus) Symbol VCE(sat) VBE(on) ICBO IEBO hFE fT Min 40 85 50 30 45 3 - - - - Max - 375 - - 1.1 0.5 20 - 1 - mAdc mAdc MHz Unit Vdc Vdc Vdc -
MJD148
TYPICAL CHARACTERISTICS
hFE, DC CURRENT GAIN (NORMALIZED) 10 TJ = 150╟C 5 3 2 1 = 25╟C 0.5 0.3 0.2 0.1 0.004 0.007 0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 IC, COLLECTOR CURRENT (A) 0.5 1 2 3 4 - 55╟C VCE = 2 V VCE = 10 V
Figure 1. DC Current Gain
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (V)
2 TJ = 25╟C 1.6
1.2
IC = 10 mA
100 mA
1A
3A
0.8
0.4
0 0.05 0.07 0.1
0.2
0.3
0.5 0.7
1
2 3 5 7 10 IB, BASE CURRENT (mA)
20
30
50 70 100
200 300 500
Figure 2. Collector Saturation Region
http://onsemi.com
3
Others parts begin by mj
|
|
|
