|
|
Part: MJD148T4
Category:
Discrete
-> Transistors
-> Bipolar
-> Power
Description: Bipolar Power Dpak NPN 4A 45V, Package: Dpak, Pins=3
Company: ON Semiconductor
Datasheet: Download MJD148T4 datasheet File size : 113 kB
Request For quote: Find where to buy MJD148T4
Datasheet text preview:
MJD148
Preferred Device
NPN Silicon Power Transistor
DPAK For Surface Mount Applications
Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.
http://onsemi.com
· Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves · · · ·
(No Suffix) Lead Formed Version Available in 16 mm Tape and Reel ("T4" Suffix) High Gain -- 50 Min @ IC = 2.0 Amps Low Saturation Voltage -- 0.5 V @ IC = 2.0 Amps High Current GainBandwidth Product -- fT = 3.0 MHz Min @ IC = 250 mAdc
2 AMPERES 1000 VOLTS 50 WATTS POWER TRANSISTOR
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Î Î ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
Rating Symbol VCEO VCB VEB IC IB Value 45 45 5 4 7 Unit Vdc Vdc Vdc Adc CollectorEmitter Voltage CollectorBase Voltage EmitterBase Voltage Collector Current -- Continuous Peak Base Current 50 mAdc Watts W/°C Watts W/°C °C Total Power Dissipation @ TC = 25°C Derate above 25°C Total Power Dissipation (Note 1) @ TA = 25°C Derate above 25°C Operating and Storage Junction Temperature Range PD PD 20 0.16 1.75 0.014 TJ, Tstg 55 to +150
MARKING DIAGRAMS
YWW MJD 148
DPAK CASE 369A STYLE 1
Y = Year WW = Work Week MJD18002 = Device Code
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol Rq J C Rq J A
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
6.25 71.4
°C/W °C/W
ORDERING INFORMATION
Device MJD1482 Package DPAK Shipping 3000/Tape & Reel
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)
1. These ratings are applicable when surface mounted on the minimum pad sizes recommended.
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2002
1
May, 2002 Rev. 1
Publication Order Number: MJD148/D
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î Î Î Î ÎÎ Î Î ÎÎ Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎ Î Î Î ÎÎÎ Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î Î Î Î ÎÎ Î Î ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
2. Pulse Test: Pulse Width v 300 ms, Duty Cycle v 2%.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted)
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ON CHARACTERISTICS
OFF CHARACTERISTICS
CurrentGainBandwidth Product
BaseEmitter On Voltage (Note 2)
CollectorEmitter Saturation Voltage (Note 2)
DC Current Gain (Note 2)
Emitter Cutoff Current
Collector Cutoff Current
CollectorEmitter Sustaining Voltage (Note 2)
Characteristic
IC = 10 mAdc, VCE = 5 Vdc IC = 0.5 Adc, VCE = 1 Vdc IC = 2 Adc, VCE = 1 Vdc IC = 3 Adc, VCE = 1 Vdc
IC = 250 mAdc, VCE = 1 Vdc, f = 1 MHz
IC = 2 Adc, VCE = 1 Vdc
IC = 2 Adc, IB = 0.2 Adc
VBE = 5 Vdc, IC = 0
VCB = 45 Vdc, IE = 0
IC = 100 mAdc, IB = 0
http://onsemi.com
Test Conditions
MJD148
2 VCEO(sus) Symbol VCE(sat) VBE(on) ICBO IEBO hFE fT Min 40 85 50 30 45 3 Max 375 1.1 0.5 20 1 mAdc mAdc MHz Unit Vdc Vdc Vdc
MJD148
TYPICAL CHARACTERISTICS
hFE, DC CURRENT GAIN (NORMALIZED) 10 TJ = 150°C 5 3 2 1 = 25°C 0.5 0.3 0.2 0.1 0.004 0.007 0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 IC, COLLECTOR CURRENT (AMP) 0.5 1 2 3 4 55°C VCE = 2 V VCE = 10 V
Figure 1. DC Current Gain
VCE, COLLECTOREMITTER VOLTAGE (VOLTS)
2 TJ = 25°C 1.6
1.2
IC = 10 mA
100 mA
1A
3A
0.8
0.4
0 0.05 0.07 0.1
0.2
0.3
0.5 0.7
1
2 3 5 7 10 IB, BASE CURRENT (mA)
20
30
50 70 100
200 300 500
Figure 2. Collector Saturation Region
http://onsemi.com
3
Others parts begin by mj
|
|
|
