|
|
Part: MJD18002D2T4
Category:
Discrete
-> Transistors
-> Bipolar
-> Power
Description: Bipolar NPN Transistor , Package: Dpak, Pins=3
Company: ON Semiconductor
Datasheet: Download MJD18002D2T4 datasheet File size : 113 kB
Request For quote: Find where to buy MJD18002D2T4
Datasheet text preview:
MJD18002D2 Bipolar NPN Transistor
High Speed, High Gain Bipolar NPN Power Transistor with Integrated Collector╜Emitter Diode and Built╜In Efficient Antisaturation Network
The MJD18002D2 is a state╜of╜the╜art high speed, high gain bipolar transistor (H2BIP). Tight dynamic characteristics and lot to lot minimum spread (╠150 ns on storage time) make it ideally suitable for light ballast applications. Therefore, there is no longer a need to guarantee an hFE window.
Main Features:
http://onsemi.com
╥ Low Base Drive Requirement ╥ High Peak DC Current Gain (55 Typical) @ IC = 100 mA ╥ Extremely Low Storage Time Min/Max Guarantees Due to the ╥ ╥ ╥ ╥
H2BIP Structure which Minimizes the Spread Integrated Collector╜Emitter Free Wheeling Diode Fully Characterized and Guaranteed Dynamic VCEsat Characteristics Make It Suitable for PFC Application "6 Sigma" Process Providing Tight and Reproductible Parameter Spreads
2 AMPERES 1000 VOLTS 50 WATTS POWER TRANSISTOR
Two Versions:
╥ MJD18002D2╜1: Case 369 for Insertion Mode ╥ MJD18002D2: Case 369A for Surface Mount Mode
MAXIMUM RATINGS
Rating Collector╜Emitter Sustaining Voltage Collector╜Base Breakdown Voltage Collector╜Emitter Breakdown Voltage Emitter╜Base Voltage Collector Current ╜ Continuous Collector Current ╜ Peak (Note 1.) Base Current ╜ Continuous Base Current ╜ Peak (Note 1.) Symbol VCEO VCBO VCES VEBO IC ICM IB IBM Value 450 1000 1000 11 2.0 5.0 1.0 2.0 Unit Vdc Vdc Vdc Vdc Adc Adc Y = Year WW = Work Week MJD18002 = Device Code Unit W W/╟C ╟C ╟C/W ╟C/W ╟C YWW MJD 18002 YWW MJD 18002 DPAK CASE 369 STYLE 1 DPAK CASE 369A STYLE 1
MARKING DIAGRAMS
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic Total Device Dissipation @ TC = 25╟C Derate above 25╟C Operating and Storage Temperature Range Thermal Resistance ╜ Junction╜to╜Case Thermal Resistance ╜ Junction╜to╜Ambient Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes: 1/8 from Case for 5 sec. Symbol PD TJ, Tstg R J C R J A TL Value 50 0.4 ╜65 to +150 5.0 71.4 260
ORDERING INFORMATION
Device MJD18002D2╜1 MJD18002D2T4 Package DPAK DPAK Shipping 75 Units/Rail 3000/Tape & Reel
1. Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle = 10%
╘ Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
1
April, 2001 ╜ Rev. 0
Publication Order Number: MJD18002D2/D
нн н нн н н н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннн н н н н н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн н н нн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн н н нн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн н н нн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн н н нн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн н н нн н н н н нн н н н нн н н нн ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннн ннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн н н нн н н н нннннннннннннннннннннннннннннннн ннн н н н н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн н н нн н н н нннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннн ннн н н н ннннннннннннннннннн н н нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн н н нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн н н нн н нн н нн н н нннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннннннннннннннн н н нн н н н н нн н н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн н н нн н н ннн н н н н н н н нн н н н н нн н н нннннннннннннннннннннннннннннннн н ннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн н н нн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннннннннннннннн н н н нн н н ннн н н н н н н н нн н н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн н н нн н н нннннннннннннннннннннннннннннннн н нннннннннннннннннннннннннннннннн нн н нн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн н н нн н н н нннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн нн н н н н н н нн н н н нн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн н н нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннн н н н н н н н нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн н н нн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн н н нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн н н нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн н н нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн н н нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн н н нн н н нннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн н н нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн н н нн н
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25╟C unless otherwise noted)
DIODE CHARACTERISTICS DYNAMIC CHARACTERISTICS ON CHARACTERISTICS OFF CHARACTERISTICS Collector Cutoff Current (VCE = Rated VCES, VEB = 0) Collector Cutoff Current (VCE = 500 V, VEB = 0) Forward Recovery Time (IF = 0.4 Adc, di/dt = 10 A/╣s) Forward Diode Voltage (IEC = 1.0 Adc) Input Capacitance (VEB = 8 Vdc) Output Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1 MHz) Current Gain Bandwidth (IC = 0.5 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1 MHz) DC Current Gain (IC = 0.4 Adc, VCE = 1.0 Vdc) Collector╜Emitter Saturation Voltage (IC = 0.4 Adc, IB = 40 mAdc) Base╜Emitter Saturation Voltage (IC = 0.4 Adc, IB = 40 mAdc) (IC = 1.0 Adc, IB = 0.2 Adc) Emitter╜Cutoff Current (VEB = 10 Vdc, IC = 0) Collector Cutoff Current (VCE = Rated VCEO, IB = 0) Emitter╜Base Breakdown Voltage (IEBO = 1 mA) Collector╜Base Breakdown Voltage (ICBO = 1 mA) Collector╜Emitter Sustaining Voltage (IC = 100 mA, L = 25 mH) (IC = 1.0 Adc, VCE = 1.0 Vdc) (IC = 1.0 Adc, IB = 0.2 Adc) (IF = 1.0 Adc, di/dt = 10 A/╣s) (IEC = 0.4 Adc) Characteristic
http://onsemi.com
MJD18002D2
@ TC = 25╟C @ TC = 125╟C
@ TC = 25╟C @ TC = 125╟C
@ TC = 25╟C @ TC = 125╟C
@ TC = 25╟C @ TC = 125╟C
@ TC = 25╟C @ TC = 25╟C
@ TC = 25╟C @ TC = 125╟C @ TC = 125╟C
@ TC = 25╟C
@ TC = 25╟C
@ TC = 125╟C
@ TC = 25╟Cннннн ╜
@ TC = 25╟C
2 VCEO(sus) Symbol VCE(sat) VBE(sat) VCBO VEBO ICEO IEBO ICES VEC Co b hFE Ci b tfr ft 1000 Min 450 14 8.0 6.0 4.0 11
╜ ╜
╜ ╜ ╜ ╜ ╜ ╜ ╜ ╜ ╜ ╜ ╜ ╜ ╜ ╜
╜ ╜
1100
0.36 0.50
0.78 0.87
0.40 0.65
Typ
480 517 340 570 0.6 1.0 1.2 10 6.0 50 13 25 15 14 ╜ ╜ ╜ ╜ ╜
Max
0.75 1.2
500
100
500
100 500 100
100
1.3
1.5
0.6 1.0
1.0 1.1
╜ ╜ ╜ ╜ ╜ ╜ ╜ ╜ ╜
╜ ╜
╣Adc
╣Adc
╣Adc
MHz
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
pF
pF
ns ╜
нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннн н ннннн н н н нннннннннннннннннннннннннн нннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннн н н ннн н н н н н ннннн н ннннн н н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нн н н н н н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нн н н н н н ннннн н ннннн н нннн н н н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннн н ннн н н н н н ннннн н ннннн н н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннн н н ннн н н н н н ннннн н ннннн н н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннн н ннн н н н н н ннннн н ннннн н н н нннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннн н н н нннннннннннннннннннннннннннннннн ннн н н н н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннннннннн ннннн н ннннн н н н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннн н ннн н н н н н ннннн н ннннн н н н нннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннн н ннннн н нннн н н н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннннннннннннннн нн н н н н н н н ннннн ннннн н н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннн нн н н н н н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннн н н н н н н н ннннн нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннн нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннн нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннн нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннн нн н н нннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннн нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннн нннн нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннн
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25╟C unless otherwise noted)
SWITCHING CHARACTERISTICS: Inductive Load (Vclamp = 300 V, VCC = 15 V, L = 200 ╣H) SWITCHING CHARACTERISTICS: Resistive Load (D.C.S. 10%, Pulse Width = 40 ms) DYNAMIC SATURATION VOLTAGE Cross╜over Time Storage Time Fall Time Cross╜over Time Storage Time Fall Time Cross╜over Time Storage Time Fall Time Turn╜off Time Turn╜on Time Turn╜off Time Turn╜on Time Dynamic Saturation Voltage Determinated 1 ms and 3 ms respectively after rising IB1 reaches 90% reaches 90% of final IB1 IC = 0.4 Adc, IB1 = 40 mAdc IB2 = 200 mAdc 200 mAdc VCC = 300 Vdc IC = 1.0 Adc, IB1 = 0.2 Adc IB2 = 0.5 Adc 0 5 Adc VCC = 300 Vdc IC = 0.4 Adc IB1 = 40 mA 40 mA VCC = 300 Vdc IC = 1 Adc IB1 = 0 2 A 0.2 VCC = 300 Vdc Characteristic IC = 0.8 Adc IB1 = 160 mAdc IB2 = 160 mAdc IC = 0.4 Adc IB1 = 40 mAdc IB2 = 0.2 Adc IC = 1.0 Adc IB1 = 0.2 Adc IB2 = 0.5 Adc @ 3 ╣s @ 1 ╣s @ 3 ╣s @ 1 ╣s @ TC = 25╟C @ TC = 125╟C @ TC = 25╟C @ TC = 125╟C @ TC = 25╟C @ TC = 125╟C @ TC = 25╟C @ TC = 125╟C @ TC = 25╟C @ TC = 125╟C @ TC = 25╟C @ TC = 125╟C @ TC = 25╟C @ TC = 125╟C @ TC = 25╟C @ TC = 125╟C @ TC = 25╟C @ TC = 125╟C @ TC = 25╟C @ TC = 125╟C @ TC = 25╟C @ TC = 125╟C @ TC = 25╟C @ TC = 125╟C @ TC = 25╟C @ TC = 125╟C @ TC = 25╟C @ TC = 25╟C @ TC = 25╟C @ TC = 25╟C
http://onsemi.com
MJD18002D2
3 VCE(dsat) Symbol ton ton toff toff tc ts tc ts tc ts tf tf tf 0.95 ╜ Min 2.1 ╜ 0.4 ╜ 0.8 ╜ ╜ ╜ ╜ ╜ ╜ ╜ ╜ ╜ ╜ ╜ ╜ ╜ ╜ ╜ ╜ ╜ ╜ ╜ ╜ ╜ ╜ ╜ 1.05 1.45 11.7 Typ 110 100 100 100 275 350 130 140 130 120 100 94 225 375 1.3 2.5 7.4 ╜ 3.0 ╜ 0.7 ╜ 1.5 ╜ 1.5 100 115 1.25 ╜ Max 150 ╜ 150 ╜ 350 ╜ 175 ╜ 175 ╜ 175 ╜ 150 ╜ 350 ╜ 1.2 ╜ 2.4 ╜ 0.7 ╜ 1.1 ╜ ╜ ╜ ╜ ╜ Unit ╣s ╣s ╣s ╣s ╣s ns ns ns ns ns ns ns V ns
Others parts begin by mj
|
|
|
