|
|
Part: MJD200RL
Category:
Discrete
-> Transistors
-> Bipolar
-> Power
Description: Complementary Plastic Power Transistors NPN , Package: Dpak, Pins=3
Company: ON Semiconductor
Datasheet: Download MJD200RL datasheet File size : 113 kB
Request For quote: Find where to buy MJD200RL
Datasheet text preview:
ON Semiconductort NPN PNP
Complementary Plastic Power Transistors
NPN/PNP Silicon DPAK For Surface Mount Applications
. . . designed for low voltage, lowpower, highgain audio amplifier applications.
MJD200 MJD210
SILICON POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 25 VOLTS 12.5 WATTS
· CollectorEmitter Sustaining Voltage -- ·
VCEO(sus) = 25 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc High DC Current Gain -- hFE = 70 (Min) @ IC = 500 mAdc = 45 (Min) @ IC = 2 Adc = 10 (Min) @ IC = 5 Adc Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix) Straight Lead Version in Plastic Sleeves ("1" Suffix) Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel ("T4" Suffix) Low CollectorEmitter Saturation Voltage -- VCE(sat) = 0.3 Vdc (Max) @ IC = 500 mAdc = 0.75 Vdc (Max) @ IC = 2.0 Adc High CurrentGain -- Bandwidth Product -- fT = 65 MHz (Min) @ IC = 100 mAdc Annular Construction for Low Leakage -- ICBO = 100 nAdc @ Rated VCB
Rating Symbol VCB VEB IC IB VCEO Value 40 25 8 Unit Vdc Vdc Vdc Adc Adc
· · · · · ·
CASE 369A13
CASE 36907
0.063 1.6 inches mm
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
1
November, 2001 Rev. 4
Publication Order Number: MJD200/D
0.243 6.172
ÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎ Î Î ÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
CollectorBase Voltage CollectorEmitter Voltage EmitterBase Voltage Collector Current -- Continuous Peak Base Current 5 10 1 Total Device Dissipation @ TC = 25_C Derate above 25_C PD PD 12.5 0.1 Watts W/_C Watts W/_C _C Total Device Dissipation @ TA = 25_C* Derate above 25_C Operating and Storage Junction Temperature Range 1.4 0.011 TJ, Tstg 65 to +150
MINIMUM PAD SIZES RECOMMENDED FOR SURFACE MOUNTED APPLICATIONS
0.190 4.826
0.118 3.0
0.100 2.54
0.165 4.191
ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎ Î Î Î Î ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î Î Î Î ÎÎ Î Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î ÎÎ Î ÎÎ Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎ Î Î ÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DYNAMIC CHARACTERISTICS ON CHARACTERISTICS OFF CHARACTERISTICS
*When surface mounted on minimum pad sizes recommended. (1) Pulse Test: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle [ 2%. (2) Pulse Test: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle [ 2%. (3) fT = hfe· ftest.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25_C unless otherwise noted)
THERMAL CHARACTERISTICS
Emitter Cutoff Current (VBE = 8 Vdc, IC = 0)
Collector Cutoff Current (VCB = 40 Vdc, IE = 0) (VCB = 40 Vdc, IE = 0, TJ = 125_C)
CollectorEmitter Sustaining Voltage (1) (IC = 10 mAdc, IB = 0)
Output Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz)
CurrentGain -- Bandwidth Product (3) (IC = 100 mAdc, VCE = 10 Vdc, ftest = 10 MHz)
BaseEmitter On Voltage (1) (IC = 2 Adc, VCE = 1 Vdc)
BaseEmitter Saturation Voltage (1) (IC = 5 Adc, IB = 1 Adc)
CollectorEmitter Saturation Voltage (2) (IC = 500 mAdc, IB = 50 mAdc) (IC = 2 Adc, IB = 200 mAdc) (IC = 5 Adc, IB = 1 Adc)
DC Current Gain (2) (IC = 500 mAdc, VCE = 1 Vdc) (IC = 2 Adc, VCE = 1 Vdc) (IC = 5 Adc, VCE = 2 Vdc)
Thermal Resistance, Junction to Case Thermal Resistance, Junction to Ambient*
Characteristic
Characteristic
MJD200 MJD210
http://onsemi.com
VCEO(sus) Symbol Symbol MJD200 MJD210 R J C R J A ICBO IEBO (continued) VCE(sat) VBE(sat) VBE(on) Co b hFE fT Min 25 -- -- -- 10 89.3 Max 65 70 45 10 -- -- -- -- -- -- -- Max 100 100 100 -- 0.3 0.75 1.8 -- 180 -- 80 120 1.6 2.5 -- _C/W nAdc nAdc Unit Unit Vdc MHz Vdc Vdc Vdc pF --
2
MJD200 MJD210
TA 2.5 PD, POWER DISSIPATION (WATTS) 2 TC 25 20 15 10 5 0 TC TA (SURFACE MOUNT) 25 µs +11 V 0 -9 V 1 tr, tf 10 ns DUTY CYCLE = 1% 51 -4 V RB and RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS 25 50 75 100 125 150 D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPE, e.g.: FOR PNP TEST CIRCUIT, 1N5825 USED ABOVE IB 100 mA REVERSE ALL POLARITIES MSD6100 USED BELOW IB 100 mA D1 RB VCC +30 V RC SCOPE
1.5
0.5 0
T, TEMPERATURE (°C)
Figure 1. Power Derating
Figure 2. Switching Time Test Circuit
1K 500 300 200 100 t, TIME (ns) 50 30 20 10 5 3 2 MJD200 MJD210 t, TIME (ns) tr VCC = 30 V IC/IB = 10 TJ = 25°C td
10K 5K 3K 2K 1K 500 300 200 100 50 30 20 5 10 MJD200 MJD210 tf 3 5 10 ts VCC = 30 V IC/IB = 10 IB1 = IB2 TJ = 25°C
1 1 23 0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10 0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 3. TurnOn Time
Figure 4. TurnOff Time
http://onsemi.com
3
Others parts begin by mj
|
|
|
