|
|
Part: MJW16206
Category:
Discrete
-> Transistors
-> Bipolar
-> High Voltage
-> NPN
Description: Power 12A 500V NPN
Company: ON Semiconductor
Datasheet: Download MJW16206 datasheet File size : 301 kB
Request For quote: Find where to buy MJW16206
Datasheet text preview:
ON Semiconductort
SCANSWITCHt
NPN Bipolar Power Deflection Transistors For High and Very High Resolution CRT Monitors
T h e MJF16206 and the MJW16206 are stateoftheart SWITCHMODEt bipolar power transistors. They are specifically designed for use in horizontal deflection circuits for high and very high resolution, monochrome and color CRT monitors. · 1200 Volt VCES Breakdown Capability · Typical Dynamic Desaturation Specified (New TurnOff Characteristic) · Maximum Repetitive EmitterBase Avalanche Energy Specified (Industry First) · High Current Capability: Performance Specified at 6.5 Amps Continuous Rating -- 12 Amps Max Pulsed Rating -- 15 Amps Max · Isolated MJF16206 is UL Recognized · Fast Switching: 100 ns Inductive Fall Time (Typ) 1000 ns Inductive Storage Time (Typ) · Low Saturation Voltage 0.25 Volts (Typ) at 6.5 Amps Collector Current · High EmitterBase Breakdown Capability For High Voltage Off Drive Circuits -- 8.0 V (Min)
MJW16206
POWER TRANSISTORS 12 AMPERES 1200 VOLTS -- VCES 50 and 150 WATTS
ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
Rating Symbol VCES Value 1200 500 8.0 -- -- Unit Vdc Vdc Vdc CollectorEmitter Breakdown Voltage CollectorEmitter Sustaining Voltage EmitterBase Voltage VCEO(sus) VEBO Isolation Voltage (RMS for 1 sec., TA = 25_C, Relative Humidity v 30%) VISOL Vrms Figure 19 Figure 20 Collector Current -- Continuous Collector Current -- Pulsed (1) Base Current -- Continuous Base Current -- Pulsed (1) IC ICM IB IBM 12 15 Adc Adc 5.0 10 0.2 Repetitive EmitterBase Avalanche Energy Total Power Dissipation @ TC = 25_C Total Power Dissipation @ TC = 100_C Derated above 25_C Operating and Storage Temperature W(BER) PD mjoules Watts W/_C _C 150 39 1.49 TJ, Tstg 55 to +150
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
CASE 340K01 TO247AE
1
April, 2001 Rev. 5
Publication Order Number: MJW16206/D
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î Î ÎÎ Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎ Î Î Î Î Î ÎÎ Î Î Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î Î Î Î Î ÎÎ Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î Î ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎ Î Î Î Î Î ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î Î ÎÎ Î Î ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎ Î Î Î Î Î ÎÎ Î Î Î ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
(1) Pulse Test: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle v 2.0%. (1) Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle v 10%. SWITCHING CHARACTERISTICS DYNAMIC CHARACTERISTICS ON CHARACTERISTICS (1) OFF CHARACTERISTICS (1)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25_C unless otherwise noted)
THERMAL CHARACTERISTICS
Inductive Load (Figure 15) (IC = 6.5 A, IB = 1.5 A) Storage Fall Time
CollectorHeatsink Capacitance -- MJF16206 Isolated Package (Mounted on a 1 x 2 x 1/16 Copper Heatsink, VCE = 0, ftest = 100 kHz)
Gain Bandwidth Product (VCE = 10 Vdc, IC = 0.5 A, ftest = 1.0 MHz)
Output Capacitance (VCE = 10 Vdc, IE = 0, ftest = 100 kHz)
EmitterBase Avalanche Turnoff Energy (Figure 15) (t = 500 ns, RBE = 22 )
Dynamic Desaturation Interval (Figure 15) (IC = 6.5 Adc, IB = 1.5 Adc, LB = 0.5 µH)
DC Current Gain (IC = 1.0 Adc, VCE = 5.0 Vdc) (IC = 10 Adc, VCE = 5.0 Vdc) (IC = 12 Adc, VCE = 5.0 Vdc)
BaseEmitter Saturation Voltage (IC = 6.5 Adc, IB = 1.5 Adc)
CollectorEmitter Saturation Voltage (IC = 3.0 Adc, IB = 400 mAdc) (IC = 6.5 Adc, IB = 1.5 Adc)
EmitterBase Breakdown Voltage (IE = 1.0 mA, IC = 0)
CollectorEmitter Sustaining Voltage (Figure 10) (IC = 10 mAdc, IB = 0)
EmitterBase Leakage (VEB = 8.0 Vdc, IC = 0)
Collector Cutoff Current (VCE = 1200 Vdc, VBE = 0 V) (VCE = 850 Vdc, VBE = 0 V)
Lead Temperature for Soldering Purposes 1/8 from the Case for 5 seconds
Thermal Resistance -- Junction to Case
Characteristic
Characteristic
http://onsemi.com
MJW16206
2 VCEO(sus) V(BR)EBO Symbol VCE(sat) VBE(sat) EB(off) Cc h s Symbol IEBO ICES Co b hFE tds tsv tfi fT R J C TL Min 500 8.0 -- 5.0 3.0 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 0.67 Max 1000 100 260 0.15 0.25 Typ 180 250 3.0 0.9 24 8.0 6.0 17 30 11 -- -- -- -- 2250 250 Max 350 250 25 1.5 1.0 1.0 25 -- 13 -- -- -- -- -- -- -- _C/W Unit _C µjoules µAdc µAdc MHz Unit Vdc Vdc Vdc Vdc pF pF ns ns --
MJW16206
VCE , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS) 100 70 50 hFE , DC CURRENT GAIN 30 20 10 7 5 3 2 1 0.2 5 3 2 1 0.7 0.5 0.3 0.2 0.1 0.07 0.05 IC/IB1 = 10 10 5 TJ = 25°C TJ = 100°C
TJ = 100°C 25°C -55°C
VCE = 5 V
0.3
3 57 2 0.5 0.7 1 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
20
0.2 0.3
0.5 0.7
1
2
3
5
7
10
20
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 1. Typical DC Current Gain
Figure 2. Typical CollectorEmitter Saturation Voltage
VCE , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
3 2 1 0.7 0.5 0.3 0.2 0.1 0.07 0.05 0.07 0.1 IC = 2 A 4A 6.5 A 10 A
TJ = 25°C 8A
VBE, BASE-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
7 5
10 7 5 3 2 1 0.7 0.5 0.3 0.2 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 TJ = 25°C TJ = 100°C 7 10 20 IC/IB1 = 5 to 10
0.2 0.3 0.5 0.7 1 IB, BASE CURRENT (AMPS)
2
3
5
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 3. Typical Collector Saturation Region
Figure 4. Typical BaseEmitter Saturation Voltage
Cib
f T, TRANSITION FREQUENCY (MHz)
10K 7K 5K 3K 2K C, CAPACITANCE (pF) 1K 700 500 300 200 100 70 50 30 20 TC = 25°C f = 1 MHz
10 7 5 3 2 1 0.7 0.5 0.3 0.2 0.1 0.1
Cob
f(test) = 1 MHz TC = 25°C VCE = 10 V
10 0.1 0.2 0.3 0.5
1
2 3 5 7 10 20 30 50 100 200 300 500 1K
0.2
0.3
0.5 0.7
1
2
3
5
7
10
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 5. Typical Capacitance
Figure 6. Typical Transition Frequency
http://onsemi.com
3
Others parts begin by mj
|
|
|
