|
|
Part: MJW16212
Category:
Discrete
-> Transistors
-> Bipolar
-> High Voltage
-> NPN
Description: Power 10A 650V NPN
Company: ON Semiconductor
Datasheet: Download MJW16212 datasheet File size : 301 kB
Request For quote: Find where to buy MJW16212
Datasheet text preview:
ON Semiconductort
SCANSWITCHTM
NPN Bipolar Power Deflection Transistor For High and Very High Resolution Monitors
The MJW16212 is a stateoftheart SWITCHMODETM bipolar power transistor. It is specifically designed for use in horizontal deflection circuits for 20 mm diameter neck, high and very high resolution, full page, monochrome monitors.
MJW16212 *
*ON Semiconductor Preferred Device
POWER TRANSISTOR 10 AMPERES 1500 VOLTS VCES 50 AND 150 WATTS
· · · ·
1500 Volt CollectorEmitter Breakdown Capability Typical Dynamic Desaturation Specified (New TurnOff Characteristic) Application Specific StateoftheArt Die Design Fast Switching: 200 ns Inductive Fall Time (Typ) 2000 ns Inductive Storage Time (Typ) · Low Saturation Voltage: 0.15 Volts at 5.5 Amps Collector Current and 2.5 A Base Drive · Low CollectorEmitter Leakage Current -- 250 µA Max at 1500 Volts -- VCES · High EmitterBase Breakdown Capability For High Voltage Off Drive Circuits -- 8.0 Volts (Min)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎ Î Î ÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î ÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎ Î Î ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
Rating Symbol VCES Value 1500 650 8.0 -- -- Unit Vdc Vdc Vdc V CollectorEmitter Breakdown Voltage CollectorEmitter Sustaining Voltage EmitterBase Voltage VCEO(sus) VEBO RMS Isolation Voltage (2) (for 1 sec, TA = 25_C, Rel. Humidity < 30%) VISOL Per Fig. 14 Per Fig. 15 Collector Current -- Continuous Collector Current -- Pulsed (1) Base Current -- Continuous Base Current -- Pulsed (1) IC ICM IB IBM 10 15 Adc Adc mJ 5.0 10 0.2 Maximum Repetitive EmitterBase Avalanche Energy W (BER) PD Total Power Dissipation @ TC = 25_C Total Power Dissipation @ TC = 100_C Derated above TC = 25_C 150 39 1.49 Watts W/_C _C Operating and Storage Temperature Range TJ, Tstg 55 to 125
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
CASE 340K01 TO247AE
1
April, 2001 Rev.4
Publication Order Number: MJW16212/D
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î Î ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î Î ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎ Î Î Î Î Î ÎÎ Î Î Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î Î Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î Î Î Î Î ÎÎ Î Î Î ÎÎ Î Î ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎ Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
(2) Proper strike and creepage distance must be provided. (2) Pulse Test: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle v 2.0%. (1) Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle v 10%. SWITCHING CHARACTERISTICS DYNAMIC CHARACTERISTICS ON CHARACTERISTICS (2) OFF CHARACTERISTICS (2)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25_C unless otherwise noted)
THERMAL CHARACTERISTICS
Inductive Load (IC = 5.5 A, IB = 2.2 A), High Resolution Deflection Simulator Circuit Table 2 Storage Fall Time
CollectorHeatsink Capacitance -- MJF16212 Isolated Package (Mounted on a 1 x 2 x 1/16 Copper Heatsink, VCE = 0, ftest = 100 kHz)
EmitterBase TurnOff Energy (EB(avalanche) = 500 ns, RBE = 22 )
Gain Bandwidth Product (VCE = 10 Vdc, IC = 0.5 A, ftest = 1.0 MHz)
Output Capacitance (VCE = 10 Vdc, IE = 0, ftest = 100 kHz)
Dynamic Desaturation Interval (IC = 5.5 A, IB1 = 2.2 A, LB = 1.5 µH)
DC Current Gain (IC = 1.0 A, VCE = 5.0 Vdc) DC Current Gain (IC = 10 A, VCE = 5.0 Vdc)
BaseEmitter Saturation Voltage (IC = 5.5 Adc, IB = 2.2 Adc)
CollectorEmitter Saturation Voltage (IC = 5.5 Adc, IB = 2.2 Adc) CollectorEmitter Saturation Voltage (IC = 3.0 Adc, IB = 400 mAdc)
CollectorEmitter Sustaining Voltage (Table 1) (IC = 10 mAdc, IB = 0)
EmitterBase Breakdown Voltage (IE = 1.0 mA, IC = 0)
EmitterBase Leakage (VEB = 8.0 Vdc, IC = 0)
Collector Cutoff Current (VCE = 1500 V, VBE = 0 V) Collector Cutoff Current (VCE = 1200 V, VBE = 0 V)
Lead Temperature for Soldering Purposes 1/8 from the case for 5 seconds
Thermal Resistance -- Junction to Case
Characteristic
Characteristic
http://onsemi.com
MJW16212
2 VCEO(sus) V(BR)EBO Symbol VCE(sat) VBE(sat) EB(off) Cc h s IEBO ICES Symbol Co b hFE tds tsv tfi fT R J C TL Min 650 8.0 -- 4.0 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 2000 200 2.75 0.15 0.14 Typ 180 350 5.0 0.9 24 6.0 35 11 -- -- -- -- 0.67 Max 275 4000 350 Max 350 250 25 1.5 1.0 1.0 25 -- 10 -- -- -- -- -- -- _C/W Unit _C µAdc µAdc MHz Unit Vdc Vdc Vdc Vdc pF pF µJ ns ns --
MJW16212
SAFE OPERATING AREA
IC, COLLECTOR-EMITTER CURRENT (A) 100 50 IC, COLLECTOR CURRENT (A) 20 10 5 2 1 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 TJ = 25°C 1 2 3 MJH16212 DC BONDING WIRE LIMIT THERMAL LIMIT SECOND BREAKDOWN 5 ms 10 µs 100 ns II
18 14 10 6 2 0 300 600 900 1200 1500 IC/IB = 5 TJ 100°C
5 7 10 20 30 50 70 100 200 300 500 700 1K VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (V)
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (V)
Figure 1. Maximum Forward Bias Safe Operating Area FORWARD BIAS
1 0.8 0.6 0.4 0.2 0
Figure 2. Maximum Reverse Bias Safe Operating Area
There are two limitations on the power handling ability of a transistor: average junction temperature and second breakdown. Safe operating area curves indicate IC VCE limits of the transistor that must be observed for reliable operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipation than the curves indicate. The data of Figure 1 is based on TC = 25_C; TJ ( p k ) is variable depending on power level. Second breakdown pulse limits are valid for duty cycles to 10% but must be derated when TC 25_C. Second breakdown limitations do not derate the same as thermal limitations. Allowable current at the voltages shown on Figure 1 may be found at any case temperature by using the appropriate curve on Figure 3. At high case temperatures, thermal limitations will reduce the power that can be handled to values less than the limitations imposed by second breakdown.
REVERSE BIAS
POWER DERATING FACTOR
SECOND BREAKDOWN DERATING
THERMAL DERATING
25
45
65
85
105
125
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
Figure 3. Power Derating
For inductive loads, high voltage and high current must be sustained simultaneously during turnoff, in most cases, with the basetoemitter junction reverse biased. Under these conditions the collector voltage must be held to a safe level at or below a specific value of collector current. This can be accomplished by several means such as active clamping, RC snubbing, load line shaping, etc.
The safe level for these devices is specified as Reverse Biased Safe Operating Area and represents the voltagecurrent condition allowable during reverse biased turnoff. This rating is verified under clamped conditions so that the device is never subjected to an avalanche mode. Figure 2 gives the RBSOA characteristics.
http://onsemi.com
3
Others parts begin by mj
|
|
|
