|
|
Part: MJW21192
Category:
Discrete
-> Transistors
-> Bipolar
-> Power
Description: Complementary Silicon Plastic Power Transistors , Package: TO-247, Pins=3
Company: ON Semiconductor
Datasheet: Download MJW21192 datasheet File size : 301 kB
Request For quote: Find where to buy MJW21192
Datasheet text preview:
ON Semiconductort
Complementary Silicon Plastic Power Transistors
Specifically designed for power audio output, or high power drivers in audio amplifiers.
MJW21192 MJW21191
PNP
NPN
╥ ╥ ╥ ╥
DC Current Gain Specified up to 8.0 Amperes at Temperature All On Characteristics at Temperature High SOA: 20 A, 18 V, 100 ms TO╜247AE Package
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol VCEO VCB VEB IC IB
MJW21191 MJW21192 150 150 5.0 8.0 16 2.0
8.0 AMPERES POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 150 VOLTS 125 WATTS
C, CAPACITANCE (pF)
ннн н н нннннннннннннннннннн нн нн н н ннннннннннннннннннн нн нн нннннннннннннннннннн н нннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннн нннннннннннннннннн н нн нн нн н ннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннн н нннннннннннннннннннн н нн н нн н нннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннн н нн ннн н н н нн н нн ннн н н ннннннннннннннннннн нннннннннннннннннн нннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннн н нн нннннннннннннннннннн н нн ннн н нн нннннннннннннннннннн н нн нннннннннннннннннннн н нн нннннннннннннннннннн н нн нннннннннннннннннннн н нн нннннннннннннннннннн нннннннннннннннннн нн нннннннннннннннннннн нннннннннннннннннн нн нннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннн н нн нннннннннннннннннннн
Unit Vdc Vdc Vdc Adc Adc Collector╜Emitter Voltage Collector╜Base Voltage Emitter╜Base Voltage Collector Current -- Continuous -- Peak Base Current Total Power Dissipation @ TC = 25_C Derate above 25_C Operating and Storage Junction Temperature Range PD 125 0.65 Watts W/_C _C TJ, Tstg ╜65 to +150
1 2 3 TO╜247 CASE 340K STYLE 3
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol R J C R J A
Max 1.0 50
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
_C/W _C/W
MARKING DIAGRAM
Thermal Resistance, Junction to Ambient
MJW 2119x LLYWW 1 BASE 3 EMITTER
1000 PNP 100 NPN
2 COLLECTOR MJW2119x = Device Code x = 1 or 2 LL = Location Code Y = Year WW = Work Week
10
1.0
1.0
10
100
1000
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 1. Typical Capacitance @ 25╟C
╘ Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
1
May, 2001 ╜ Rev. 1
Publication Order Number: MJW21192/D
MJW21192 MJW21191
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE (NORMALIZED)
нн нн н н нннннннннннннннннннннннннннннннн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н н нн н н н нннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н ннн н н н н нн н н нннннннннннннннннннннннннннннннн н ннннннннннннннннннннннннннннннн нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н н нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н ннн н н н н нн н н нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н н нннннннннннннннннннннннннннннннн ннн н н н ннннннннннннннннннннннннннннннннн нннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннн нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн ннннннннннннннннннннннннннннннннн н нн н ннннннннннннннннннннннннннннннннн
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25_C unless otherwise noted)
Characteristic OFF CHARACTERISTICS Symbol Min Max Unit Collector╜Emitter Sustaining Voltage (1) (IC = 10 mAdc, IB = 0) Collector Cutoff Current (VCB = 250 Vdc, IE = 0) Emitter Cutoff Current (VBE = 5.0 Vdc, IC = 0) VCEO(sus) ICES Vdc 150 -- ╣Adc ╣Adc -- -- 10 10 IEBO ON CHARACTERISTICS (1) DC Current Gain (IC = 4.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc) (IC = 8.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc) hFE 15 5.0 -- -- -- -- -- -- 100 Collector╜Emitter Saturation Voltage (IC = 4.0 Adc, IB = 0.4 Adc) (IC = 8.0 Adc, IB = 1.6 Adc) Base╜Emitter On Voltage (IC = 4.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc) VCE(sat) Vdc 1.0 2.0 2.0 VBE(on) Vdc DYNAMIC CHARACTERISTICS Current Gain -- Bandwidth Product (2) (IC = 1.0 Adc, VCE = 10 Vdc, ftest = 1.0 MHz) fT 4.0 -- MHz (1) Pulse Test: Pulse Width v 300 ╣s, Duty Cycle v 2.0%. (2) fT = hfe╥ ftest. 1.0 D = 0.5 P(pk) 0.2 0.1 0.1 0.05 0.02 0.01 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 t, TIME (s) 1.0 t1 t2 DUTY CYCLE, D = t1/t2 ZJC(t) = r(t) RJC RJC = 1.65╟C/W MAX D CURVES APPLY FOR POWER PULSE TRAIN SHOWN READ TIME AT t1 TJ(pk) - TC = P(pk) ZJC(t) 10 100 1000
Figure 2. Thermal Response
There are two limitations on the power handling ability of a transistor: average junction temperature and second breakdown. Safe operating area curves indicate IC ╜ VCE limits of the transistor that must be observed for reliable operation, i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipation then the curves indicate. The data of Figures 3 and 4 is based on TJ ( p k ) = 150_C; TC is variable depending on conditions. Second breakdown
pulse limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ ( p k ) < 150_C. TJ ( p k ) may be calculated from the data in Figure 2. At high case temperatures, thermal limitations will reduce the power that can be handled to values less than the limitations imposed by second breakdown.
http://onsemi.com
2
MJW21192 MJW21191
NPN -- MJW21192
100 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 10 ms 100 IC , COLLECTOR CURRENT (AMPS) 10 ms 100 ms 10 250 ms
PNP -- MJW21191
100 ms 10 250 ms
1.0
1.0
0.1
1.0
10 100 VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
1000
0.1
1.0
10 100 VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
1000
Figure 3. NPN -- MJW21192 Safe Operating Area
Figure 4. PNP -- MJW21191 Safe Operating Area
TYPICAL CHARACTERISTICS
NPN -- MJW21192
1000 1000 50╟C
PNP -- MJW21191
100
100╟C 25╟C
h FE , DC CURRENT GAIN
h FE, DC CURRENT GAIN
50╟C
100╟C 25╟C
100
10
10
1.0
0.01
1.0 0.1 10 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
100
1.0
0.01
0.1
1.0
10
100
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 5. NPN -- MJW21192 VCE = 2.0 V DC Current Gain
Figure 6. PNP -- MJW21191 VCE = 2.0 V DC Current Gain
http://onsemi.com
3
Others parts begin by mj
|
|
|
