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Details, datasheet, quote on part number:1N4936
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Datasheet text preview:
1N 4933 ... 1N 4937 Fast Silicon Rectifiers Schnelle Silizium Gleichrichter
Nominal current Nennstrom
Ø 2.6
-0.1
1A 50...600 V DO-41 DO-204AL 0.4 g
Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. Gewicht ca.
62.5 ±0.5
5.1 -0.1
Type
Ø 0.8 ±0.05
Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack see page 17 siehe Seite 17
Dimensions / Maße in mm
Maximum ratings Type Typ 1N 4933 1N 4934 1N 4935 1N 4936 1N 4937 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 50 100 200 400 600
Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 50 100 200 400 600
Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Operating junction temperature Sperrschichttemperatur Storage temperature Lagerungstemperatur
TA = 75/C f > 15 Hz TA = 25/C TA = 25/C
IFAV IFRM IFSM i2t Tj TS
1 A 1) 10 A 1) 30 A 4.5 A2s 50...+150/C 50...+175/C
1
) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden 020404
© by SEMIKRON
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1N 4933 ... 1N 4937 Characteristics Forward voltage Durchlaßspannung Leakage current Sperrstrom Reverse recovery time Sperrverzug Tj = 25/C Tj = 25/C Tj = 100/C IF = 1 A VR = VRRM VR = VRRM VF IR IR t rr RthA Kennwerte < 1.2 V < 5 :A < 100 :A < 200 ns < 45 K/W 1)
IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A
Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht umgebende Luft
Rated repetitive peak forward current versus pulse duration Zulässige periodische Impulsbelastung in Abh. von der Impulsdauer
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) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden 020404 © by SEMIKRON
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